三層復合PI薄膜厚度比對其介電性能影響
2013-04-29 00:44:03陳昊李術林楊瑞宵范勇
哈爾濱理工大學學報 2013年5期
陳昊 李術林 楊瑞宵 范勇
摘要：利用微乳化一熱液法制備納米分散液，制備了摻雜層與中間純聚酰亞胺（PI）層厚度比不同的三層復合薄膜.在相同環境條件下通過透射電鏡（TEM）、擊穿場強和耐電暈測試分別對三層復合薄膜的微觀結構和納米摻雜層厚度比例的變化與介電性能的影響進行了分析.TEM測試結果表明納米粒子在有機基體中的分散均勻；介電強度測試和耐電暈測試表明隨摻雜層厚度比例的增加，擊穿場強逐漸下降，耐電暈性能呈先上升后下降趨勢.
關鍵詞：聚酰亞胺薄膜；納米雜化；TEM；擊穿場強；耐電暈
