ATO透明導電薄膜的研究進展

趙 禎，張健民，吳 姣，席運澤，楊東麟，蘇玉長

（中南大學材料科學與工程學院，長沙 410083）

0 引 言

1972年，Vossen等［1］報道由磁控濺射法制備的摻銻氧化錫（ATO）薄膜表現出了良好的光傳輸性和高導電性。此外，該薄膜還具有高透過率和高硬度等優點，因此被廣泛應用于平板液晶顯示器［2］、太陽能電池［3］、微波反射膜［4］、薄膜電阻氣敏元件、透明電極、存儲設備、電容器、光發射二極管［5］等方面。

摻銻氧化銦（ITO）透明薄膜是電子制造業的重要材料，但是其成本較高，且在厚度小于100nm時不穩定，制約了ITO系列薄膜的應用與發展。而ATO透明薄膜的穩定性良好，原料成本較低，儲量相對較大，特別是與ITO透明薄膜相比具有優異的紅外光吸收特性，在透明吸波隔熱薄膜等節能材料領域具有更好的發展前景。因此ATO透明導電薄膜成為了目前的一個研究熱點，且已開發出了多種制備方法，不同方法所制備薄膜的光學性能也明顯不同。為了給相關人員提供參考，作者根據大量ATO透明導電薄膜研究成果，對比介紹了ATO薄膜的各種制備方法，分析了主要制備工藝參數對其光學性能的影響，并指出了ATO透明導電薄膜今后的發展方向。

1 制備方法及光電特性

ATO薄膜的制備方法主要有溶膠凝膠法、射頻磁控濺射法、噴霧熱解法、化學氣相沉積法等。

1.1 溶膠凝膠法

溶膠凝膠法是以高化學活性組分的化合物（金屬醇鹽或無機鹽）為前驅體，在一定溶劑中將前驅體均勻混合，并進行水解、縮合反應，形成穩定的透明溶膠體系，溶膠經陳化后膠粒間緩慢聚合，形成凝膠。……