Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻的TrenchFET?功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出新款8 V和20 V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET——Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業內最低的導通電阻，采用1×1×0.55 mm和1.6×1.6×0.6 mm的CSP MICRO FOOT?封裝。

在智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產品的電源管理應用中，今天推出的器件將用于電池和負載切換。MOSFET的小尺寸可節約PCB空間，實現超薄的外形，讓便攜式電子產品變得更薄、更輕，而且器件的低導通電阻能夠實現更低的傳導損耗，從而降低能耗，延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導通電阻還意味著在負載開關上的壓降更低，防止出現討厭的欠壓鎖定現象。

對于導通電阻比空間更重要的應用場合，8 V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5 V柵極驅動下的最大導通電阻分別為20 mΩ和23 mΩ。器件采用1.6×1.6×0.6 mm CSP封裝。更小的1×1×0.55 mm的Si8466EDB 8 V N溝道MOSFET在4.5 V下的最大導通電阻為43 mΩ，將用于空間比導通電阻更重要的應用場合。Si8466EDB的典型ESD保護達到3 000 V。

Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2 V電壓下導通，可與手持設備中常見的更低電壓的柵極驅動和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無鹵素規定。