Vishay Siliconix推出新款通過AEC-Q101認證的40 V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證的40 V N溝道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。該器件特別針對“重型”汽車應用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。通過高密度TrenchFET技術，器件在10 V和4.5 V下實現了1.1 mΩ和1.3 mΩ的超低最大導通電阻，將傳導損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續漏極電流達200 A，幫助工程師設計出更具魯棒性的產品，為關鍵的安全應用提供額外的安全余量。

今天發布的SQM200N04-1m1L適用于電動轉向助力等高功率車用電機驅動應用。器件采用了專門設計，在生產過程中進行了100%的測試，可承受100 A和500 mJ的單個雪崩脈沖。器件具有0.4℃/W的低熱阻（結至外殼），工作溫度范圍-55～+175℃。

SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過AEC-Q101認證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。