TSMC采用28nm工藝生產的ARM CortexTM-A9測試芯片超越3GHz

TSMC于5月3日宣布，采用28nm高效能工藝生產的ARM?CortexTM-A9雙核心處理器測試芯片在常態下的處理速度高達3.1GHz。

TSMC是采用28nm高效能行動運算工藝實現此優異的成果，提供高速與低漏電的解決方案。配合各種設計最后驗證的要求，采用28nm高效能行動運算工藝生產的ARM A9處理器適用范圍除了處理速度介于1.5GHz與2.0GHz之間的行動運算產品之外，還能支持高達3.1GHz的高效能運算產品。整體而言，28nm高效能行動運算工藝擁有高效能、低功率及低漏電的優勢，可廣泛支持網通、平板計算機及消費性移動電子產品的應用。

此次能夠完成ARM Cortex-A9處理器的實作與驗證展現TSMC不斷追求工藝標準所付出的努力，在各項工藝上提供對效能、功率與面積(PPA)的解決能力，以達到系統整合芯片設計的最佳表現。

TSMC研究發展副總經理侯永清博士表示：“此顆高達3.1GHz的雙核心處理器系采用28nm高效能行動運算工藝生產，在常態下，它的速度比40nm同等級工藝處理器快上兩倍，這個結果具體證明了ARM公司與TSMC能夠滿足高效能運算的市場需求，配合其他的產品設計，28nm高效能行動運算工藝亦非常適用于各種強調效能且節能的產品。”ARM公司處理器部門市場營銷副總裁Jim Nicholas表示：“TSMC 28nm工藝能廣泛支持各項ARM先進處理器的產品，應用范圍從高頻率且具效能導向的移動產品延伸至要求低功耗的產品。ARM公司、TSMC與設計生態環境伙伴彼此間的合作已提供一個具有延展性的協作平臺，讓新世代產品在效能與功率管理取舍之間取得更大的靈活度。”

此顆Cortex-A9處理器已開放授權，針對高效能消費型及商用型系統整合芯片，提供優異的效能與功率解決方案。（本刊通訊員）