美開發(fā)出無缺陷半導體納米晶體薄膜

據(jù)物理學家組織網(wǎng)8月21日（北京時間）報道，美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出版的《納米快報》雜志網(wǎng)絡(luò)版上。

半導體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學性質(zhì)。但想通過控制納米晶體在表面上的布置，形成具有均勻結(jié)構(gòu)的薄膜卻十分困難。典型的納米晶體薄膜一般都有能限制自身效用的裂縫，使得科研人員無法測量這些材料的基本特性。此次制成的無缺陷薄膜的導電率約為傳統(tǒng)方法制成的有裂縫薄膜的180倍。科學家稱，這一制造方法還能應(yīng)用于硅表面，制成30納米寬的薄膜。其訣竅在于使薄膜結(jié)構(gòu)變得均勻，緊貼在二氧化硅基座上。這能通過在納米晶體層沉積于硅表面之前，將稀薄的聚合物層覆蓋在表面上實現(xiàn)。據(jù)推測，納米晶體表面上細小的有機分子亦能幫助它們與聚合物層相結(jié)合。

在研究的最初階段，科研人員生產(chǎn)出的納米薄膜能發(fā)出不可見的紅外光。但基于這種系統(tǒng)的工作十分單調(diào)，因為每次微調(diào)都需要進行耗時頗長的電子顯微鏡檢查。而當成功獲取能發(fā)出可見光的半導體納米晶體圖案時，意味著研究團隊能夠大幅加快開發(fā)新技術(shù)的速度。即使納米薄膜低于光學顯微鏡的分辨率限制，納米晶體亦可作為一個光源，使它們變得可見。