2011年軍事技術發展綜述

在各國的高度重視和大力推動下，信息技術、新概念武器、新材料技術、生物技術、先進制造技術、新能源技術等都取得了一系列重要進展。

2011年，世界主要國家繼續把爭奪技術制高點作為軍事優勢競爭的核心，制定規劃計劃，超前部署、持續投入，以保持其武器裝備優勢和發展后勁。美國公布了國防部2013～2017財年7個科學與技術優先發展領域，俄羅斯確定了未來幾年優先發展的科技領域和關鍵技術，印度正在勾劃名為《國防科技愿景2050》的發展藍圖。

信息技術保持強勁發展勢頭

第三代半導體材料電子器件實現量產

近年來，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等第三代寬禁帶半導體材料為基礎的新型電子器件研究非常活躍。2011年2月，美國國防高級計劃研究局的新一代氮化鎵電子器件達到一定程度的可靠性并實現了批量生產，將大量取代高功率電子設備中常用的砷化鎵(GaAs)電子器件。氮化鎵的功率密度是砷化鎵的5～10倍，具有高頻、耐高溫、大功率的優點，將成為未來高性能軍事通信、雷達、電子對抗等電子裝備的關鍵器件，進一步提高其作戰能力、可靠性及工作壽命。

集成電路技術達到22納米工藝水平

微電子集成電路生產工藝的每一次重大進步都將極大提高微電子產品的性能水平。目前，22納米微電子集成電路生產工藝基本成熟，將于2012年上半年開始量產。其中，芯片業龍頭英特爾公司22納米工藝將采用三維結構的晶體管(稱為三柵晶體管)，使電流控制由一個柵極增加到3個柵極，實現從平面到立體的轉變，是半導體技術領域的一次重大技術突破。……