Vishay發布應用于國防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻

日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE）宣布，推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表面貼裝片式電阻——E/H（Ta2N）QPL，保證可靠性達到100 ppm的“M”級失效率。新的E/H（Ta2N）QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術制造，為國防和航天應用提供了增強的性能規格，包括0.1%的容差和25 ppm/℃的TCR。

E/H（Ta2N）QPL電阻適用于國防和航天應用的控制系統，這些應用需要考慮在潮濕條件下工作或長期的儲存問題。器件的氮化鉭電阻膜可確保耐潮水平超過MIL-PRF-55342限值的50倍。

E/H（Ta2N）Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25 dB的極低噪聲和0.5 ppm/V的電壓系數。電阻的卷繞式端接采用了一個粘性很強的粘合層，上面覆蓋的電鍍鎳柵層可適應+150℃的工作條件，對典型電阻的影響小于0.010 Ω。

新電阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等級為50～1 000 mW，工作電壓為40～200 V，根據不同的容差，阻值范圍為 49.9 Ω～3.3 MΩ。