李晨光,楊 靜,武漢偉,馮彩霞,張文梅
(山西大學(xué)物理電子工程學(xué)院,山西太原 030006)
近年來(lái)基片集成波導(dǎo)作為一種新的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)被廣泛應(yīng)用到了微波及毫米波電路中.基片集成波導(dǎo)具有與傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)相近的特性,諸如品質(zhì)因數(shù)高、易于設(shè)計(jì)等,同時(shí)也具有體積小、重量輕、易于加工和集成、造價(jià)低等傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)沒有的優(yōu)點(diǎn)[1-4].文獻(xiàn)[5]提出了一種基片集成波導(dǎo)雙感性柱濾波器,但是占地面積較大,且阻帶特性也不好.文獻(xiàn)[6]提出了一種新穎的SIFW濾波器,它減小了濾波器體積,并且在通帶低端產(chǎn)生一個(gè)傳輸零點(diǎn)來(lái)改善帶外特性,但是相對(duì)帶寬較小,且通帶低端只有一個(gè)零點(diǎn).
本文所設(shè)計(jì)濾波器整體結(jié)構(gòu)如圖1所示.結(jié)構(gòu)由兩塊介質(zhì)板和三層金屬層組成,中間金屬層為接地層,頂層和底層金屬層為信號(hào)層.信號(hào)層的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該結(jié)構(gòu)將CSRR刻蝕在金屬導(dǎo)帶上,利用CSRR產(chǎn)生的阻帶特性改善通帶高端帶外特性,并采用SIFW-共面波導(dǎo)轉(zhuǎn)換器來(lái)有效地減小電路尺寸[7-8].接地層結(jié)構(gòu)如圖3所示,在接地層上挖有中間槽(見圖 4),中間槽的尺寸為l1=8mm,l2= 7mm,w1=2mm,w2=2.3 mm.中間接地層邊緣與最右排金屬通孔間的間隔d1為2.8 mm(見圖3, 4),金屬通孔1,2,3,4垂直穿過(guò)中間接地層和頂層及底層相連(見圖4).金屬通孔1,2和金屬通孔3,4在上層介質(zhì)板形成1腔,在下層介質(zhì)板形成3腔,2腔作為一個(gè)上下層公共腔位于最右端,由金屬柱3,4和最右邊一排金屬通孔在兩層介質(zhì)板間形成,這樣,整個(gè)濾波器共形成3個(gè)具有導(dǎo)向性的諧振腔(見圖4).

圖1 SIFW濾波器結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Schem atic of the SIFWfilter

圖2 信號(hào)層結(jié)構(gòu)圖Fig.2 Schematic of the signal level

圖3 接地層結(jié)構(gòu)圖F ig.3 Schem atic of the ground level

圖4 濾波器側(cè)視圖Fig.4 Side view of the SIFWfilter
圖5是正方形CSRR單元的示意圖[9].CSRR的外環(huán)邊長(zhǎng)l=2.8mm,兩同心正方形介質(zhì)諧振環(huán)的寬度均為c=0.3mm,大小環(huán)間距d=0.3mm.導(dǎo)帶寬度w=2.5 mm.選取厚度為0.787mm,介電常數(shù)為2.2的Duriod 5880介質(zhì)板.

圖5 正方形CSRR單元示意圖Fig.5 Schematic diagram of the square CSRR unit

圖6 刻蝕CSRR在微帶線導(dǎo)帶上的仿真S21參數(shù)Fig.6 The sim ulation S 21 of CSRR etched on them icrostrip
圖6為單元正方形CSRR刻蝕在50Ω的微帶線的S參數(shù)仿真結(jié)果,該圖顯示出CSRR刻蝕在導(dǎo)帶上可以產(chǎn)生阻帶特性,但是阻帶較窄.本文中,用CSRR的這種阻帶性質(zhì)來(lái)改善通帶高端帶外特性,將CSRR刻蝕在頂層和底層金屬導(dǎo)帶上,不僅可以在通帶高端由CSRR產(chǎn)生一個(gè)零點(diǎn),而且不會(huì)增加額外的面積.本文設(shè)計(jì)的CSRR,靠近輸入輸出端的兩個(gè)CSRR尺寸分別為l3=3.5mm,c3=0.3mm,dd3=0.3 mm,g3=1.5 mm,f3=0.7 mm.剩余兩個(gè)CSRR尺寸為l4=2.6 mm,c4=0.3 mm,dd4= 0.2 mm,g4=0.5mm,f4=1 mm.

圖7 耦合結(jié)構(gòu)Fig.7 Schematic of the coupling
圖7為本文所設(shè)計(jì)的濾波器耦合結(jié)構(gòu)圖,由于1腔和3腔上下相鄰,在中間接地層的邊緣,折疊的拐角處,形成1-3的傳輸路徑,如圖7所示,從1到3的傳輸路徑也可以是1-2-3,這兩條路徑相位差是180°時(shí),會(huì)在帶外產(chǎn)生第一個(gè)傳輸零點(diǎn).中間接地層上中間槽的作用,一是加強(qiáng)了 1腔和3腔間的耦合;二是源端和負(fù)載端,在中間槽的邊緣,會(huì)產(chǎn)生交叉耦合,形成S-L的傳輸路徑,如圖7,S到L的傳輸路徑也可以是S-1-2-3-L,這兩條路徑相位差180°時(shí),也會(huì)在帶外產(chǎn)生一個(gè)傳輸零點(diǎn)[6].這樣由于S-L間的交叉耦合會(huì)在通帶低端產(chǎn)生第二個(gè)傳輸零點(diǎn),從而提高了阻帶效果.
在介質(zhì)集成波導(dǎo)中設(shè)計(jì)了一個(gè)3級(jí)的帶通濾波器,介質(zhì)材料選的是 Rogers RT/duroid 5880(tm),介電常數(shù)2.2,每層LTCC厚度0.787 3mm,共使用2層LTCC,濾波器總厚度1.574 6mm.濾波器采用三維電磁仿真軟件HFSS進(jìn)行計(jì)算仿真.
圖8為微帶上刻蝕和沒有刻蝕CSRR時(shí)所設(shè)計(jì)濾波器的S參數(shù)圖.由圖可以看出,刻蝕CSRR后,通帶高端的阻帶特性有明顯改善,并在通帶高端產(chǎn)生了一個(gè)傳輸零點(diǎn),帶寬變窄了一些.由于CSRR刻蝕在輸入微帶線上,影響阻抗匹配,所以也會(huì)影響通帶內(nèi)的回?fù)p和插損.但CSRR主要還是影響高端阻帶特性,所以刻蝕CSRR以后,通帶高端阻帶特性變好.

圖8 加載CSRR和沒有加載CSRR的S參數(shù)圖Fig.8 Thesimulation S parameter of w ith CSRR and without CSRR

圖9 w 2變化時(shí)的 S參數(shù)圖Fig.9 The sim ulation S param eter for different w 2
圖9是當(dāng)w2=3mm,5mm,7mm時(shí),濾波器的S參數(shù)曲線圖,可以看到當(dāng)w2增大時(shí),通帶低端兩零點(diǎn)分開,且隨著w2增大,零點(diǎn)深度變淺.圖10是當(dāng)l2=4 mm,6mm,8 mm時(shí),濾波器的S參數(shù)曲線圖,可以看到,當(dāng)l2=4 mm時(shí),通帶低端兩零點(diǎn)重合為一個(gè)零點(diǎn),l2=6mm時(shí),通帶低端兩零點(diǎn)在 -30 dB以下,當(dāng)l2=8 mm時(shí),兩零點(diǎn)分開了一些,但零點(diǎn)深度變淺.
圖11為最后優(yōu)化結(jié)果,通帶范圍從5.4~8.8 GHz,中心頻率為7.1 GHz,通帶內(nèi)回波損耗優(yōu)于 -15 dB,插損小于0.7 dB.由仿真圖11可以看到,在4.7GHz和5.1GHz處各有一個(gè)由交叉耦合引入的傳輸零點(diǎn),在通帶高端10.2GHz處,有一個(gè)由CSRR產(chǎn)生的傳輸零點(diǎn),使帶外抑制得到了加強(qiáng).另外,通帶內(nèi)有多于三個(gè)的極點(diǎn),說(shuō)明通帶內(nèi)存在多個(gè)模式[10],從而使帶寬較寬,相對(duì)帶寬可以達(dá)到47%左右.整個(gè)介質(zhì)集成折疊波導(dǎo)濾波器尺寸為47 mm*30 mm*1.574 6mm.

圖10 l2變化時(shí)的S參數(shù)圖Fig.10 The sim ulation S param eter for d ifferent l2

圖11 SIFW濾波器仿真結(jié)果Fig.11 The simulation S parameter for SIFWfilter
所設(shè)計(jì)的一種基片集成折疊波導(dǎo)雙感性柱濾波器,通過(guò)引入交叉耦合,在通帶低端產(chǎn)生兩個(gè)傳輸零點(diǎn),使通帶低端的帶外抑制得到加強(qiáng).通過(guò)在微帶刻蝕CSRR,利用CSRR的阻帶特性在通帶高端產(chǎn)生一個(gè)傳輸零點(diǎn),改善通帶高端帶外特性.并通過(guò)折疊,減小了濾波器尺寸.本文設(shè)計(jì)的小型化SIFW濾波器具有體積小,帶寬較寬,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于加工等特點(diǎn),具有很大的實(shí)用價(jià)值.
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