基于鎳鈀金PCB的數字聲傳感器鍵合工藝研究＊

于金偉

(濰坊學院,山東 濰坊 261061)

基于鎳鈀金PCB的數字聲傳感器鍵合工藝研究＊

于金偉

(濰坊學院,山東 濰坊 261061)

本文介紹了數字傳聲器的關鍵結構,并基于其焊接及鍵合工藝的特點引入了鎳鈀金PCB,實現了其高可靠性的連接;并根據鍵合工藝的的要求,進行了一系列引線鍵合實驗,取得了相關數據,得出了相匹配的皮膜厚度參數。

鎳鈀金PCB;數字傳聲器;引線鍵合;皮膜;匹配

隨著IT技術的日益發展,各類電子系統中數字電路所占比重越來越大,尤其在PC的多媒體音視頻應用及3G手機應用領域,對音頻信號的輸入質量及抗外界各種干擾的能力都提出了更高的要求,這些要求靠傳統模擬傳聲器本身聲學性能的改進已經難以奏效,而通過對傳聲器陣列的音頻數字信號進行算法的處理后則可以較理想地達到消除回聲、屏蔽噪聲、增強波束指向性等效果。這就是所謂的數字傳聲器,是直接輸出數字脈沖信號的聲傳感器器件。它采用內置前置放大及A/D編碼的IC芯片,把模擬電信號轉成數字脈沖信號。這種傳聲器相對于傳統傳聲器的最大優點在于數字信號可以直接與相應解碼芯片(CODEC)接口進行數據傳輸,相比于傳統傳聲器對于信號衰減和噪聲夾雜的問題都得到了很好的解決。正是由于這些優勢,數字傳聲器具有很大的潛在市場。

1 數字傳聲器的關鍵結構

數字傳聲器外形與通常的駐極體傳聲器類似,基本結構為一個換能器,用于產生代表聲信號的模擬信號(通常是由振膜及其駐極體背極板來完成的);一個∑-△模數轉換芯片。如圖1所示,按照抽樣速率并以∑-△調制比特流的形式從模擬信號中產生數據輸出信號。

數字傳聲器的核心器件是內置的∑-△模數轉換IC芯片,它完全取代了傳統場效應管(FET)并實現了模擬信號到數字信號的轉換功能。該芯片通過Die Bonding的方式安裝于PCB上,并通過引線鍵合工藝實現芯片管腳與PCB焊盤間的互連,其連接的可靠性直接影響到該器件的功能,是數字傳聲器的關鍵結構。其結構如圖2所示。

圖1 數字傳聲器結構示意圖

圖2 IC芯片鍵合結構示意圖

為提高PCB連接可靠性,特別是這種IC封裝用PCB與芯片連接的可靠性,國外一直在研究連接盤表面處理方法,近兩年又推出了化學鍍鎳化學鍍鈀與浸金工藝,應用于IC封裝用PCB的表面鍍層,這就是所謂的鎳鈀金PCB。

在推出這種新型鍵合皮膜前,通常采用沉鎳浸金沉金(ENIGEG)皮膜,其金層厚度一般高于0.5μm。而此工藝要求線路板要在沉金缸里浸泡很長的時間,在敏感的沉金缸內,阻焊保護層和基材釋放出某些物質導致金缸污染。值得注意的是在小于100μm精密線寬及線距的情況下,此體系或會超出其選擇性界限,滲鍍或甚至過鍍在阻焊保護層上,從而導致連接盤之間短路。厚金層高昂的成本和冗長流程時間導致的低生產效率限制了此工藝的廣泛應用。

對于防止化學鍍鎳浸金過程鎳與金界面中金屬化合物(鎳氧化物)危害,有兩個辦法:(1)加厚金鍍層,阻止鎳氧化層滲出,但金層厚度增加必然提高成本,而鍍層內部氧化物存在總是個隱患;(2)完全抑制鎳與金界面中金屬化合物產生,在鎳層與金層之間隔入一種穩定的金屬層—鈀,鈀層完全隔離了鎳的遷移和阻止新的化合物產生。這種新的連接盤最終表面處理技術稱為化學鍍鎳化學鍍鈀與浸金(ENEPIG:Electroless Nickel,Electroless Palladium,and Immersion Gold),這種鍍層被稱為全能型PCB表面鍍層,正好適用于數字傳聲器這種既有引線鍵合要求又有回流焊接要求的高可靠性連接產品。

2 IC芯片與鎳鈀金PCB鍵合工藝的匹配實驗

2.1 鍵合工藝參數及材料的選擇

2.1.1 鍵合溫度

鍵合溫度能夠幫助移除表面污染物,如潮汽、油、水蒸汽等,增加分子的活躍程度有利于合金的形成。但是過高的溫度不僅會產生過多的氧化物影響鍵合質量,并且由于熱應力應變的影響,圖像監測精度和器件的可靠性也隨之下降。在實驗中,溫控系統都會添加預熱區、冷卻區,提高控制的穩定性。本實驗IC芯片鍵合機臺(TPT HB16)鍵合溫度設置在150-180℃。

2.3.1 拉力測試要求2.1.2 鍵合機臺壓力、功率

超聲功率使焊線和焊接面松軟,產生熱能,形成分子相互嵌合合金,改變球形尺寸。超聲功率對鍵合質量和外觀影響最大,因為它對鍵合球的變形起主導作用。過小的功率會導致過窄、未成形的鍵合或尾絲翹起;過大的功率導致根部斷裂、鍵合塌陷或焊盤破裂。超聲功率和鍵合壓力是相互關聯的參數,增大超聲功率通常需要增大鍵合力使超聲能量通過鍵合工具更多的傳遞到鍵合點處。因此在生產過程中設置鍵合機臺壓力和功率參數時,需要將兩者密切綜合考慮。本實驗的設置為超聲功率:250mW(1st),250mW (2nd);鍵合力:25g(1st),50g(2nd)。

2.1.3 鍵合時間

鍵合時間是指控制超聲能量作用的時間,本實驗芯片鍵合時間設置在200msec(1st),50msec(2nd)。一般來說,太短的焊線時間無法形成良好的合金,焊線時間過長是導致拉力不良或芯片電極損傷的原因。鍵合時間越長,引線球吸收的能量越多,鍵合點的直徑就越大,界面強度增加而頸部強度降低,會使鍵合點超出焊盤邊界并且導致空洞生成概率增大。因此設置合適的鍵合時間也顯得尤為重要。

2.1.4 劈刀

鍵合劈刀的選擇和使用磨損狀況對于焊點的質量有著重要影響,劈刀壽命一般為200萬點。隨著劈刀的使用焊點數的增加,劈刀磨損也越來越嚴重。實驗前要對劈刀狀況進行確認。

2.1.5 金絲

金絲作為一個重要的原材料必須具備如下幾個重要的特性:良好的機械性能和導電性能,合適的破斷力,選擇正確的尺寸,表面清潔無污染無損傷。本實驗金絲直徑選擇lmil,純度為99.99%,延伸率為2%-8%,斷裂負荷要求:lmil金絲大于10gf。

2.2 鍵合設備及參數的確定(見圖3)

引線鍵合實驗參數:

設備:TPT HB16(半自動鍵合儀)

圖3 引線鍵合設備:TPT HB16(半自動鍵合儀)

毛細管:B1014-51-18-12(PECO)

引線:1mil-金線

鍵合溫度:150℃

超聲功率:250mW(1st),250mW(2nd)

鍵合時間:200msec(1st),50msec(2nd)

鍵合力:25g(1st),50g(2nd)

方言即為語言的次類，它也有著完整的語言體系，主要表現在語音、語調、詞法和句法等方面。本文對方言的語言體系重點分析英語方言的語音和詞法風格兩方面的內容。

鍵合距離:0.700mm(1st—2ndwire length)

2.3 拉力測試

拉力測試被廣泛用在熱超聲焊線中,它是一種破壞性的測試,能夠測

試出最薄弱的斷點,測試點和拱絲的特點直接影響測量數值大小。本實驗鍵合金線拉力及斷點位置要求為:拉線時第一點金球不能與電極之間脫開,第二點楔形不能與PCB鍵合區脫開,即此時不論拉力F為何值都判定不合格;如從其它點斷開,金絲直徑lmil拉力值F>6 gf為合格。

2.3.2 拉力測試設備和實驗條件(見圖4)

設備:Dage series 4000

速度:170um/sec

圖4 拉力測試設備

圖5 拉線模式

2.3.3 拉力測試結果(見表1)

表1 測試結果

2.3.4 實驗數據分析

如果在鎳、金之間沒有鈀層,通過本鍵合實驗研究,金厚度至少需要大于0.3μm。如果具有良好金線鍵合技巧,金厚度可以被適當降低。

然而,如果引入鈀層,即使鈀厚度在0.01μm,也能得到良好的引線鍵合性能。可見,引線鍵合性能的優劣和金層厚度有直接的關系。所以,如果鈀厚度超過0.01μm,若控制金厚在0.2μm左右,同樣可以得到優越的引線鍵合性能。

3 結論

3.1 對于推力測試

因為本實驗產品除IC與PCB鍵合連接外,還要通過回流焊焊接兩顆電容,當鈀層厚度超過0.1μm或者沒有鈀層時,焊接性能將變差。而且,如果金層厚度變得較厚,焊接性能也將因金脆而變差。本文認為鈀層厚度應該被控制在0.02-0.07μm,可獲得良好的焊接性能。

3.2 對于拉力測試

如果在鎳、金之間沒有鈀層,金層厚度至少需要大于0.3μm。如果鈀層厚度為0.02μm,金層厚度需要大于0.2μm。本文認為,鈀層厚度越厚,其性能越好。

3.3 優越連接性能對鎳鈀金PCB的要求

如果僅為了得到優越的焊接性能,建議鈀層厚度為0.05μm左右,金層厚度為0.05μm左右。如果需要良好的引線接合性,又需要較厚的金層厚度。所以,如果既要求優越的焊接性又要求優越的引線接合性,皮膜厚度應該為鈀0.02—0.07μm,金0.15—0.2μm

Study on Bonding Technology of Digital Microphone of NiPdAu PCB

YU Jin-wei
(Weifang University,Weifang 261061,China)

In this paper,crucial structure of digital microphone are introduced,and bonding technology is leaded into NiPdAu PCB,and achieve the high reliability connect.And according to the demand of bonding technology,a series of bonding experiments have been done,obtain some related data and matched skin membrane thick parameter.

NiPdAu PCB,digital microphone,wire bonding,skin membrane,match

TN305.96

A

1671—4288(2011)02—0004-04

(責任編輯:肖恩忠)

2010-12-15

山東省國際科技合作計劃項目(201013);濰坊市科技發展計劃項目(201001044)

于金偉(1967—),女,山東濰坊人,濰坊學院機電工程學院副教授。