芯片完成“40納米”跨越展訊實現(xiàn)戰(zhàn)略性前瞻布局

本刊記者 | 王濤

“TD手機的成本要想接近2G，65納米芯片根本做不到，只能再往小做?！?/p>

從150納米到40納米的距離有多遠(yuǎn)？展訊的答案是“14個月”。

2011年1月19日，展訊正式發(fā)布全球首款40納米TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G，并現(xiàn)場展示了多款基于該芯片的商用手機產(chǎn)品。

需要再次強調(diào)的是，這個歷時14個月推出的“40納米”已是商用品。與此形成強烈反差的是展訊“甚至去年量產(chǎn)的產(chǎn)品都是180或者150納米技術(shù)的東西”。

在美國硅谷屢屢上演的創(chuàng)新公司“以小博大”的故事，被原汁原味地移植在了這個中國色彩濃厚的芯片公司上面，樣本意義不言而喻。

近乎“瘋狂”

按照芯片設(shè)計的正常邏輯，工藝升級遵循的節(jié)點一般是180納米（這也是展訊芯片工藝的起點）、150納米、90納米、65納米、55納米、45納米……而每個節(jié)點按照正常的開發(fā)、量產(chǎn)、成熟時間，大致需要2-3年。

回想這場芯片工藝“大躍進(jìn)”，始作俑者展訊董事長兼首席執(zhí)行官李力游似乎也有些“不寒而栗”，在通信半導(dǎo)體行業(yè)做了20多年，他深知此間兇險，“在工業(yè)界，這種跳躍是不合理的，是非常不理智的，甚至是錯誤的”，“很容易失敗，實際上跟自殺差不太多”。

在合作者那里，對李力游的質(zhì)疑差點演化成一場信任危機。其原因在于，展訊的40納米研發(fā)計劃依托于兩個項目：2008年的科技部國家支撐項目——TD-HSUPA的開發(fā)和2009年中國移動與芯片、終端廠家聯(lián)合申報的3G手機聯(lián)合開發(fā)項目。而這兩個項目當(dāng)時規(guī)定的半導(dǎo)體支撐技術(shù)就是65納米。

因此，在合作伙伴們看來，展訊此舉自然是疑點重重。一些項目組專家甚至將此解讀為故意拖延國家專項進(jìn)度，因為“你要做65納米就沒有拖延的理由了”。

其實，如果不做40納米，對于展訊或者TDSCDMA（以下簡稱“TD”）的芯片工藝演進(jìn)進(jìn)程來說，2010年也注定是一個“跨越式”發(fā)展的年份。在這一年，65納米正在逐步成為主流的TD芯片工藝技術(shù)，而美國芯片廠商Marvell公司的TD單芯片已經(jīng)采用了55納米制作工藝。

在全球頂級芯片廠商英特爾、高通、博通那里，目前其主流商用產(chǎn)品都是基于65納米技術(shù)。而高通基于45納米技術(shù)在售的MSM8x60芯片組平臺則屬于其最新產(chǎn)品，是去年年中才發(fā)布上市的。因此，從工藝環(huán)節(jié)來看，與WCDMA相比，TD芯片也不算“丟份兒”。

不過，與決策階段的“瘋狂”相比，展訊40納米項目推進(jìn)速度之快，也讓人們感受到了一絲“瘋狂”的意味，這從該項目最后的芯片測試階段即可見一斑——2010年10月完成流片，其后用了1個月的時間完成了工信部電信管理局進(jìn)網(wǎng)測試，然后再用近1個月的時間，完成了中國移動的入庫測試（海信手機），在12月底，又通過了前述項目的專家組驗收。之后，李力游再次“冒險”——不做樣片直接量產(chǎn)?！拔覀円淮瘟慨a(chǎn)相對比較成功，當(dāng)然這還在于前面每個環(huán)節(jié)都配合得比較好?！崩盍τ握f。

展訊的邏輯

雖然在與WCDMA芯片工藝的橫向比較上TD失分不多，但是從TD整體商用的狀態(tài)看，情況并不樂觀。截至去年底，TD用戶數(shù)雖然升至1883.5萬戶，但是經(jīng)過此前兩年多的市場培育，TD的口碑提升依然緩慢，用李力游的話來說，“對TD的抱怨已經(jīng)形成一種固化的思維方式，就是TD手機一定不好用”。

因此，從李力游在多個場合的宣講中，我們也可以一窺其在“40納米”問題上的邏輯出發(fā)點，即：TD手機的用戶體驗要與2G相同，成本、價格要與后者接近，而性能表現(xiàn)則要讓消費者形成絕對的代差概念。這是扭轉(zhuǎn)TD形象的關(guān)鍵，也是TD成功的關(guān)鍵。

由此逆推，展訊的邏輯變得簡單。展訊方面做過測算，TD手機的成本要想接近2G，65納米芯片根本做不到，“只能再往小做”。另一個現(xiàn)實問題是，目前全球主流芯片企業(yè)都在做65納米，而“65納米的產(chǎn)能明顯不足”。

當(dāng)然，選擇40納米工藝，也緣于高集成度設(shè)計一直是展訊的競爭優(yōu)勢之一。同時，展訊在風(fēng)險規(guī)避上做到了“外緊內(nèi)松”，從技術(shù)準(zhǔn)備到內(nèi)外部資源整合、資金支持以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，直至后來的系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計等環(huán)節(jié)，基本做到了風(fēng)險可控，“只是外面看起來覺得比較危險而已”，李力游說。

其實，40納米工藝對于展訊而言，還有這另外一層隱含的戰(zhàn)略意義，那就是為TD-LTE的研發(fā)夯實基礎(chǔ)。在TD-LTE時代，終端功耗、性能及成本的控制難度將進(jìn)一步增加，此時更需要40納米以下的工藝技術(shù)作為支撐。因此，提前布局40納米，無疑為展訊產(chǎn)品線的后續(xù)發(fā)展埋下了伏筆。據(jù)了解，展訊已于2010年啟動了TD-LTETD-SCDMAGSM三模芯片項目。

格局裂變

從某種意義上說，展訊切入中國芯片業(yè)就是始于TD。但是由于中國3G商用啟動較晚，展訊曾一度將精力更多地聚焦在了2G產(chǎn)品線上。其間，從初期的小有斬獲到兩年前的風(fēng)雨飄搖，再到今天的浴火重生，展訊演繹了中國芯片業(yè)近幾年來最為跌宕起伏的橋段。此次攜40納米利器征戰(zhàn)TD市場，對李力游而言，自然別有滋味。

從第三方的實測數(shù)據(jù)來看，相較競爭對手，展訊的SC8800G可謂集高性能、低功耗、高集成度、低成本四大優(yōu)勢于一身。而在與業(yè)內(nèi)前沿WCDMA芯片廠商的產(chǎn)品參數(shù)對比中，SC8800G的數(shù)據(jù)也頗為“搶眼”。雖然展訊的“40納米”最終還需要用戶環(huán)節(jié)的真實檢驗，但對于此前已經(jīng)積累了豐富質(zhì)量控制經(jīng)驗的展訊來說似乎問題不大。

此外，此前一直宣稱將在2010年推出TD產(chǎn)品的高通，目前來看，對TD-LTE的興趣更大。有消息稱，首款采用高通芯片的TD-LTE產(chǎn)品預(yù)計2011年中正式推出。

此前的TD芯片設(shè)計市場，廠商們基本屬于“各有所長”，此番展訊及聯(lián)發(fā)科的輪番發(fā)力，相信會給這個市場帶來更為積極的改變，甚至?xí)o未來的中國芯片業(yè)帶來諸多變數(shù)，此間“一切皆有可能”，正如去年底發(fā)生在展訊與某頂級芯片廠商間的對話：

展訊：“我們之間的合作要用我們的40納米！”

對方：“我們都沒做出來呢，你別瞎扯！”