飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布，兩家公司就采用MLP 3×3（Power33?）和Power Stage 3×3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。

兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A～20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。

飛兆半導(dǎo)體低壓產(chǎn)品高級副總裁John Bendel稱：“飛兆半導(dǎo)體和英飛凌實現(xiàn)了引腳輸出的標(biāo)準(zhǔn)化，并在性能水平方面相輔相成，為客戶提供兩個供貨來源以滿足計算、電信和服務(wù)器市場對高效率設(shè)計的需求。這些協(xié)議（pack age alignment）的目的是通過多個來源和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，為客戶提供性能領(lǐng)先的產(chǎn)品。”

英飛凌科技低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們不單通過減少市場上的‘獨有’封裝種類，能夠使客戶從功率產(chǎn)品封裝的標(biāo)準(zhǔn)化中獲益，還能夠以相較上一代產(chǎn)品更小的占位面積，帶來提升效能水平的解決方案。”