隨著電子技術的發展,功率半導體技術已經成為現代電力電子技術的核心。以絕緣柵雙極型晶體管(IG—BT)為代表的功率器件,在眾多工業控制領域得到越來越廣泛的應用。IGBT作為一種典型的雙極性MOS復合型功率器件,集MOSFET與GTR(大功率晶體管)的優點于一身,既具有輸入阻抗高,開關速度快,熱穩定性好和驅動電路簡單的長處,又具有通態電壓低,耐壓高和承受電流大的優點。IPM(intelligent powermodule)作為一種智能功率模塊,它以IGBT為基礎,內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路,與普通IGBT相比,在系統性能和可靠性上均有很大的提高,同時由于IPM通態損耗和開關損耗都比較低,使散熱器的尺寸減小,故整個系統的體積減小了很多,適應了功率器件的發展方向,從而應用領域越來越廣。