三星2011年下半推出20nm級制程DRAM

三星電子 (SamsungElectronics)2011年將致力于提升DRAM存儲器半導體制程技術水平，再拉大與其它競爭業者間差距。三星半導體事業部專務趙南成表示，2010年采用30nm級制程制造DRAM，2011年上半計劃采行20nm級制程推出產品。三星計劃每年提升DRAM制程技術，維護業界領先地位。

20nm后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式，而是采用既有的浸潤方式制作。納米制程是將半導體電路線幅微縮至人類頭發4000分之1粗細的制造工程。半導體制程越是微細，可以大幅縮減半導體體積，在單一晶圓(wafer)上生產的半導體數量可增加，或降低產品生產的費用。

三星計劃于2011年下半推出的20nm級制程DRAM產品，其量產性估計較30nm級產品提高約60%。三星2009年率先量產40nm級DRAM產品，接著2010年7月也領先業界首度投入30nm制程量產作業。海力士(Hynix)目前則是以40nm制程量產DRAM，并計劃2011年初將投入30nm制程產品量產。

日本爾必達(Elpida)和美國美光(Micron)等排名第3、4名的半導體廠目前主要以50nm級制程量產DRAM產品，并正準備轉換為40nm制程。以DRAM制程技術為基礎，三星2010年第3季在DRAM市場上首度將市占率拉升至40%以上。

三星若能依照預定的目標，于2011年下半推出20nm級制程DRAM產品，無論是在韓國境內或海外，與其它競爭公司的技術能力將有明顯差距，在DRAM市場上也將出現三星獨大的情況。

來源:DigiTimes