日立與瑞薩科技發(fā)布低功耗ＭＯＳ相位轉(zhuǎn)換存儲器單元

日立有限公司（Hitachi）與瑞薩科技公司（Renesas Technology）發(fā)布低功耗能相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型， 這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程，與采用以前技術(shù)的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗可降低50%。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高不平集成方面均更為優(yōu)異，可在下一代微控制器中為諸如信息設(shè)備、家用電器，以及車載設(shè)備和控制系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用的片上編程和數(shù)據(jù)存儲提供優(yōu)秀的解決方案。