基于FSMC技術的NorFlsah功能驗證系統研究

廖 勇，張思佳，李佳俊，韋純進，吳佩雯，張亭亭

(1.航天科工防御技術研究試驗中心，北京 100854；2.西南石油大學 電氣信息學院，成都 610500)

0 引言

對于閃存存儲器NorFlash而言，國內外大多數生產或測試廠家采用的主流測試方式是使用ATE機臺或者存儲器專用測試設備進行測試，這些設備可通過編寫測試程序完成對NorFlash的功能和各類參數測試，同時可設置多SITE模式實現批量測試，但ATE和存儲器專用測試設備的價格往往十分高昂，同時對于傳統ATE機臺進行存儲器功能測試與參數測試而言，還存在測試開發流程復雜的情況，需要編寫pin configuration文件、level文件、timing文件、pattern文件、testflow文件等測試程序配置文件，這些測試文件中時序設計和向量文件一般編寫較為復雜、編寫時間過長，開發效率較低[1]。并且基于NorFlash芯片的特點，在進行測試程序開發時，需要將其容量和功能模式完全覆蓋，而測試開發人員在編寫存儲器測試向量時一般的測試機臺無法自動生成測試向量，也無法完成地址的動態遞增，單純靠手動或靠編代碼的方式實現半自動地址遞增會使得測試向量編寫困難，特別是對于256Mbit及以上的NorFlash芯片通過手動復制上千萬行測試向量時會使得計算機變得卡頓，完成一個完整的向量編寫通常需要幾十小時，開發效率極低，而且NorFlash的功能測試涵蓋大量控制命令以及種類繁多的控制時序，靠測試人員手動編寫測試向量和調整時序會存在較大開發難度，并且由于測試機臺測試向量深度的限制，上述方式往往難以覆蓋大容量的存儲器，進而會增加測試程序開發難度，延長開發周期[2-3]。

針對NorFlash測試存在的問題，可采用FSMC擴展技術進行解決，此技術是STM32系列微控制器單元采用的一種新型的存儲器控制技術[4-5]。其中，FSMC內部包含4個模塊：AHB接口(包括FSMC配置寄存器)、NOR閃存和PSRAM控制器、NAND閃存和PC卡控制器、外部設備接口等[6]。FSMC接口可以支持擴展靜態的內存，如SRAM、NorFlash、NandFlash、ROM等存儲器。在進行NorFlash驗證測試時，通過設置FSMC控制器，實現對存儲器芯片的優化調度，通過對待測NorFlash芯片ID的讀取，可以自動匹配不同廠家、不同型號、不同封裝的NorFlash芯片測試算法，減少了基于傳統ATE機臺的存儲器芯片測試開發需要編寫的pin configuration文件、level文件、timing文件、pattern文件、testflow文件的工作，并且由于要覆蓋NorFlash的所有存儲空間，常規采用ATE利用手動或者半自動的方式極大依賴于測試機臺的向量存儲深度和測試機臺的編程靈活性，而往往通用大規模集成電路測試機臺，如：日本愛德萬公司的V93K和美國泰瑞達公司的Ultra-Flex在這兩方面做的均不好，除非花費極大的成本完成軟硬件升級才能滿足大容量的NorFlash的功能測試，但是測試向量編寫困難、測試流程復雜且冗余的缺點仍然存在，這樣就會極大的增加了測試開發人員的效率，而自主設計的NorFlsah功能驗證系統可以較好的解決此問題，可以通過編寫代碼靈活的完成測試向量中地址動態遞增和存儲空間數據動態賦值的工作，并且外圍電路可配置大容量的存儲介質以用于測試向量的存放，從而較好的應對常規測試機在進行NorFlsah測試程序開發時所面臨的問題，而且由于編程軟件采用Visual Studio 2022進行嵌入式開發，編程的靈活性和可用的函數庫更加豐富多樣，從而使得測試程序編寫的兼容性和可行性大為提升。此外，針對傳統的ATE機臺的扇區擦除及整片芯片擦除測試時間長的問題，本系統內部集成MATCH功能，可以實時判斷芯片的BUSY輸出信號及時控制擦除操作，省去芯片額外的擦除時間，極大地增強了系統的測試效率。針對NorFlash而言，在測試時設置具有特殊功能的寄存器，動態調整發出的控制指令[7]，動態實現NorFlash存儲空間的遍歷訪問，控制時序設置簡單，可便捷的完成對NorFlash的功能測試。

1 NorFlash功能驗證技術方案設計

1.1 FSMC拓展技術的應用

本文選擇單片機STM32F407IGT6在不增加外部的器件的條件下，可以擴展不同型號、不同類型、不同容量的外部靜態存儲器[8-10]。在STM32系列單片機，一些引腳被專門設置為地址線、數據線、控制線，這些地址線、數據線等對應著固定的地址[11-12]，使用時只需外部存儲器將數據線與STM32對應的數據線連接，配置FSMC即可完成訪問操作。針對NorFlash而言，選擇FSMC內部集成的NorFlash控制器，通過配置特殊寄存器直接完成NorFlash的訪問[13-14]，其核心工作原理是利用STM32F407-IGT6的高性能 Arm○RCortex○R-M4，32位的RISC內核通過AHB高速總線連接到FSMC，再由FSMC連接至擴展NorFlash的外部總線[15-18]。FSMC接口在CPU與外部擴展存儲器實現通訊時起到轉換的作用，將CPU對外部NorFlash的訪問信號轉換為可被外部擴展NorFlash所識別到的信號，并發送給外部擴展NorFlash，實現CPU與外部擴展NorFlash的數據通訊[19-20]。

1.2 NorFlash功能驗證系統框架搭建

NorFlash功能驗證系統框架如圖1所示，此系統框架主要涵蓋12個部分，分別是：以STM32F407IGT6為核心的主控電路、供電電路模塊、RS485電路、AD7606電路、輸入繼電器控制電路、輸出繼電器控制電路、輸入源控制電路、輸出源控制電路、波形產生電路、示波器及通訊電路、臺式電路及通訊電路、數字萬用表及通訊電路；

圖1 NorFlash 功能驗證系統框架

圖1詳細的展示了測試母板中各部分電路的連接1關系，圖中，深色線標識輸入信號的流動方向，淺色表示輸出信號的流動方向。輸入信號即被測芯片的激勵信號流動軌跡如下：輸入激勵信號(單片機激勵源、高精度臺式電源、波形產生電路)→輸入信號選擇電路→輸入接口→被測芯片；輸出信號即被測芯片輸出信號的流動軌跡如下：被測芯片輸出信號→輸出接口→輸出測試源選擇電路→測試源(高精度臺式電源、高精度AD采樣電路和高性能外部示波器)。各個組成單元都承擔著十分重要的作用：

核心控制電路是整套功能驗證系統的關鍵組成部分，它以STM32F407IGT6為主，該芯片內部集成了可變靜態存儲控制器FSMC，通過集成的Thumb-2高密度指令集設置特殊功能寄存器，如圖1所示，然后FSMC接口利用控制接口、地址接口和數據接口可以依據不同的外部存儲器類型發出相應的數據/地址/控制信號以匹配信號的速度，在不增加外部器件的情況下就可以實現對不同廠家、不同容量、不同協議的NorFlash進行地址的遍歷、向量的動態生成、時序的便捷設置，極大增強了該系統的兼容性和靈活性。

基于VS2022開發平臺，它涵蓋大量的庫函數固件庫，在進行初始化時便用到會用到FSMC_ NORInit()、FSMC_NANDInit()、FSMC_ SRAMInit()等庫函數，還有FSMC 的使能函數FSMC_ NORInit()、FSMC_NANDInit()、FSMC_ SRAMInit()等，而且 FSMC 讀寫時序、地址建立保持時間，數據建立時間等配置也可以在調用庫函數的基礎上進行編程開發。總之，庫函數調用十分方便，嵌入式軟件編程非常靈活。

但是在嵌入式編程時也有需要注意的地方，FSMC進行NorFlash訪問時有幾個寄存器非常重要，其中FSMC_BCRx控制寄存器可配置要控制的存儲器類型、數據線寬度以及信號有效極性能參數，FSMC_BTRx時序寄存器用于配置NorFlash訪問時的各種時間延遲，如數據保持時間、地址保持時間等，FSMC_BWTRx寫時序寄存器專門用于控制寫時序的時間參數，但是在所調用的ST官方庫中，并沒有定義FSMC_ BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等寄存器，而利用一些規則進行組合而得到，其中FSMC_ BCRx和FSMC_BTRx組合成BTCR[8]寄存器組，其規則如表1所示。

表1 FSMC_ BCRx、FSMC_BTRx與BTCR[8]對應關系

而FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7]，表2為其對應關系：

表2 FSMC_BWTRx與BWTR[7]對應關系

表3 VOL測試結果

表4 VOH測試結果

表5 VIL測試結果

表6 VIH測試結果

供電電路模塊，由于不同芯片的供電范圍不同及大量驅動器的驅動，因此設計了12 V轉5 V，5 V轉3.3 V的電路，用于母板與子板不同芯片的供電需求以及大量繼電器的驅動。

RS485通訊電路，用于提供與上位機軟件的通訊，使用的是RS485的半雙工模式，只需要兩根通信線(A，B)即可完成數據通信。

AD7606電路，16位精度、可8路并行的ADC模塊，用于采集DUT的直流參數，再將采集完成的參數反饋給STM32F407IGT6進行數據的處理。

輸入繼電器控制電路、輸出繼電器控制電路，通過繼電器，完成I/O通道的開啟與關閉。

輸入源控制電路，該電路主要用于輸入激勵信號的選擇，激勵信號可以選擇單片機激勵源、高精度臺式電源、波形產生電路作為DUT的輸入激勵源。核心控制算法可以根據器件的不同頻率、不同精度的激勵需求，對這3種激勵信號靈活選擇。通過VISA協議，本系統可以對高精度臺式電源進行程控，實現程序對激勵信號幅值的動態調整；單片機激勵源可提供常見的高電平、低電平驅動信號；波形產生電路可提供常見的正弦波、余弦波等激勵信號，可以根據不同器件動態調整驅動需求。

輸出源控制電路，該電路主要用于對測試芯片輸出信號測試源進行選擇，輸出信號測試源包括高精度臺式電源、高精度AD采樣電路和高性能外部示波器3種。通過VISA協議可以在上位機對高精度臺式電源進行程控，根據不同芯片動態的進行VIH、VIL、VOH、VOL等直流參數的測試。高精度AD采樣電路以16位精度的AD7606為核心，可同時采集8路輸出信號的數據，提高采樣效率。外部高性能示波器主要用于對交流參數的測試，可以實現對輸出使能到數據有效時間tOE、片選到數據有效延遲時間tCE、地址到輸出延遲時間tACC等交流參數的抓取。波形產生電路，由于不同的DUT對輸入激勵需求不同，常規的存儲器輸入激勵包括：驅動高、驅動低等，同時對激勵信號的測試頻率要求較高，通常高速存儲器的輸入激勵頻率要求達到150 MHz左右。因此設計以FPGA芯片XC7A100T為主控配合雙路10位DA模塊及部分外設電路的任意波生成電路，滿足不同頻率的激勵需求，該電路可以同時生成4路不同頻率的信號，而且信號最大頻率可以達到200 MHz，能夠覆蓋大多數存儲器的輸入激勵需求。根據不同的DUT輸入激勵需求，核心CPU STM32 -F407IGT6可通過TTL接口對該電路發出控制指令，產生不同類型、不同頻率的激勵信號，輸出包括：正弦波、余弦波、鋸齒波、方波、高電平、低電平、差分信號等，電壓覆蓋：2.7～5 V動態變化，頻率覆蓋：0～200 MHz動態變化，核心CPU可以根據不同被測器件的需求改變輸出信號的相位及幅值。

示波器及通訊電路，利用type-B接口通過VISA通訊協議，實現對芯片的交流參數的測試高精度臺式電源及通訊電路，利用type-B接口通過VISA通訊協議，以及輸入、輸出源繼電器，可以實現對芯片電信號的施加、直流參數的測試與采集、輸入源的激勵。

數字萬用表及通訊電路，7位半精度，利用GPIB通過VISA通訊協議，實現對DUT高精度的電信號測試。

整個NorFlsah功能驗證系統的所有組成可以大致分為兩大核心，第一部分是：基礎功能驗證，包括ID讀取，讀操作，寫操作和擦除操作等，這是整套驗證系統的關鍵和前提；第二部分是：參數測試系統，參數的測試除了完成芯片手冊的基本規定指標之外，它也是功能驗證非常關鍵的一種輔助驗證手段，換而言之，參數測試更加系統和全面的支撐了NorFlsah的功能驗證。

2 NorFlash功能驗證系統測試流程

本系統的驗證流程設計如圖2所示：上位機通過RS485總線給測試母板核心CPU下發測試指令，母板接收到測試指令后啟動測試流程，整體NorFlash驗證流程包含：功能驗證與參數測試。

圖2 NorFlash 驗證流程

其中，對于NorFlash 功能驗證，首先要完成FSMC拓展接口的配置，其核心為STM32F407IGT6調用內置的FSMC拓展接口，FSMC內部有3個控制寄存器，配置FSMC_BCR控制寄存器完成NorFlash 類型選擇、數據線寬度以及寫使能操作；FMC_BTR讀時序寄存器用來控制與讀操作相關的時序，如數據保持、地址保持等時序；FMC_BWTR寫時序寄存器用來控制與數據寫入存儲器相關的時序。對于被測芯片的功能測試輸入激勵形式，默認情況下功能測試采用FSMC接口，無需額外的外部輸入激勵即可完成功能測試。當需要特殊的外部激勵，例如，目前大部分存儲器芯片均具有高電壓擦除功能，如需要驗證該 功能，則需要特定引腳施加規定電壓才能完成，基于以上特征，可對該引腳設定外部高精度臺式電源作為輸入激勵源，完成程控配置后，點擊測試按鈕，系統將自動開始執行測試流程。與傳統ATE機臺相比，通過CPU內部的FSMC配置，可以省去對pinmap文件、level文件、timing文件、pattern文件、testflow文件的編寫工作，提高測試開發效率。

然后，上位機軟件通過RS485傳輸線下發控制指令，CPU接收到指令后調用FSMC拓展接口，FSMC內部根據芯片種類動態調整地址、數據和時序，實現自動測試操作，完成包括全0(0x00)、全1(0xFF)、棋盤(0x55)、反棋盤(0xAA)、片擦除、扇區擦除等測試圖形的向量輸入以及對應測試圖形的數據讀取，完成對NorFlash全地址覆蓋的讀寫操作；在完成功能驗證后進行參數測試，參數測試包含直流參數測試與交流參數測試，對于直流參數，CPU將控制輸入輸出繼電器對DUT的對應通道的打開或關閉，可以實現對DUT的串、并行測試。根據不同器件的輸入激勵需求，CPU可以選擇單片機激勵源、高精度臺式電源、波形產生電路為器件的輸入激勵源。CPU可以通過切換高速繼電器選擇使用TTL協議調用波形生成單元，產生供DUT使用的激勵信號或者使用type-B接口利用VISA協議調用示波器或臺式電源產生激勵。

完成合適的激勵源施加后，根據不同芯片的測試需求，可以進行包括高精度臺式電源、高精度AD采樣電路和高性能外部示波器3種輸出測試源的選擇。若不用PPMU功能，采用CPU利用SPI協議調用AD7606模塊或者通過type-B接口利用VISA協議調用數字萬用表實現對直流參數的測量；使用PPMU功能，利用type-B接口利用VISA協議調用臺式電源，實現對DUT的四象限測試；CPU將測量完成后的數據進行采集，通過RS485接口，將數據發送至上位機軟件進行數據分析與處理。

當測試開始后，一旦有測試數據上傳至上位機軟件后，數據就會被上位機軟件進行處理，按照指定的數據解碼協議(MODBUS協議)進行解碼，然后將測試數據在上位機界面顯示出來，同時，由于對測試參數進行了閾值設定，若采集的數據在設定的閾值范圍內，則會出現“PASS”標志，測試程序按照順序繼續執行；反之，若測試數據沒有達到關鍵閾值，則會出現“FAIL”標志。以此來完成對器件邏輯功能的驗證，比如：對于NorFlash存儲器，寫入全0功能測試時，當讀取的低電平信號在VOL的閾值范圍內時，將會輸出“PASS”，反之，則會出現“FAIL”。與此同理，其他參數的測試也是同樣的判斷機制和處理模式。因此，此系統可以很好地完成待測器件的功能驗證以及交、直流參數測試，測試精度能夠達到小數點后4位。并且所有的測試數據能夠進行實時的波形顯示，用于分析整個測試周期內測試數據的波動情況，極大的提高了對器件的性能分析。測試數據都能以專業的格式生成EXCEL表格導出。

3 NorFlash功能驗證系統測試試驗與數據分析

3.1 S29GL系列功能驗證

本文選用S29GL系列芯片作為測試對象，具體選型為：S29GL128P10TFI101、S29GL256P10TFI101、S29GL512P10TFI102、S29GL01G13TFI102容量分別為16 MB、32 MB、64 MB、128 MB。測試系統搭建如圖3所示，上位機軟件通過USB轉RS485連接線與NorFlash 功能驗證裝置進行硬件連接，通過USB轉type-B連接線與示波器、高精度臺式電源進行連接。

圖3 NorFlash功能驗證系統實驗實物圖

從圖2可知，對于S29GL芯片系列來說，功能驗證包括：讀、寫、擦除三部分，具體的功能設置項涵蓋：讀ID、讀全1、寫全0、讀全0、片擦除、寫棋盤、讀棋盤等功能。

圖4為S29GL128P芯片的功能測試截圖，展示了讀取設備ID、讀取芯片及制造商ID、讀取前128個扇區數據功能。

圖4 讀制造商ID和設備ID

傳統ATE機臺對于NorFlash存儲器的功能測試而言，由于需要對其大量的指令重復進行編寫，重復進行讀取，使得單片測試時間幾乎都在30～40分鐘。由于FSMC內部集成對NorFlash讀、寫操作不同的時序控制寄存器無需重復編寫指令、時序文件，由圖5～6可以看出，向前128個扇區編程得時間為44 103毫秒，約等于0.74分鐘，并且在上位機軟件窗口能夠打印出讀取編程的數據，以驗證是否編寫成功。

圖5 向指定扇區編程

圖6為整片芯片擦除，由圖6可以看到，由于系統內部集成MATCH算法，可以實時的對芯片的BUSY輸出信號進行判斷，能夠及時的控制擦除操作，因此整片擦除時間為105 614毫秒，約等于1.8分鐘，使用傳統ATE機臺測試，無法實時對擦除時間進行動態監控，其整片擦除約為3～4分鐘。擦除完成后再向芯片讀取數據，以驗證是否擦寫完成。

圖6 整片擦除

對于存儲器功能驗證而言，相較于ATE機臺，本系統通過使用FSMC技術，減少了對于數據的寫入和讀取時大量重復的指令輸入，減小芯片功能驗證的時間，由原來的ATE機臺單片測試30～40分鐘降低為10分鐘以內，極大的縮小了測試等待時間；同時，本系統內部測試算法MATCH則將原來的ATE機臺片擦除時間由3～4分鐘降低至1.8分鐘。

3.2 關鍵參數測試分析

選取VOL、VOH、VIL、VIH、ICC1、ICC4、tACC作為芯片關鍵測試驗證參數，直流參數每個容量選取3個器件，取平均后進行分析比對。交流參數器件后綴不同，器件的讀寫速度不同，因此交流參數為同容量3個器件互相對比分析。其中，VOH、VOL為器件的輸出高、低電平，可以檢測器件在指定電流條件下輸出電壓的能力，VIH、VIL為器件的輸入高、低電平，用于判斷芯片輸入高電平和低電平的最低限制數值，ICC1、ICC4為器件的工作電流(動態電流)和靜態電流，反應器件在工作和不工作情況下的功耗，tACC為器件地址到輸出延遲時間。

3.2.1 VOL測試

測試條件為：選取VIO=VCC =3.0 V，IOL = 100 μA。

3.2.2 VOH測試

測試條件為：選取VIO=VCC =3.0 V，IOH=-100 μA。

3.2.3 VIL測試

選取VIO=VCC=3.0 V，根據測試原理，測試參數應該具有覆蓋性，當測量VIL值時，應該選取手冊規定值的最大值作為測試卡限的最小值。

根據測試規范VIH和VIL測試值的卡限應該在VIH的最小值與VIL的最大值之間，四型待測芯片測試得到的實際VIL的數據符合芯片手冊的參數卡限值，說明該系統方案對VIL的測試符合測試規范。

3.2.4 VIH測試

選取VIO=VCC=3.0 V，根據測試原理，測試參數應該具有覆蓋性，當測量VIH值時，應該選取手冊規定值的最小值作為測試卡限的最大值。

四型待測芯片測試得到的實際VIH的數據符合芯片手冊的參數卡限值，說明該系統方案對VIH的測試符合測試規范。

此處對VIH和VIL的測試是通過采集VOH和VOL的值進行判斷的，具體過程為：以VIH測試為例，通過編寫一個FOR循環，設置一個VIH的起始值，然后按照一定的步長動態增加VIH的數值，然后判斷VOH的數值是否符合高電平的卡限值，FOR循環起始執行過程使得輸出為低電平，當VIH的數值到達一定值后，芯片輸出VOH符合高電平的數值，此時的VIH的值即為測試值，提取此時輸入高電平的值VIH，然后上位機判斷此時的VIH是否在芯片手冊規定的卡限內，如果在那么此時測試數據正確，反之不正確。同理，VIL的測試過程與VIH相反，本文不再贅述。

3.2.5 ICC1測試條件為：CE#=VIL，OE#=VIH，VCC=3.6 V

由表7可知，四型被測芯片的工作電流ICC1隨著工作頻率的增加而增加，各系列的ICC1均在器件手冊給的典型值上下浮動。總體而言，四片待測芯片測試得到的實際ICC1的數據符合芯片手冊的參數卡限值，說明該系統方案對工作電流ICC1的測試符合測試規范。

表7 ICC1測試結果

此處，被測器件的動態電流測試過程中，一直會持續給芯片的地址進行賦值操作，會持續對數據引腳進行輸出電平判斷工作，既讓“測試向量”持續運行，其目的在于是芯片處于工作狀態，進而讓測試的電流為工作電流。

3.2.6 ICC4

測試條件為：CE#、RESET#=3.6 V±0.3 V，OE#=VIH，VCC=3.6 V，VIL=VSS+0.3 V/-0.1 V。

由表8可知，四型待測芯片測試得到的實際靜態電流ICC4的數據符合芯片手冊的參數卡限值，說明該系統方案對靜態電流ICC4的測試符合測試規范。

表8 ICC4測試結果

此處，被測器件的靜態電流測試過程中，不會持續給芯片的地址進行賦值操作，不會持續對數據引腳進行輸出電平判斷工作，既讓“測試向量”持續不運行，其目的在于是芯片處于非工作狀態，進而讓測試的電流為靜態電流。

3.2.7 tACC

S29GL128P10TFI01：將三片器件分別命名為A-S29GL128P10TFI01、B-S29GL128P10-TFI01、C-S29GL128P10TFI01。測試條件為VIO = VCC = 3.0 V。

S29GL256P10TFI01：將三片器件分別命名為：A- S29GL256P10TFI01、B- S29GL256P10TFI01、C-S29GL256 P10TFI01。測試條件為VIO = VCC = 3.0 V。

S29GL512P11TFI02：將三片器件分別命名為A- S29GL512P11TFI02、B- S29GL512P11TF -I02、C- S29GL256P -11TFI02。測試條件為VIO = VCC = 3.0 V。

S29GL01GP13TFI02：將三片器件分別命名為A- S29GL01GP13TFI02、B- S29GL01GP -13TFI02、C-S29GL01GP13TFI02。測試條件為VIO = VCC = 3.0 V。

由表9、表10、表11、表12可知，四型待測芯片測試得到的地址到輸出延遲時間tACC的數據符合芯片手冊的參數卡限值，說明該系統方案對地址到輸出延遲時間tACC的測試符合測試規范。

表9 S29GL128P系列tACC測試結果

表10 S29GL256P系列tACC測試結果

表11 S29GL512P系列tACC測試結果

表12 S29GL01GP系列tACC測試結果

3.2.8 片擦除

由表13可知將每個容量3片芯片片擦除后取平均，最終測試值均略高于典型值，遠小于最大值，符合測試規范。

表13 片擦除測試結果

4 結束語

本文介紹了基于STM32F407IGT6作為核心主控采用FSMC拓展技術實現NorFlash全地址動態訪問、時序靈活配置、向量自動生成進而完成功能驗證的全過程，解決了基于傳統ATE機臺存在的測試機臺向量深度不足、全地址存儲空間覆蓋困難、測試時序編寫復雜的問題，同時也增加相應的外接源表程控方法可實現部分交直流參數測試，該系統邏輯功能判斷準確，數據采集高效且精準，測試系統操作簡單。

并對S29GL系列不同容量的芯片進行讀、寫、擦除等全功能驗證，完成VOL、VOH、VIL、VIH、tACC等交直流參數測試，完成片擦除工作，驗證了NorFlash功能驗證系統的可靠性，為閃存存儲器測試與驗證提供一種新的經濟、高效、可定制的測試方案。