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一種寬輸入隔離式DC/DC 變換器設(shè)計(jì)

2023-08-14 02:21:26磊,胡進(jìn)
通信電源技術(shù) 2023年10期
關(guān)鍵詞:變壓器信號(hào)設(shè)計(jì)

吳 磊,胡 進(jìn)

(中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所,安徽 合肥 230088)

1 隔離式DC/DC 變換器的設(shè)計(jì)指標(biāo)

隨著國產(chǎn)裝備的發(fā)展,整機(jī)系統(tǒng)對(duì)直流/直流(Direct Current/ Direct Current,DC/DC)變換器的需求越來越多。在DC/DC 變換器領(lǐng)域,常用的中低壓輸入直流母線電壓有12 V、24 V、28 V、42 V 等幾種,很多系統(tǒng)通常會(huì)出現(xiàn)多種直流母線電壓共存的情況,從而給系統(tǒng)選型帶來諸多不便,用戶迫切需求一種寬輸入電壓范圍DC/DC 變換器產(chǎn)品,可以滿足其對(duì)上述不同輸入母線電壓的需求,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)器件選型標(biāo)準(zhǔn)化。針對(duì)上述需求,設(shè)計(jì)了一款輸入電壓8 ~50 V,15 V/2 A輸出的隔離式DC/DC 變換器,其設(shè)計(jì)指標(biāo)如表1 所示。

表1 隔離式DC/DC 變換器的設(shè)計(jì)指標(biāo)

2 電路方案及工作原理

2.1 電路方案

電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是DC/DC 電源的基礎(chǔ),是DC/DC電源設(shè)計(jì)的具體實(shí)現(xiàn)形式[1]。對(duì)于寬輸入隔離式DC/DC 變換器,常用的設(shè)計(jì)方案有2 種,一種是級(jí)聯(lián)式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),另一種是單端反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。級(jí)聯(lián)式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,電路效率實(shí)現(xiàn)較高,缺點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜,不利于小型化;單端反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡單,易于小型化,缺點(diǎn)是電路控制相對(duì)復(fù)雜,且效率較低。由于電源對(duì)產(chǎn)品尺寸要求較高,設(shè)計(jì)中采用了單端反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

開關(guān)電源常見的反饋方式有光隔離反饋和磁隔離反饋2 種[2]。其中,光隔離反饋依靠光耦將輸出電壓誤差信號(hào)從主變壓器的副邊隔離反饋到變壓器的原邊,磁隔離反饋利用脈沖變壓器將輸出電壓的誤差信號(hào)從主變壓器的副邊反饋到原邊。考慮光耦的電流傳輸比在外部環(huán)境惡劣,容易產(chǎn)生變化,影響DC/DC變換器的性能,本設(shè)計(jì)最終選擇磁隔離反饋的方式。因此,本設(shè)計(jì)最終采用的電路方案為“單端反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)+磁隔離反饋”,設(shè)計(jì)方案框圖如圖1 所示。

圖1 設(shè)計(jì)方案框圖

2.2 工作原理

如圖1 所示,輸入的直流電壓經(jīng)輸入濾波,由輔助電源提供脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulator,PWM)脈寬調(diào)制器的工作電壓。PWM 脈寬調(diào)制器產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào),驅(qū)動(dòng)功率MOS 管,將輸入直流電壓變?yōu)楦哳l功率脈沖,該脈沖經(jīng)過變壓器隔離傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè),然后經(jīng)整流、濾波電路后得到所需要的直流電壓。該直流電壓經(jīng)取樣比較電路、誤差放大電路和磁隔離反饋電路將控制信號(hào)傳送到PWM 控制器,由該P(yáng)WM 控制器控制功率變換電路輸出的功率脈沖寬度,達(dá)到輸出電壓穩(wěn)定的目的。

3 電路設(shè)計(jì)

3.1 主功率電路的設(shè)計(jì)

3.1.1 變壓器的設(shè)計(jì)

(1)磁芯的選擇。根據(jù)產(chǎn)品實(shí)際設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),磁芯的選擇需要結(jié)合產(chǎn)品的外形尺寸和效率等因素,由于本設(shè)計(jì)采用的是單端反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為了防止變壓器磁芯飽和,必須選擇帶氣隙的磁芯。經(jīng)過綜合考慮,根據(jù)產(chǎn)品的輸出功率,利用面積乘積(Area Product,AP)法可以選擇東磁公司生產(chǎn)的DMR95 T/RM6B70型磁芯[3]。

(2)變壓器的原副邊比值k。設(shè)電源的工作頻率f=350 kHz,取其最大占空比為Dmax=0.6,則電源的工作周期為T=1/f=2.8 μs,Tonmax=1.7 μs,為確保磁芯不會(huì)偏離其磁滯回線(上、下方向),變壓器導(dǎo)通期間伏秒數(shù)乘積必須與復(fù)位伏秒數(shù)乘積相等。假設(shè)開關(guān)管與整流管的導(dǎo)通壓降都是1 V,則根據(jù)公式為

式中:Uinmin為最小輸入電壓,本設(shè)計(jì)中為8 V;Uo為輸出電壓,本設(shè)計(jì)中為15 V;k為變壓器原邊與副邊的比值。

將已知的值代入式(1)得:k=0.71,取k=0.7。

(3)變壓器的原邊電感Lp。因?yàn)楸咀儞Q器工作在連續(xù)導(dǎo)通模式(Continuous Conduction Mode,CCM),則輸出電流很小時(shí),也應(yīng)有一個(gè)臨界連續(xù)狀態(tài),設(shè)Io=0.1Io,根據(jù)能量關(guān)系

式中:Lp為原邊電感量最小值;Ip為原邊峰值電流;Pomin為最小輸出功率,本設(shè)計(jì)中取3 W,即滿載輸出功率1/10;η1為最小輸出功率時(shí)電源的效率,取此時(shí)效率為0.5。

由式(2)、式(3)得

將已知值代入式(4)得,Lp=5.5 μH。

(4)原邊峰值電流Ip1。其計(jì)算公式為

式中:Pomax為最大輸出功率,本設(shè)計(jì)為30 W;Ip為原邊電感量,其值為5.5 μH;η2為輸入最低電壓,輸出滿載功率時(shí)電源的效率,取此時(shí)效率為0.82。

將已知值代入得Ip1=8.8 A。

(5)初級(jí)電流的有效值Irms1。CCM 模式時(shí),原邊的磁化電流為

將已知值代入得Irms1=5.9 A。

取導(dǎo)線的電流密度為20 A/mm2,則原邊導(dǎo)線截面積為0.295 mm2,考慮導(dǎo)線的集膚效應(yīng),本電路選擇由線徑為0.35 mm 的漆包線并繞而成,易得到單股線徑為0.35 mm 的漆包線的面積為0.1 mm2,則初級(jí)繞組的根數(shù)為0.295/0.1=2.95 根,取整數(shù)為3 根。

(6)次級(jí)電流的峰值Ip2。副邊磁化電流為

則Ip2=5.9 A。

(7)次級(jí)電流的有效值。次級(jí)電流的有效值Irms2為

將已知值代入式(10)得Irms2=3.2 A。

取導(dǎo)線的電流密度為20 A/mm2,可計(jì)算出副邊導(dǎo)線截面積為0.16 mm2,考慮導(dǎo)線的集膚效應(yīng),本電路選擇由線徑為0.35 mm 的漆包線并繞而成,易得到單股線徑為0.35 mm 的漆包線的面積為0.1 mm2,則初級(jí)繞組的根數(shù)為0.16/0.1=1.6 根,取整數(shù)為2 根。

3.1.2 功率開關(guān)管的選擇

功率變換設(shè)計(jì)的重要部分是功率開關(guān)管的選擇。常用的功率開關(guān)管一般為N 溝MOS 管,由于本設(shè)計(jì)的功率較大,當(dāng)輸入電壓在8 V 輸入時(shí),MOS 管上流過的電流很大,為了減小MOS 管的導(dǎo)通損耗,本設(shè)計(jì)采用了2 個(gè)MOS 管并聯(lián)的形式。MOS 管連接如圖2 所示。

圖2 MOS 管連接圖

(1)MOS 管承受的電壓應(yīng)力。其計(jì)算公式為

式中:Uinmax為電源最大輸入電壓,取50 V;Uo為電源輸出電壓,取15 V;k為變壓器原邊與副邊匝比,前面已計(jì)算得0.7。

(2)MOS 管承受的電流應(yīng)力。因?yàn)殚_關(guān)管承受的電流應(yīng)力If是流過變壓器原邊繞組上的階梯形斜坡電流等效成的等效平頂初級(jí)電流脈沖的幅值[4]。其計(jì)算公式為

式中:Pomax為電源最大輸出功率,取30 W;η為電源低端輸入時(shí)的滿載效率,取0.82;Uinmin為電源最小輸入電壓,取8 V;δmax為電源的最大占空比,取0.6。

將上述已知值代入式(11)、式(12)得到,Ur≥80 V,If=7.6 A,考慮降額設(shè)計(jì),最終本項(xiàng)目選擇2 個(gè)150 V/20 A 的功率MOS 管并聯(lián)。

3.1.3 整流濾波電路設(shè)計(jì)

由于反激電路的變壓器相當(dāng)于輸出電感的作用,輸出整流濾波電路不需輸出電感與續(xù)流二極管,如圖3 所示。但是由于本設(shè)計(jì)輸出電流較大,為了降低整流管的導(dǎo)通壓降,本設(shè)計(jì)采用了2 個(gè)肖特基管并聯(lián)使用的模式。

圖3 輸出整流濾波電路

(1)整流管承受的電壓應(yīng)力。整流器應(yīng)能承受的最大反向電壓Ur的計(jì)算公式為

式中:Uinmax為電源最大輸入電壓,取50 V;Uo為電源輸出電壓,取15 V;k為變壓器原邊與副邊匝比,前面已計(jì)算得0.7。

(2)整流管承受的電流應(yīng)力。因?yàn)檎鞴艹惺艿碾娏鲬?yīng)力Ir是流過變壓器副邊繞組上的階梯斜坡電流,等效成的同脈寬的平頂次級(jí)電流脈沖的幅值,其計(jì)算公式為

式中:IOmax為電源最大輸出電流,取2 A;δmax為電源的最大占空比,取0.6。

將上述已知值代入式(13)和式(14),計(jì)算得到Ur=110 V,Ir=5 A,考慮降額設(shè)計(jì),最終本項(xiàng)目選擇150 V/10 A 的肖特基二極管作為整流管。

(3)輸出濾波電容的選擇。輸出濾波所需的最小電容計(jì)算公式為

式中:Iomax為電源最大輸出電流,取2 A;δmin為電源的最大占空比,取0.1;Urip為期望輸出電壓紋波峰峰值,取50 mV;fS為開關(guān)頻率,取350 kHz。

將已知值代入式(15),得到Comin=91μF,最終經(jīng)過模擬試驗(yàn)調(diào)試確定,輸出電容的值取3 個(gè)47μF/25 V 的電容并聯(lián)。

3.2 控制電路的設(shè)計(jì)

3.2.1 PWM 控制芯片的選擇

本設(shè)計(jì)采用PWM 控制方式,如果選擇常用的控制芯片作為主控芯片,最低啟動(dòng)電壓一般在8 V 左右,當(dāng)電源的輸入電壓低至8 V 時(shí),如果考慮線壓降,這些控制片可能無法正常啟動(dòng)。經(jīng)過綜合考慮,本設(shè)計(jì)最終選擇了TI 公司的UCCX803 作為主控制芯片,具有如下特點(diǎn):

(1)啟動(dòng)電壓低,供電電壓只要超過4.1 V,芯片就能正常啟動(dòng)工作;

(2)啟動(dòng)電流和靜態(tài)工作電流小,啟動(dòng)電流只有0.1 mA,靜態(tài)工作電流只有0.5 mA;

(3)輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu),可以提供1 A 的驅(qū)動(dòng)能力。

這些特點(diǎn)完全可以滿足8 ~50 V 輸入的DC/DC變換器的設(shè)計(jì)需求。

3.2.2 反饋控制電路的設(shè)計(jì)

磁隔離反饋電路相較于傳統(tǒng)光耦反饋電路,具有更高的可靠性[5]。由于本設(shè)計(jì)是針對(duì)高可靠供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的,對(duì)可靠性要求很高,采用磁隔離反饋的形式,具體電路如4 所示。

如圖4 所示,在隔離變壓器的T1的初級(jí)側(cè),利用PWM 控制芯片的振蕩鋸齒波與基準(zhǔn)電壓通過比較器N1比較得到一個(gè)方波控制信號(hào),通過該方波信號(hào)控制由R5、R6、V2構(gòu)成的電流源,同時(shí)利用該電流源給隔離變壓器T1進(jìn)行逐周期充電。這樣在隔離變壓器的初級(jí)也能得到一個(gè)頻率與PWM 振蕩信號(hào)相同的方波信號(hào),該方波信號(hào)被感應(yīng)到隔離變壓器的次級(jí),作為載波信號(hào),電源的輸出電壓經(jīng)過電阻R11和R12取樣,然后與N1內(nèi)部基準(zhǔn)比較放大以后得到一個(gè)誤差信號(hào)。該誤差信號(hào)利用前面載波信號(hào)進(jìn)行幅度調(diào)制后,形成一個(gè)脈沖信號(hào),該信號(hào)被隔離變壓器傳送到初級(jí),經(jīng)過二極管V1和C1構(gòu)成的解調(diào)電路變換為直流信號(hào),該直流信號(hào)經(jīng)過R3和R4構(gòu)成的直流偏置電路后,連接到PWM 反饋端,使環(huán)路受控。

圖4 磁隔離反饋回路

4 測試結(jié)果與關(guān)鍵波形

表2 給出了本設(shè)計(jì)實(shí)測指標(biāo)與設(shè)計(jì)目標(biāo)的對(duì)比結(jié)果,以及產(chǎn)品各關(guān)鍵點(diǎn)波形如圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10 所示,從測試結(jié)果可以看出,本設(shè)計(jì)實(shí)測指標(biāo)良好,可以滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)的要求。

表2 實(shí)測指標(biāo)與設(shè)計(jì)目標(biāo)比較

圖5 Uin=8 V 時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形與MOS 漏極波形

圖6 Uin=28 V 時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形與MOS 漏極波形

圖7 Uin=50 V 時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形與MOS 漏極波形

圖8 輸出電壓啟動(dòng)波形

圖9 輸出負(fù)載瞬變波形(半載→滿載)

圖10 輸出負(fù)載瞬變波形(滿載→半載)

5 結(jié) 論

文章介紹了一種8 ~50 V 輸入的寬范圍DC/DC變換器的設(shè)計(jì),并對(duì)其電路方案和設(shè)計(jì)過程進(jìn)行了詳細(xì)闡述,給出了測試結(jié)果和相關(guān)波形,測試結(jié)果達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)。

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