分析集成電路電磁兼容測(cè)試PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)及應(yīng)用

岳錕，李文杰

（無錫中微愛芯電子有限公司，江蘇無錫， 214000）

0 引言

近年來集成電路的研制逐漸向著體積減小、響應(yīng)速度加快以及工作頻率提高的方向發(fā)展，雖然技術(shù)水平的提升，使得芯片電磁發(fā)射不斷增加，但同時(shí)電路間受到干擾和影響的風(fēng)險(xiǎn)也在不斷增加，為保障芯片可靠性，對(duì)于電磁兼容測(cè)試的精準(zhǔn)度要求也在不斷提高。而PCB設(shè)計(jì)作為集成電路電磁兼容測(cè)試當(dāng)中的重要內(nèi)容，因此，加強(qiáng)對(duì)其設(shè)計(jì)要點(diǎn)及應(yīng)用的研究是十分有必要的。

1 現(xiàn)代集成電路發(fā)展對(duì)于電磁兼容的影響

集成電路對(duì)于電磁兼容而言，不僅是干擾源，同時(shí)也是被干擾的對(duì)象，隨著近年來集成電路的不斷發(fā)展，導(dǎo)致器件尺寸逐漸變小，集成電路復(fù)雜程度呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，封裝內(nèi)的集成度以及數(shù)據(jù)交換速率都在不斷提升，更高的頻率、更快的響應(yīng)速度以及耕地的電源電壓都極大地威脅著集成電路的可靠性，因此提高電磁兼容性能就成為當(dāng)前研究工作的重點(diǎn)內(nèi)容，尤其是在測(cè)試方面的研究，正在逐漸深入。現(xiàn)代集成電路發(fā)展對(duì)于電磁兼容的影響主要體現(xiàn)在電磁發(fā)射以及電磁敏感度兩個(gè)方面。

■1.1 電磁發(fā)射方面

集成電路的電磁傳導(dǎo)發(fā)射主要受到動(dòng)態(tài)電流消耗以及集成電路內(nèi)部互連和封裝引腳提供的濾波兩個(gè)參數(shù)的影響。其中前者與集成電路內(nèi)部行為和I/O開關(guān)性能有著密切的關(guān)系，而后者則主要與電源和地線相關(guān)。除此之外，輻射發(fā)射也會(huì)受到互連線長(zhǎng)度，以及外部去耦電容器之間距離的影響，互連長(zhǎng)度的縮短影響著信號(hào)完整性的衰減情況，以及輻射發(fā)射問題，與此同時(shí)，互連長(zhǎng)度的減小也能夠有效降低近場(chǎng)或者基板耦合的風(fēng)險(xiǎn)。……