高熱驚厥患兒額顳葉區腦電圖特點與癲癇的發生及神經發育不良的關系*

師海玲 陳紅敏 賈 靜

河南省兒童醫院 鄭州兒童醫院 鄭州大學附屬兒童醫院 鄭州市兒童感染與免疫重點實驗室，河南省鄭州市 450018

小兒高熱驚厥(Febrile Seizure，FS)是目前臨床中常見小兒驚厥性疾病[1]，有研究結果顯示，FS的臨床中持續時間低于10～15min時，潛在的癲癇發作及智能損害與FS無明顯關系[2]。但也有學者指出，臨床中FS持續時間低于10～15min患兒仍可能發展為反復發作或癲癇，甚至可能導致患兒出現性格異常、智能低下等后遺癥[3]。臨床中若患兒出現熱性驚厥后不及時進行干預和治療，則可能導致患兒病情惡化出現癲癇[4-5]。腦電圖(Electroencephalogram，EEG)是臨床中常見的FS發作后常規檢查項目，得到兒科臨床醫師的共識[6]。雖然美國FS臨床工作指南中不建議使用EEG對單純性FS患兒進行常規檢查，但也有學者認為FS患兒出現癲癇后會出現腦部額葉區EEG異常等[7]。因此熱性驚厥后患兒EEG檢查分析探討EEG異常的熱性驚厥與癲癇發生的關系具有十分重要的意義[8]。因而本研究以我院收治的高熱驚厥患兒作為研究對象，探討高熱驚厥患兒額顳葉區腦電圖特點與癲癇的發生及神經發育不良的關系。

1 資料與方法

1.1 一般資料 經我院倫理委員會審議并批準，將我院2017年1月—2019年12月間收治的100例符合入組標準的FS患兒作為研究對象，將所有患兒分為EEG正常組(n=63)和EEG異常組(n=37)。選擇標準：(1)符合熱性驚厥相關的診斷標準[9]；(2)所有患兒均采取EEG掃描檢查；(3)確診高熱驚厥；(4)符合驚厥判定標準[10]；(5)患兒家屬知情并簽署知情同意書。排除標準：(1)存系統性代謝性紊亂的患兒；(2)合并中樞系統感染患兒；(3)合并嚴重肝腎功能障礙患兒；(4)合并有電解質紊亂患兒；(5)臨床資料缺失或主動申請退出本研究。

1.2 方法 所有患者均在入組后住院期間FS后1周內采用腦電圖儀對患者進行EEG檢查1次，16導鍍銀盤狀電極依照10-20國際系統進行安放和記錄，參考電極為雙側耳電極，電極使用火棉膠或電極膏涂抹并固定，對受試者睡眠狀態及事件進行詳細標記和記錄，采用多種導聯方式對數據進行轉換和分析。檢查時間至少為1個完整睡眠周期，時間4～6h，所有操作和分析均由兒科EEG醫師獨立完成。EEG異常的特征分類主要包括背景活動異常(兩半球間不對稱、低電壓、電靜息、中央區正相尖波、暴發—抑制、彌漫性δ波等)、陣發性異常(多灶性發作期圖形、局灶性發作期圖形、低電壓背景低頻放電、單一節律發放)、睡眠結構異常(睡眠結構改變、睡眠周期異常、成熟性異常、腦電活動成熟延遲)。對患兒進行為期1年的隨訪，詳細記錄癲癇發作情況，并在隨訪1年時行CT掃描檢查，依照三腦室寬度、哈氏值、側腦室體部指數、腦室指數、前角指數、側腦室寬度指數等參數，參照《中國修訂韋氏兒童智力量表手冊》[11]認知功能評定標準對患兒的神經發育功能進行評估。

2 結果

2.1 EEG正常組和EEG異常組臨床資料比較 EEG正常組和EEG異常組兩組患兒性別、熱性驚厥持續時間、熱性驚厥再發次數、熱性驚厥再發、驚厥類型、熱性驚厥家族病史、發病年齡、癲癇家族病史例等臨床資料無明顯差異(P>0.05)，兩組受試者臨床資料具有可比性。見表1。

2.2 癲癇患兒EEG異常發生情況調查結果 癲癇組FS患兒EEG異常發生率明顯高于無癲癇組，差異有統計學意義(P<0.05)，見表2。

表2 癲癇患兒EEG異常發生情況調查結果

2.3 神經發育不良EEG異常發生情況調查結果 神經發育不良組 EEG異常發生率明顯高于神經發育正常組，差異有統計學意義(P<0.05)，見表3。

表3 神經發育不良EEG異常發生情況調查結果

2.4 EEG異常與FS患兒癲癇和神經發育不良關系 EEG異常與FS患兒癲癇和神經發育不良均存顯著正相關關系(r=0.732、0.691，P=0.031、0.023<0.05)。

2.5 EEG異常影響癲癇的發生及神經發育不良的作用 EEG異常是影響FS患兒癲癇和神經發育不良發生的獨立性威脅因素(P<0.05)，見表4。

表4 EEG異常影響癲癇的發生及神經發育不良的作用

3 討論

FS是目前臨床中較為常見的小兒時期驚厥性疾病，其臨床研究發現FS患兒極可能導致出現無熱驚厥或癲癇[12]。FS屬于常見的小兒驚厥類型之一，多數FS患兒均具較好預后，一般情況下FS主要出現在上呼吸道感染或其他類型感染性疾病初期，且FS臨床發病機制尚未揭示[13]。目前相關研究顯示，感染、遺傳、發熱、年齡因素均是導致FS發生和發展的重要因素[14]。FS患兒主要臨床表現為突發全身性或局限性肌群強直性或陣攣性抽搐，患者常伴隨出現意識障礙，但一般情況下發作時間較短，且發病前可能伴隨出現咳痰、發熱、咳嗽等呼吸道癥狀或急性感染癥狀[15]。

臨床上FS患兒發作后常采用血生化、腦電圖等檢查方案分析，并盡可能排除導致驚厥發生的疾病，其中EEG是最為常見也十分準確的診斷癲癇的方法，并對指導臨床中抗癲癇藥的應用具有明確的指導意義[16]。有研究指出，FS可能導致長期增強腦內海馬神經元興奮性，導致海馬硬化、損傷、萎縮導致患者出現癲癇[17]。研究資料顯示，FS患兒發作后EEG異常率波動性大，且目前臨床中并未將EEG作為單純性FS發作后常規檢查方法[18]。雖然目前臨床中EEG異常與癲癇出現的相關性存較大爭議，但EEG異常與患兒長期預后質量的關系也未見報道。研究表明，癲癇樣放電和局灶性慢波均是FS患兒出現癲癇的主要威脅因素，其中額葉區EEG異常是患兒臨床長期預后出現不良事件的重要威脅因素之一[19]。

本組研究結果顯示，癲癇組FS患兒EEG異常發生率明顯高于無癲癇組，神經發育不良組FS患兒EEG異常發生率明顯高于神經發育正常組。進一步分析FS患兒EEG異常與癲癇和神經發育不良的關系發現，EEG異常與FS患兒癲癇和神經發育不良均存顯著正相關關系，且多因素分析發現，EEG異常是影響FS患兒癲癇和神經發育不良發生的獨立性威脅因素。額顳葉區EEG異常多提示FS患兒出現腦損傷，且可能伴隨出現急性海馬損傷，導致海馬萎縮，進而引起癲癇發作或神經發育不良。此外，動物實驗研究結果表明，EEG異常的FS大鼠模型其腦內神經元減少情況并不明顯，但海馬區神經元超微結構細胞皺縮，嗜銀深染且電子密度增高，因而可能出現急性神經元損傷，導致長期增強海馬神經元興奮性，進而誘發癲癇發作和神經發育不良。

綜上所述，高熱驚厥患兒額顳葉區腦電圖異常與癲癇和神經發育不良均存顯著正相關關系，且是影響FS患兒癲癇和神經發育不良發生的獨立性威脅因素。但本研究隨訪周期較短，且未對患兒出現癲癇及神經發育不良的深入機制進行系統性探討，有待后續深入追蹤和分析。