慈成剛,臧杰超
(黔南民族師范學(xué)院,貴州省計(jì)算催化化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,貴州 都勻 558000)
新型有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)材料的研發(fā)一直是化學(xué)和材料領(lǐng)域的重要挑戰(zhàn)之一[1-2]。紫外-可見光譜和磷光發(fā)射光譜在OLED性能評(píng)價(jià)中扮演了重要角色,在分子層面對其研究有助于調(diào)控其發(fā)光性能。前人前期研究發(fā)現(xiàn),具有d6電子組態(tài)的過渡金屬元素在光催化,電催化和OLED領(lǐng)域顯示了優(yōu)異的性能[3-5]。其中,二亞胺羰基錸配合物作為典型的代表,顯示出了優(yōu)秀的三重態(tài)發(fā)射性能,成為重要的OLED材料和CO2光還原催化劑之一。其中,F(xiàn)irn等[6]合成了一組典型的二亞胺羰基錸配合物[Re(CO)3Cl(Cl2phen)],(簡寫為Re1)和[Re(CO)3(py)(Cl2phen)]+,(簡寫為Re2)(圖1),并測定了二者的紅外光譜,紫外-可見光譜和磷光發(fā)射光譜。但因受限于電子的快速躍遷,無法探測其前線分子軌道,發(fā)光機(jī)理和分子振動(dòng)模式。而這些信息對深入研究其OLED性能和CO2光催化還原性能都具有十分重要的意義。本文采用密度泛函理論(DFT),含時(shí)密度泛函理論(TDDFT)方法對Re1和Re2的幾何結(jié)構(gòu),前線分子軌道,紫外-可見光譜,磷光發(fā)射光譜和紅外光譜進(jìn)行模擬,給出其電子躍遷機(jī)理和分子振動(dòng)模式,并對取代基吡啶和Cl-對上述性質(zhì)的影響進(jìn)行討論。在此基礎(chǔ)上,通過重組能的計(jì)算,給出Re1和Re2的OLED性能評(píng)價(jià)。這些計(jì)算將對未來系列二亞胺羰基錸配合物的實(shí)驗(yàn)合成,OLED性能和CO2光催化還原性能調(diào)控給出可靠的重要信息。

圖1 計(jì)算的[Re(CO)3Cl(Cl2phen)],(Re1)和 [Re(CO)3(py)(Cl2phen)]+(Re2)結(jié)構(gòu)Fig.1 Calculated structure of Re1 and Re2
本文所有計(jì)算均采用Gaussian 16 C.01程序包[7]。幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化采用PBE0雜化泛函[8-9]。對Re原子采用SDDALL基組,對C,H,N,O和Cl等非金屬原子采用6-311G**基組[10]。對所有優(yōu)化的結(jié)構(gòu)都進(jìn)行頻率計(jì)算,用來確定極小能量結(jié)構(gòu)。所有計(jì)算均采用嚴(yán)格的收斂標(biāo)準(zhǔn)(10-12au),并均采用IEF-PCM溶劑化模型,乙腈為溶劑[11]。采用GaussSum 3.0軟件繪制紫外光譜。采用GaussView6.1.1軟件繪制紅外光譜。
采用密度泛函理論(DFT)方法,在乙腈溶劑中對Re1和Re2的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行全優(yōu)化,結(jié)果列于表1所示。可以看出在優(yōu)化的Re1和Re2中,Re-C(O)鍵平均距離為1.93 ?,Re-Cl鍵和Re-N(吡啶)鍵距離分別為2.52 ?和2.24 ?。相鄰軸向的C=O基團(tuán)之間的鍵角在88.8°~92.6°之間,表明C=O基團(tuán)和Re之間呈現(xiàn)線性配位。因此,Re金屬中心顯示出一種六配位的扭曲八面體結(jié)構(gòu)。因?yàn)閷?shí)驗(yàn)上未提供XRD的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù),我們采用對比其他結(jié)構(gòu)相似的二亞胺羰基錸配合物的XRD數(shù)據(jù)[12]。結(jié)果顯示計(jì)算的Re1和Re2的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)值很接近。

表1 PBE0泛函計(jì)算的Re1和Re2的幾何結(jié)構(gòu)Table 1 Selected bond lengths and angles for species Re1 and Re2 by means of PBE0 functional
為了更好的理解其OLED性能和催化活性起源,基于優(yōu)化的幾何結(jié)構(gòu),計(jì)算了Re1和Re2的前線分子軌道(FMO)。并繪制于圖2。

圖2 [Re(CO)3Cl(Cl2phen)](Re1)和 [Re(CO)3(py)(Cl2phen)]+(Re2)的前線分子軌道Fig.2 Frontier molecular orbital(FMO) of Re1 and Re2
圖2顯示Re1和Re2的最低空軌道(LUMO)主要來自于二亞胺配體的π*反鍵軌道,而最高占據(jù)軌道(HOMO)均主要來自金屬Re的3d軌道和C=O基團(tuán)的2p軌道的貢獻(xiàn),并顯示出明顯的σ*(Re-Cl)和σ*(Re-N)反鍵軌道特征。可以預(yù)測,在紫外-可見光的激發(fā)下,金屬Re的電子被激發(fā)到二亞胺配體,形成空穴,誘導(dǎo)外界電子進(jìn)入該σ*反鍵軌道,這將有利于配體Cl-或吡啶的解離,形成催化反應(yīng)活性中心,推動(dòng)后續(xù)的CO2配位和還原反應(yīng)。
根據(jù)Frank-Condon原理,基于PBE0泛函優(yōu)化的基態(tài)幾何結(jié)構(gòu),利用含時(shí)密度泛函理論(TDDFT)方法,在乙腈溶劑中,對前30個(gè)電子激發(fā)態(tài)進(jìn)行計(jì)算,并將得到紫外-可見光譜和躍遷特征繪制于圖3。從圖3可以看出,PBE0泛函模擬的紫外-可見光譜與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合很好,這也證實(shí)了本文計(jì)算方法的可靠性。模擬的Re1紫外-可見光譜主要顯示出3個(gè)最大吸收峰,分別位于228 nm,257 nm和380 nm,與實(shí)驗(yàn)值213 nm,269 nm和384 nm符合很好。其躍遷類型分別對應(yīng)HOMO-8 → LUMO+1(228 nm),HOMO-6 → LUMO(257 nm)和HOMO-1 → LUMO+1(380 nm)。其中,LUMO和LUMO+1的主要貢獻(xiàn)均來自二亞胺配體的π*軌道,而HOMO-8主要為二亞胺配體的π*軌道和二亞胺取代基Cl的2p軌道。因此,228 nm的吸收峰主要來自于配體L到配體L電荷轉(zhuǎn)移躍遷,即LLCT。類似的,257 nm的吸收峰來自于LLCT和金屬配體X到二亞胺配體L的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(XLCT),380 nm的吸收峰主要來自金屬M(fèi)到配體L的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(MLCT)。對于Re2,計(jì)算的紫外-可見吸收峰主要有5個(gè),分別位于232 nm,240 nm,252 nm,262 nm和349 nm與實(shí)驗(yàn)值213 nm,241 nm,259 nm,278 nm和334 nm符合很好。躍遷類型分別對應(yīng)LLCT和XLCT(232 nm),MXCT和MMCT(240 nm),MLCT(252 nm),LLCT和XLCT(262 nm),MLCT(349 nm)。
注意,以Re1為例,一旦電荷由Re中心基團(tuán)進(jìn)入二亞胺配體后,將形成類似電荷分離的{[Re(CO)3Cl]+(Cl2phen)e}特征的活性結(jié)構(gòu)。前面提到,金屬Re中心基團(tuán)具有明顯的Re-Cl鍵的σ*反鍵軌道(Re1的HOMO,圖2),當(dāng)電子被激發(fā)后,進(jìn)入該σ*反鍵軌道,將有利于配體解離,形成活性中間體,推動(dòng)接下來可能的催化還原反應(yīng)進(jìn)行,如CO2還原。再者,對比Re1和Re2,二者的唯一區(qū)別為Re中心配體分別為Cl-和吡啶。當(dāng)Cl-被吡啶取代后,導(dǎo)致Re中心電子密度明顯降低(Mulliken電荷由+0.58 e增加到+0.80 e)。這導(dǎo)致最大紫外-可見吸收峰由可見區(qū)向紫外區(qū)移動(dòng)(Re1的380 nm到Re2的349 nm),即吸電子取代基降低了Re中心電子密度,將導(dǎo)致吸收峰向紫外區(qū)移動(dòng)。反之,供電子取代基將提高Re中心配體的電子密度,將使最大吸收峰向可見光區(qū)移動(dòng),增加了可見光的利用,這為研發(fā)可見光驅(qū)動(dòng)的OLED材料和光催化劑研發(fā)提供了理論指導(dǎo)。

圖3 PBE0泛函計(jì)算的紫外光譜和垂直激發(fā)能Fig.3 Calculated UV spectra and vertical excited energies by means of PBE0 functional
磷光發(fā)射光譜在OLED性能評(píng)價(jià)指標(biāo)中扮演了重要的角色。其中,從三重態(tài)輻射躍遷回基態(tài)的過程,能夠使發(fā)光量子產(chǎn)率得到提升。此處,基于優(yōu)化的S0基態(tài)結(jié)構(gòu),對第一三重激發(fā)態(tài)(T1)結(jié)構(gòu)在乙腈溶劑中進(jìn)行全優(yōu)化。在優(yōu)化的T1結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,采用TDDFT方法對磷光發(fā)射過程進(jìn)行模擬。計(jì)算的Re1和Re2磷光發(fā)射峰分別位于627 nm和576 nm,與實(shí)驗(yàn)值600 nm和567 nm符合較好。為了進(jìn)一步確認(rèn)其躍遷類型,我們基于優(yōu)化的T1態(tài)結(jié)構(gòu),在乙腈溶劑中,對這兩個(gè)發(fā)射峰的自然躍遷軌道(NTO)進(jìn)行計(jì)算,并將計(jì)算結(jié)果列于表2所示。可以看出Re1的發(fā)射光譜具有MLCT特征,而Re2的發(fā)射光譜除了MLCT躍遷外,還顯示出部分的LLCT躍遷特征。再者,對比Re1和Re2,金屬中心取代基由Cl-到吡啶,導(dǎo)致最大發(fā)射峰發(fā)生藍(lán)移。原因與上述吸收光譜類似,即Re中心電子密度降低,導(dǎo)致電子躍遷需要更多的能量,使發(fā)射峰藍(lán)移。
紅外光譜作為常規(guī)實(shí)驗(yàn)表征的重要手段之一,能夠快速、準(zhǔn)確的通過紅外特征峰的強(qiáng)度、形狀和頻率來推測分子結(jié)構(gòu),成為化學(xué)和材料領(lǐng)域的重要研究手段。采用PBE0泛函,在乙腈溶劑中,對Re1和Re2結(jié)構(gòu)進(jìn)行全優(yōu)化,在相同計(jì)算水平上計(jì)算了振動(dòng)頻率,并采用校正因子0.9594[13],進(jìn)行頻率校正。計(jì)算結(jié)果顯示所有振動(dòng)頻率沒有虛頻,均為勢能面上的能量極小點(diǎn)。采用GaussianView 6.1.1對紅外光譜進(jìn)行繪制。

表2 PBE0泛函計(jì)算的自然躍遷軌道(NTO)Table 2 Calculated Natural transition orbitals(NTOs) by means of PBE0 functional
PBE0泛函計(jì)算的紅外光譜特征峰,分子振動(dòng)模式,包括實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分別繪制于圖4和表3。計(jì)算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)測定數(shù)據(jù)符合很好,最大誤差僅為8 cm-1(0.05 kcal/mol)。因?yàn)镽e1和Re2的結(jié)構(gòu)相似,導(dǎo)致二者的紅外振動(dòng)特征峰也很相似,其中Re1的2個(gè)吸收峰分別位于1901 cm-1和2026 cm-1,Re2的2個(gè)吸收峰分別位于1926 cm-1和2038 cm-1,均對應(yīng)C=O伸縮振動(dòng)。值得注意的是吡啶取代基的出現(xiàn),導(dǎo)致Re中心正電荷密度增加,進(jìn)而通過誘導(dǎo)效應(yīng)使C=O基團(tuán)中O原子的電子向C原子發(fā)生部分轉(zhuǎn)移,增強(qiáng)了C=O鍵,提升了C=O的振動(dòng)頻率,導(dǎo)致Re2的特征峰相比Re1向高波數(shù)移動(dòng)(Re2相比Re1增加了約12~16 cm-1)。

圖4 計(jì)算的紅外光譜和振動(dòng)模式Fig.4 Calculated IR spectra and vibrational mods

表3 Re1和Re2的主要紅外特征峰,振動(dòng)模式和摩爾吸收系數(shù)εTable 3 Calculated infrared peaks, major vibrational modes and molar absorption coefficient, ε of Re1 and Re2
在光譜分析的基礎(chǔ)上,為了對Re1和Re2的OLED性能進(jìn)行評(píng)價(jià),需要對OLED的發(fā)光原理進(jìn)行討論。在外界電場作用下,OLED會(huì)通過陰極產(chǎn)生電子,通過陽極產(chǎn)生空穴,注入到OLED的電子和空穴傳輸層,并遷移到發(fā)光層相遇,最終通過能量激子激發(fā)分子,形成可見光。可以看出電子和空穴的平衡作為重要指標(biāo),在OLED材料性能評(píng)價(jià)中扮演了重要的角色。基于優(yōu)化的基態(tài)結(jié)構(gòu),分別對垂直電離勢(IPv),絕熱電離勢(IPa),垂直電子親和勢(EAv),絕熱電子親和勢(EAa),空穴抽取勢(HEP)和電子抽取勢(EEP)進(jìn)行計(jì)算,并將計(jì)算結(jié)果列于表4所示。可以看出Re2的IP值相對Re1低約0.50 eV,即Re2具有相對較強(qiáng)的空穴注入能力。而Re1的EA值相比Re2高約0.20 eV,即Re1的電子注入較Re2容易。然而,Re2的高IP值和低EA值,暗示了其電荷傳輸?shù)牟黄胶狻T僬撸琑e1和Re2的HEP值均高于EEP值,而且Re1的HEP和EEP值均高于Re2,表明Re1的絕熱空穴轉(zhuǎn)移和絕熱電子轉(zhuǎn)移均優(yōu)于Re2。

表4 Re1和Re2的電離能,電子親和勢和重組能Table 4 Ionization potentials(IPs), electron affinities(EAs), and reorganization energies for complexes Re1 and Re2(eV)
此外,基于Marcus理論[14],利用計(jì)算的IP,EA,HEP和EEP,根據(jù)下列公式,對重組能(λ)進(jìn)行計(jì)算:
式中,k是電荷轉(zhuǎn)移速率,A是常數(shù),kb是玻爾茲曼常數(shù),λ是重組能,T是溫度。基于前人前期工作,在固體材料中,分子間電荷傳輸受限,重組能成為評(píng)價(jià)電荷傳輸速率的重要指標(biāo)。重組能越小,電荷傳輸越有利。其中,空穴和電子的重組能分別為:
λhole= IPv- HEP
λelectron= EEP - EAv
表4顯示Re1和Re2的λhole均大于λelectron,表明二者的電子傳輸速率相對較好,可以作為電子傳輸材料的重要母體。再者Re1的λhole和λelectron差值小于Re2,顯示了相對較好的電荷轉(zhuǎn)移平衡能力,更適合于作為OLED的發(fā)光材料。
采用DFT和TDDFT方法,在乙腈溶劑中,對[Re(CO)3Cl(Cl2phen)](Re1)和[Re(CO)3(py)(Cl2phen)]+(Re2)的S0基態(tài)和T1態(tài)結(jié)構(gòu),前線分子軌道,紫外-可見光譜,磷光發(fā)射光譜,紅外光譜和重組能進(jìn)行計(jì)算。結(jié)果顯示:
(1)PBE0泛函,結(jié)合SDDALL+6-311+G**方法計(jì)算的S0基態(tài)和T1態(tài)幾何結(jié)構(gòu),紫外-可見光譜,磷光發(fā)射光譜和紅外光譜與實(shí)驗(yàn)值符合很好。
(2)Re1和Re2的HOMO軌道均為Re中心基團(tuán)的σ*反鍵軌道,一旦電子進(jìn)入該軌道,將有利于配體Cl-或吡啶的解離和活性中間體產(chǎn)生,有利于后續(xù)催化反應(yīng)。
(3)Re1和Re2的紫外吸收峰的顯示出多種躍遷類型,即LLCT,MLCT和XLCT等。取代基導(dǎo)致的Re中心配體電子密度降低,使最大吸收峰藍(lán)移。
(4)Re1和Re2的紅外特征峰均為Re中心C=O鍵的伸縮振動(dòng)。Re中心配體電子密度的降低,使Re2的振動(dòng)峰高于Re1。
(5)重組能計(jì)算結(jié)果顯示相比Re2,Re1更適合作為OLED發(fā)光材料。
綜上,通過對Re1和Re2光譜和重組能的計(jì)算研究,將為后續(xù)實(shí)驗(yàn)合成相關(guān)OLED材料或CO2光還原催化劑提供幫助。