袁亦雷,謝水波,,劉岳林,史艷丹,劉迎九
(1. 南華大學 土木工程學院,湖南 衡陽 421001;2. 南華大學 污染控制與資源化技術湖南省重點實驗室,湖南 衡陽 421001)
鈾礦冶煉廢水中的鈾主要以U(Ⅵ)為主,多以鈾酰離子(UO)的形式存在。目前,處理含鈾廢水的方法主要有吸附法、膜分離法、萃取法和生物法。其中,吸附法和膜分離法投資運行費用高、操作復雜且產物不易分離;萃取法需要大量使用萃取劑,不但費用高,而且還存在二次污染的風險;生物法盡管經濟、環保,但處理周期過長,尤其不適合處理中高濃度的含鈾廢水。光催化還原技術是一種新型的廢水處理技術,它能將含鈾廢水中遷移性強、易溶于水的U(Ⅵ)還原為遷移性弱、難溶于水的U(Ⅳ),實現U(Ⅵ)與水的分離,具有處理效果好、操作簡單、節能環保等優點。石墨相氮化碳(g-CN)具有獨特的電子結構和化學特性,且制備簡單、價廉易得,作為非金屬催化劑,極具發展前景。但由于電子-空穴復合率高、可見光利用率低和比表面積小等缺陷,大大限值了它的使用范圍。為此,g-CN用作光催化劑時,通常需要改性。目前常用的改性方法有形貌調節、元素摻雜、構建復合半導體等。其中構建g-CN復合半導體材料能夠有效提高電子-空穴的分離效率,提高光催化性能。氧化鉍(BiO)作為禁帶寬度可調(=2.34~3.40 eV)的半導體材料,被廣泛應用于光催化領域。氧化鋁(AlO)具有比表面積大、容易吸附等優點,在催化領域和材料領域常作為載體。
本研究以AlO為載體,BiO為半導體材料,采用熱聚合法將BiO、g-CN相互結合形成異質結,制備出g-CN-BiO/AlO復合光催化劑,運用多種手段進行了表征,并考察了該催化劑對模擬含鈾廢水中U(Ⅵ)的光催化還原性能和重復利用性能,探討了其光催化還原U(Ⅵ)的機理。
模擬含鈾廢水采用UO(基準純 GBW04201)配制而成。
AlO、BiO、尿素:均為分析純。實驗用水為蒸餾水。
Escalab 250Xi型X射線光電子能譜分析儀:美國Thermo Fisher Scientific公司;T6新世紀型紫外-可見分光光度計:北京普析公司;FLS980型穩態/瞬態熒光光譜儀:英國愛丁堡儀器公司;FEG Quanta 450型場發射掃描電鏡:美國FEI公司;D8 Advance型X射線衍射儀:德國布魯克公司;UV270 型紫外-可見漫反射儀:日本島津公司。
1.2.1 g-CN-BiO/AlO的制備
將10 g 尿素置于馬弗爐中升溫至 550 ℃,煅燒 2 h,冷卻至室溫后研磨,得到淡黃色固體粉末,即g-CN。將AlO、g-CN、BiO以質量比為3∶2∶1的比例混合,加入一定量的蒸餾水,攪拌均勻,超聲混合15 min;將懸浮液轉移到陶瓷坩堝中,在80 ℃下加熱蒸干;再將陶瓷坩堝置于馬弗爐中,在500 ℃條件下煅燒2 h,冷卻至室溫,將其內容物研磨成粉末,得到復合光催化劑g-CN-BiO/AlO。
1.2.2 g-CN-BiO/AlO光催化還原U(Ⅵ)性能研究
光催化反應器中以500 W氙燈作為光源模擬太陽光,配有石英冷阱內冷卻循環水系統,用于吸收氙燈散發的熱量,反應器底部配有磁力攪拌器,可以使光催化劑懸浮在溶液中,與溶液中的U(Ⅵ)充分接觸。
在試管中分別加入20 mL U(Ⅵ)質量濃度為10 mg/L的模擬含鈾廢水(初始pH為5)和10 mg的催化劑(投加量為0.5 g/L),將其置于黑暗環境中攪拌30 min,然后再置于光催化反應器中光照60 min。間隔一定時間取樣,離心,測定上清液在578 nm處的吸光度,計算廢水中U(Ⅵ)的質量濃度及去除率。
1.2.3 光催化劑的收集和重復使用
使用過的光催化劑經離心收集后用稀鹽酸浸泡2~3 h;用蒸餾水洗滌至pH為中性;將洗滌好的催化劑置于60 ℃的真空干燥箱中烘干至恒重以備重復使用。
采用分光光度法測定上清液在578 nm處的吸光度,計算廢水中U(Ⅵ)的質量濃度及去除率。
采用XRD表征光催化劑的晶相結構;采用SEM觀察光催化劑的微觀形貌;采用XPS分析光催化劑的表面元素及其化學形態;采用UV-Vis DRS考察光催化劑的光學性能;采用PL分析光催化劑中光生電子-空穴對的分離情況。
圖1為g-CN-BiO/AlO的XRD譜圖。由圖1可見:在衍射角2為27.6°和12.9°處出現的衍射峰分別對應g-CN的(002)和(100)晶面;在2為30.459°,31.959°,32.875°,46.355°,54.400°,55.667°處出現的衍射峰依次對應四方相β-BiO的(211)、(002)、(220)、(222)、(400)、(203)和(421)晶面(JCPDS No.27-0050);在2為28.3°處出現的衍射峰對應AlO(PDF#47-1308) 的(220)晶面。g-CN-BiO/AlO譜圖中沒有出現新的衍射峰,說明本實驗成功制備了g-CN-BiO/AlO復合光催化劑。

圖1 g-C3N4-Bi2O3/Al2O3的XRD譜圖
圖2為3種光催化材料的SEM 照片。由圖2可見:g-CN為無規則塊狀結構,大小分布不一,內部結構十分松散;g-CN-BiO中,BiO和g-CN相互混合聚集在一起,但沒有表現出明顯的異質結構;與g-CN和g-CN-BiO相比,g-CN-BiO/AlO的表面出現了許多聚合晶體塊狀結構,這可能是由于BiO、g-CN和AlO經過高溫煅燒后發生相互作用,形成了異質結。

圖2 3種光催化材料的SEM照片
圖3為g-CN-BiO/AlO的XPS譜圖。由圖3a可見,單組分的BiO中Bi 4及Bi 4的結合能分別為164.6,159.3 eV,說明樣品中的Bi以正三價的形式存在。由圖3b可見,531.7 eV和532.0 eV分別為BiO中Bi—O鍵的結合能和AlO中Al—O鍵的結合能。由圖3c可見,結合能398.8 eV處的峰歸屬于g-CN結構中分別與兩個C相連的2雜化態芳香N(C=N—C),結合能400.4 eV處的N 1峰歸屬于g-CN結構中的兩種N基團(H—N—(C)或N—(C))。由圖3d可見,結合能288.3 eV處的峰歸屬于g-CN結構中三嗪環(N—C=N)上2雜化態的C,結合能284.7 eV處的峰歸屬于g-CN中以2雜化態存在的C—C鍵中的C。XPS的結果進一步證明了材料元素的組成。

圖3 g-C3N4-Bi2O3/Al2O3的XPS譜圖
圖4為不同光催化材料的紫外-可見漫反射譜圖。由圖4可見,與g-CN和g-CN-BiO相比,g-CN-BiO/AlO在400~800 nm區域具有較強的吸收帶。

圖4 不同光催化材料的紫外-可見漫反射譜圖
利用 Tauc-Plot 法計算不同光催化劑的禁帶寬度,其計算方法見式(1)。

式中:,,依次為半導體的吸收系數、 普朗克常數和光子頻率;為禁帶寬度;為常數;由于g-CN和BiO均屬于直接型半導體,所以=1/2。以()對作圖(見圖 5),求得g-CN、BiO、g-CN-BiO和g-CN-BiO/AlO的禁帶寬度分別為2.82,2.67,2.79,2.47 eV。由此可見,g-CN-BiO/AlO的帶隙能較單體材料和二元材料有所降低,更容易被可見光所激發,且g-CN-BiO/AlO的光譜響應范圍變寬,對可見光的吸收性能增強。

圖5 (αhv)1/n~ hv的關系
在325 nm的激發波長條件下,測定g-CN、g-CN-BiO和g-CN-BiO/AlO三者的熒光譜圖,結果見圖6。由圖6可見:在460 nm處,g-CN出現了光譜的最高峰,說明有很多光生電子與空穴結合,大量的能量被釋放出來,光催化效果最差;相對于g-CN和g-CN-BiO,g-CN-BiO/AlO在熒光光譜中沒有明顯波峰,表明光生電子和空穴的復合效率降低,光催化性能增強。

圖6 不同光催化材料的熒光譜圖
不同光催化劑對U(Ⅵ)的去除率見圖7。由圖7可見,反應90 min后,g-CN和BiO對U(Ⅵ)的去除率約為30%;g-CN-BiO對U(Ⅵ)的去除率約為74%;而g-CN-BiO/AlO對U(Ⅵ)的去除率達到了98%,其去除率是一元材料g-CN和BiO(30%)的3.27倍,是二元復合材料g-CN-BiO(74%)的1.32倍。

圖7 不同光催化劑對U(Ⅵ)的去除率
g-CN-BiO/AlO光催化劑的重復使用性能見圖8。由圖8可見,在第5次重復使用時,g-CN-BiO/AlO光催化劑對U(Ⅵ)的去除率仍高達85%,表現出良好的的穩定性和重復使用性能。

圖8 g-C3N4-Bi2O3/Al2O3光催化劑的重復使用性能
暗反應和光反應后g-CN-BiO/AlO的XPS譜圖見圖9。由圖9可見:暗反應后,在381.9 eV和392.9 eV處出現了兩個窄而尖銳的峰,分別歸屬于U 4和U 4,這表明在暗反應階段沒有發生氧化還原反應,此過程中只有吸附作用;光反應后,U 4和U 4峰值分別位于380.7 eV和391.6 eV處,這表明經過光反應以后,g-CN-BiO/AlO將U(Ⅵ)還原為U(Ⅳ),表明光反應階段發生了氧化還原反應。

圖9 暗反應和光反應后g-C3N4-Bi2O3/Al2O3的XPS譜圖
在此基礎上,分別以對苯醌(BQ)作為超氧自由基(·O)捕獲劑、甲醇(AO)作為空穴(h)捕獲劑、KSO作為光生電子(e)捕獲劑、叔丁醇(TBA)作為羥基(-OH)捕獲劑,對g-CN-BiO/AlO光催化U(Ⅵ)過程中的活性物種進行了捕獲實驗。圖10為捕獲劑對g-CN-BiO/AlO光催化還原U(Ⅵ) 的影響。由圖10可見,BQ和KSO的加入明顯降低了光催化還原U(Ⅵ)的效率,可見,在 g-CN-BiO/AlO光催化反應中起主要作用的活性物種為超氧自由基(·O)和光生電子(e)。

圖10 捕獲劑對g-C3N4-Bi2O3/Al2O3光催化還原U(Ⅵ)的影響
綜上所述,g-CN-BiO/AlO光催化還原U(Ⅵ)的機理(見圖11)為:AlO將大量U(Ⅵ)吸附到表面上;在光照條件下,g-CN和BiO的價帶、導帶可以分別產生光生電子和空穴,其中g-CN表面的電子可以通過異質結轉移到BiO,而BiO表面上的空穴也可以以類似的方式轉移到g-CN上,電荷轉移有效地延緩了二者中光生電子-空穴對的復合;BiO表面上一些電子可直接與U(Ⅵ)反應生成U(Ⅳ),另一部分電子與水中的溶解氧反應生成·O,最后也參與到U(Ⅵ)還原為U(Ⅳ)的過程中。

圖11 g-C3N4-Bi2O3/Al2O3光催化還原U(Ⅵ)的機理
a)在AlO、g-CN、BiO質量比為3∶2∶1的條件下,采用熱聚合法制備了g-CN-BiO/AlO復合型光催化劑。表征結果顯示,所制備的g-CN-BiO/AlO催化劑具有p-n異質結,能夠有效延緩光生電子-空穴對的復合,增強光催化性能。
b)在g-CN-BiO/AlO投加量為0.5 g/L、模擬廢水初始pH為5、U(Ⅵ)質量濃度為10 mg/L的條件下,經暗反應30 min、光反應60 min后,模擬廢水中U(Ⅵ)去除率達到98%。g-CN-BiO/AlO催化劑重復使用5次后對U(Ⅵ)的去除率仍可達85%,表現出良好的穩定性和重復利用性能。
c)催化還原反應機理分析顯示,g-CN-BiO/AlO光催化還原U(Ⅵ)的主要機理是是光生電子(e)和超氧自由基(·O)的作用。