In2S3/g-C3N4光催化復(fù)合材料的制備與研究

趙子龍 賀世潔 董國峰 談志鵬 馬元良

（青海民族大學(xué)物理與電子信息工程學(xué)院，青海 西寧 810007）

0 引言

隨著科學(xué)技術(shù)與現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展，煤炭、石油、天然汽等能源的需求不斷增大，導(dǎo)致新世紀(jì)人類將面臨環(huán)境污染嚴(yán)重、能源危機(jī)的兩大難題，解決這兩個(gè)主要難題是實(shí)現(xiàn)人類可持續(xù)發(fā)展的迫切需要。而發(fā)展半導(dǎo)體光催化材料被認(rèn)為是解決這兩個(gè)問題的有效途徑。

由于合成技術(shù)與方法的限制，早期合成出來的g-CN材料具有光生電子空穴對復(fù)合速率高、比表面積小以及禁帶寬度高等問題，導(dǎo)致g-CN材料在其光催化過程量子效率低，限制了其在環(huán)境和能源光催化領(lǐng)域中的應(yīng)用。因此，通過厚度、缺陷調(diào)控手段對g-CN納米片材料功能進(jìn)行探究，可為發(fā)展一種新型轉(zhuǎn)換材料提供新思路。同時(shí)，以g-CN納米片作為基體，通過原位生長法制備半導(dǎo)體InS-CN納米片異質(zhì)結(jié)復(fù)合光催化材料，并進(jìn)行性能探究以獲得一種新型、全光譜響應(yīng)、高效降解污染物的復(fù)合光催化材料。而InS作為一種天生的缺陷晶體材料，具有較寬的光譜響應(yīng)范圍，其獨(dú)特的光電性能使其在寬譜光電探測領(lǐng)域具有巨大的潛在價(jià)值。

1 試驗(yàn)

1.1 試驗(yàn)試劑

為解決g-CN光催化材料存在光生電子空穴對復(fù)合速率高、比表面積小、禁帶寬度高和降解效率低等問題，該文通過制備方法改變g-CN光催化納米材料結(jié)構(gòu)，并通過與InS半導(dǎo)體復(fù)合形成異質(zhì)結(jié)提高催化性能。試驗(yàn)過程中所使用的試驗(yàn)藥劑見表1。

表1 試驗(yàn)所需原料與試劑