基于液晶材料的相控陣天線工藝研究

刁艷美

（南京工業大學浦江學院，江蘇南京，210000）

0 引言

隨著通信技術的飛速發展，對天線行業的技術革新提出了更高的要求。對于移動終端來說，天線不僅要滿足高性能，還需要具有平整度好、輪廓低的特點。目前市場上對于體積小、低輪廓、電調控、低成本的新型天線的需求迫在眉睫。

為契合低成本的相控陣天線市場需求，拓寬現有液晶技術的應用范圍，越來越多顯示面板生產廠家紛紛加大了對天線技術的研發投入。相控陣天線可以采用現有的TFTLCD(薄膜晶體管液晶顯示)面板生產線來進行大規模制造。面板越大，成本相對越低。此外，自動化設備大規模生產的加工一致性，使相控陣天線出廠調測時間和難度均降低，因而可以提高產品質量，縮短產品周期。需要指出的是，相控陣天線從研發設計到工程實施涉及多個學科，融合多種技術，且相控陣天線與傳統顯示面板的研發、材料、加工工藝也有一定差別，每個工藝環節都要反復嘗試和測試，才能具備工程可實施性。因此，對應用TFT-LCD 產線進行相控陣天線制造的工藝研究具有重要意義。

1 結構與工作原理

■1.1 結構

相控陣天線是利用液晶的介電各向異性，通過控制液晶偏轉方向來改變移相器的移相大小，從而調節相控陣天線的對準方向天線。單個天線單元功率容量小，損耗大，為此，很多場合設計成天線方陣，如圖1 所示。天線方陣制作的一致性較好，且易于集成化，因此得到廣泛應用。

圖1 天線方陣

圖2 為構成天線方陣的相控陣天線單元結構示意圖，可調諧液晶材料被封裝在上、下介質基板中，形成一種三明治結構。天線單元的所有結構都在這三層中集中實現。它可以利用成熟的液晶顯示自動化制造技術進行生產，加工一致性高，成本低。輻射電極的形狀、尺寸可以根據不同的應用需求進行相應的定制設計，將掩膜版圖案“轉移”到介質基板上。與顯示面板制造不同的是，它不需要偏振片，因為天線主要是利用液晶分子的電學特性進行射頻傳播，而不是光傳播。

圖2 相控陣天線單元

相控陣天線單元按照功能來分，主要由輻射天線單元、移相單元、饋電網絡單元三個主要部分組成。

在輻射天線單元中，地層上有接地電極，與輻射貼片層重疊覆蓋，其上有開孔，以在輻射貼片與地層之間形成耦合。

移相單元中，饋線層與地層加偏壓信號，控制液晶移相，由饋線層側邊接入控制信號。

饋電網絡單元用來傳輸射頻信號。

■1.2 輻射原理

輻射的本質是電磁泄漏。在頻率較高時，電磁波會泄漏（輻射）到導體之外，進行能量的傳遞。若導線是用作傳輸線，則希望盡可能地沒有電磁泄漏。而對于天線來說，應該盡量將能量轉換為電磁波發射出去。不同形狀、不同尺寸的導線在發射和接收某頻率的電磁信號時，效率差別較大。在一個不完全封閉的電路中，電路的不連續處會產生電磁輻射，經過特殊設計成貼片形狀，并處于諧振狀態，就會具有一定的輻射功能和輻射效率，成為天線。

■1.3 液晶移相原理

液晶移相單元采用液晶材料作為調諧介質層，通過改變介質層的介電常數，來實現相位控制。由于液晶分子的結構特性，其電學特性（介電常數），具有各向異性的特點。液晶分子的排列會隨外加電場的改變而發生變化。主要涉及以下三種情況：

第一種情況，如圖3(a)所示，當外加偏置電壓為0，或者外加電壓的值小于液晶分子開始發生偏轉的開啟電壓時，在取向層的作用下，液晶分子沿著原來取向的方向，即平行于上下介質基板的方向排列，記為ε=ε ⊥。

第二種情況，如圖3(b)所示，外界偏置電壓加大，液晶分子開始向電場方向發生偏轉，相應的等效介電常數也隨之發生變化。

第三種情況，如圖3(c)所示，繼續加大外界偏置電壓，當達到一定電壓時，液晶分子的轉向達到極限狀態，處于垂直上下介質基板的狀態。此時液晶層的等效介電常數也達到最大，記為ε=ε ∥。液晶材料的可調諧能力用Δε=ε //-ε ⊥來衡量。

圖3 液晶移相原理圖

2 相控陣天線關鍵工藝

相控陣天線的工藝過程可采用TFT-LCD 的相關設備來進行制備。電極的制作采用光刻工藝，液晶的填充采用ODF(液晶滴注技術)成盒設備進行。圖4 為工藝過程的示意圖，生產步驟如下：

圖4 相控振天線工藝過程

（1）介質基板

天線單元采用上下平行、結構相同的石英基板作為支撐結構。石英基板有成本低、熱導性能好、可控性和一致性好等諸多優點，在半導體器件和集成電路基板中被廣泛應用。但其機械強度較低，在加工時要注意是否有破損或開裂。基板投入制程之前需要在清洗設備進行清洗，以免有大顆粒灰塵導致的基板不平整而碎片。另外，為減小天線損耗，基板不宜太厚。

（2）成膜工藝

在基板的正反面都需要制備電極，考慮趨膚效應，銅厚度應不小于2.0μm。因此厚膜成膜和雙面成膜是天線工藝中的難點。在成膜過程中要多關注生長膜層后介質基板的彎曲變形量，及時調整成膜參數，改善成膜均一性。銅與基板有較差的粘附性，并且銅在一定溫度下易與硅反應，形成化合物，產生較高的接觸電阻，可在銅膜與介質基板之間增加過渡層金屬鈦、鉬鈮等。

（3）光刻工藝

在液晶相控陣天線的工藝過程中，上下介質基板上的電極制備是關鍵，也是對工藝制作水準要求最嚴格的部分。電極圖形采用曝光刻蝕工藝進行制備。首先進行光刻掩膜版的設計，確定電極形狀、配線的線寬、線距等，其精度對器件性能有較大影響。如圖5 所示，在覆蓋了金屬膜層的介質基板上進行光刻膠涂布，使用曝光設備，通過紫外光的照射，將掩膜版圖案“轉移”至光刻膠，被紫外光照射的光刻膠發生變化而溶解于顯影液。再進行電極的刻蝕，被光刻膠覆蓋的金屬不會被刻蝕，而未被覆蓋的部分會與刻蝕藥液發生反應而被刻蝕掉。刻蝕均一性也是影響器件性能的重要參數。最后進行光刻膠的剝離，形成最終的電極形狀。

圖5 電極制作過程

（4）配向工藝

液晶分子在自由狀態時分布較為雜亂，介電常數介于ε//和ε ⊥之間，會影響天線調諧，因此需要對液晶分子進行配向（取向）處理。取向處理分為兩個步驟：配向膜（PI）工程、配向工程。PI 工程的目的是提供液晶分子所需要的配向基材。配向工程是通過物理或化學方式，對PI 膜進行處理，使其分子結構發生變化，進而達到控制液晶分子的排列的目的。

在實際生產中，如圖6 所示，首先在上下介質基板的內側（液晶側）指定位置均勻地噴涂或印刷一層取向基材，即聚酰亞胺(Polyimide，PI)高分子材料，該材料具有良好的機械性能、熱穩定性、耐低溫性，有配向記憶性，與液晶分子具有良好的親和性且不相互反應。取向基材印刷之后，經過預干燥、高溫加熱使溶劑全部揮發，避免出現氣泡，并固化成膜。

圖6 配向過程

然后在PI 膜上利用摩擦配向或光配向技術進行取向處理。以光配向為例，在紫外光的照射下，PI 里的趨光分子會向光照的方向發生偏轉，形成一定的預傾角。PI 聚合體和液晶分子之間的作用力比較強，對液晶分子有錨定作用，在PI 分子和液晶分子長軸一致的方向，能量最安定，鄰近的液晶分子可以沿此方向穩定排列，剩余的液晶分子在分子間相互作用力下，也會沿著指定方向整齊排列。如果不進行取向處理，一是會降低天線調諧能力，二是在外加電場撤去時，液晶分子很難回到初始狀態。

（5）液晶滴下與框膠涂布

在上介質基板的內側（液晶測），進行液晶滴注，要注意液晶滴下量必須適中，滴下量過多、過少都會導致液晶移相盒出現異常。液晶滴下的位置也要適中。

在下介質基板的內側（液晶測）進行框膠（Seal）涂布，涂框膠的目的是使上下介質基板緊密粘合，防止液晶泄漏。為保證液晶層厚度均勻，在框膠中添加支撐球（Spacer）。

（6）貼合與固化

在真空狀態下，將上下介質基板進行一定精度范圍內的貼合。貼合位置是依據鏡頭在介質基板上捕獲的對準標記（Alignment Mark，在電極制作時同時形成的金屬圖案）來進行相應調整，精度可以達到數微米。貼合過程中需注意真空度、預應力等各種參數的控制調整，防止恢復大氣值時產生氣泡，或是液晶飛濺到框膠上，導致框膠接觸不良，從而引起液晶泄漏。

完成貼合后還要進行框膠的固化。固化是指在紫外線和高溫的作用下，使框膠充分硬化。一方面可以使上下介質基板通過框膠緊密、無偏移地粘合，形成穩定的液晶移相盒。另一方面，在固化過程中，可以有效防止液晶氣泡的產生，使其均勻擴散。

3 工藝過程需要注意的問題

為了提高生產效率，降低成本，一般采用大尺寸的介質基板進行生產，再根據相控陣天線尺寸進行切割。實際生產過程中，2μm 厚的銅膜，可能會因為膜應力過大導致介質基板彎曲甚至發生破片，因此介質基板的厚度需要在減小彎曲量與減小介質損耗中進行權衡。

上介質基板的正反面均需要工藝加工，在一面完成之后，再進行另外一面的加工，但是在加工介質基板的工藝過程中，涉及機械傳送，容易造成膜面劃傷、銅氧化等現象，因此在介質基板完成一面的加工后，可以再加工一層保護膜，待另一面加工完成后，再移除保護膜。

4 結語

綜上所述，基于液晶材料的相控陣天線具有優良的調諧性能，并且可以利用現有的液晶面板生產線設備進行自動化生產。從低成本、大規模量產、產品一致性好、結構穩定、縮短產品調測周期等各方面都具備明顯優勢，是推動相控陣天線的普及應用，大規模打開用戶市場的重要技術路線。

將LCD 技術應用于天線制作，可以拓寬LCD 技術、工藝、設備的應用范疇，對于工藝過程中遇到的一些待解決的問題，應該再進行深入鉆研，在實踐中不斷優化提升。