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納米Te的生物合成及其抗菌、催化性能的研究*

2022-05-09 06:43:56萬光儀孫維良
功能材料 2022年4期

萬光儀,孫維良,武 超

(1. 安徽大學 物質科學與信息技術研究院, 合肥 230601;2. 安徽大學 資源與環境工程學院, 合肥 230601)

0 引 言

碲以及其化合物在冶金、玻璃生產、制藥、橡膠硫化、電子工業等各個領域都有廣泛應用[1-2]。而碲納米顆粒(Te NPs)具有更大比表面積、高壓電性、高熱電性能、高光電導性和非線性光學特性等獨特特性,引起了世界各國研究者的關注[3-5]。

傳統納米碲的合成方法主要有物理法、化學法,物理法所需設備昂貴以及能耗高,化學法常常伴隨著有毒或危險化學品的使用[6](如水合肼、酚類、有機醇)。而利用微生物合成的納米顆粒有簡單、廉價、結構可控制和友好等優點[7]。這使研究人員篩選出清潔、無毒、環保的合成納米碲的生物資源。Amoozegar等[8]從含鹽環境樣品中分離中度嗜鹽菌Salinicoccussp.QW6、B Zihayatd[9]在溫泉中分離的Pseudomonaspseudoalcaligenes均可合成Te NPs。

由于納米顆粒巨大的比表面積,具有超強的活性及更強的組織滲透性,其殺菌作用是普通材料的數百倍[10]。范月圓等利用多粘類芽孢桿菌制備納米銀及其抑菌活性的研究[11],Tran和Webster對硒納米材料抗菌潛力的研究[12]。

本研究利用皮特不動桿菌(Acinetobacterpittii)還原Te(Ⅳ),并通過一系列物理化學表征證明該菌株合成了Te納米棒(Te NRs)。并利用Te NRs進行了抗菌性能[16]的研究以及其催化PMS降解RhB的性能的研究,為Te NRs在水污染治理方面提供了新的方向。

1 實 驗

1.1 材 料

1.1.1 菌 種

皮特不動桿菌(Acinetobacterpittii),革蘭氏陰性菌(Escherichiacoli)和革蘭氏陽性菌(Bacillussubtilis)

1.1.2 試劑

亞碲酸鈉(Na2TeO3)、過一硫酸氫鉀復合鹽(PMS)、C5H10NaS2·3H2O(DDTC)、Tris-HCl(pH=7.0),羅丹明B,所有試劑均為分析純。

1.1.3 培養基

LB培養基:Trypone 10 g/L,Yeast extract 5 g/L,NaCl 10 g/L。需要固體培養基時,加入瓊脂 18.0 g/L。

礦物鹽培養基:NaCl 0.46 g/L,(NH4)2SO40.255 g/L,MgSO4·7H2O 0.024 g/L,K2HPO40.225 g/L,KH2PO40.225 g/L,Hepes 4.766 g/L,微量元素5 mL/L;pH=7.0。

1.2 方法

1.2.1 細菌培養以及Te(Ⅳ)的還原

將Acinetobacterpittii接種到50 mL LB培養基,在30 ℃、150 r/min的恒溫培養箱中培養24 h;然后在6 000 r/min,5 min條件下離心收菌,用礦物鹽培養基清洗3次后,重懸,將初始濃度OD600=1.0的菌液接種至礦物鹽培養基中。同時加入40 mmol/L 果糖和終濃度為0.1 mmol/L的Na2TeO3,在37 ℃、150 r/min的搖床中避光培養還原Te(Ⅳ)。在探究Te(Ⅳ) 還原時的影響因素時,除因素條件外,其他反應條件保持不變。

1.2.2 Te(Ⅳ)測定方法

溶液中亞碲酸鹽的測定方法采用文獻[17]中描述的 DDTC方法:取1 mL培養液在9 700 g下離心10 min,依次加入0.5 mol/L Tris-HCl(pH=7.0)溶液3 mL和10 mmol/L DDTC溶液1 mL,混勻,室溫避光反應10 min后測定OD340 nm。

1.2.3 Te NRs的表征

使用TEM透射電子顯微鏡在加速電壓為200 kV的條件下獲得了Acinetobacterpittii合成Te NPS的照片。使用配備了EDX(能量色散X射線)微分析儀的SEM(PhilipsXL30,16 kV)裝置觀察Acinetobacterpittii的表面特征以及分析生物合成的Te NRs樣品的表面和元素組成,并通過聚焦在Te NRs的簇上記錄了EDS光譜。采用紫外-可見分光度計(型號Vertex80+Hyperion 2000)在200~800 nm 的波長范圍內記錄純化的Te NRs的紫外-可見光譜。利用 X射線衍射儀(型號為*STADIVARI),在0.1541 nm的CuKa輻射下、2θ=10°~90°,對生物合成Te NRs的晶體結構進行了分析。

1.2.4 Te NRs的純化

為了獲得Te NRs,在9 700 g下離心10 min收集含有Te NRs的培養物,沉淀用PBS洗滌3次,再重新懸浮于無菌去離子水中,放入冷凍研磨儀中研磨(60 Hz,24 min)。細胞破碎后,將懸浮液以3 500 g離心10 min,保留上清液,棄去含有細胞碎片的沉淀。將獲得的黑色膠體懸浮液透析過夜,最后用0.22 μm濾頭過濾,得到Te NRs溶液。

1.2.5 Te NRs的抗菌性能

純化后的Te NRs使用電感耦合等離子質譜儀(ICP-MS)定量。利用不同濃度Te NRs(6,12,24,48 mg/L)對革蘭氏陽性細菌(Bacillussubtilis)和革蘭氏陰性細菌(E.coli)進行了抑菌圈實驗,并用24 mg/L Te NRs對以上兩種細菌處理2.5 h,使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察細菌的形態學變化,研究Te NRs的抗菌性能。

1.2.6 Te NRs催化PMS氧化降解RhB

向25 mL錐形瓶中加入20 mg/L的RhB溶液, 再加入0.06 g/L Te NRs 和0.04 g/L PMS。在150 r/min、35 ℃恒溫水浴振蕩,每隔0.5 h取出樣品,用0.45 μm濾頭過濾,并立即用分光光度計在λmax=554 nm處測定吸光度,實驗設置3組平行樣。

2 結果與分析

2.1 菌株合成Te NRs

菌株Acinetobacterpittii在含0.5 mmol/L Te(Ⅳ)和不含Te(Ⅳ)的平板和還原培養基中好氧培養48 h后,結果如圖1所示。 在無Te(Ⅳ)的情況下平板(圖 1(a))和培養基(圖 1(c))無黑色物質產生;而添加 Te(Ⅳ)的平板(圖 1(b))和培養基(圖 1(d))的顏色會變黑。此外,在非生物對照中Te(Ⅳ)并未發生任何變化,證實了黑色元素Te是Te(Ⅳ)還原的產物。這種現象以前也有[18-19]報道,黑色是Te(0)累積的結果。

圖1 Acinetobacter pittii在含 0.5 mmol/L Te(Ⅳ)(a,c)或不含 Te(Ⅳ)(b,d)的瓊脂平板和礦物鹽培養基上培養 48 h 后 的生長情況Fig 1 Growth of Acinetobacter Pittii cultured for 48 h on agar plate and mineral salt medium containing 0.5 mmol/L Te(Ⅳ) or without Te(Ⅳ)

2.2 合成Te NRs的影響因素

圖2顯示,Acinetobacterpittii合成Te NRs的最佳Na2TeO3濃度和pH分別為0.1 mmol/L和8(圖2a,b)。當初始Na2TeO3濃度為0.5 mmol/L,Acinetobacterpittii對Te(Ⅳ)的還原量最高(約0.42 mmol/L)。當初始Te(Ⅳ)濃度繼續升高至1 mmol/L,Te(Ⅳ)還原率急劇下降,這是由于Te(Ⅳ)的毒性導致細菌活性的下降。Acinetobacterpittii可以在較大的pH范圍內還原Te(Ⅳ),pH值為7.0~9.0時,Te(Ⅳ)的還原率都超過80%,但是當pH下降6.0時,Te(Ⅳ)還原速率明顯降低,推測在酸性環境下菌生長受到抑制,導致其還原能力的降低。

圖2 不同初始Te(Ⅳ)濃度(a)以及不同pH條件(b)下Te(Ⅳ)的還原率(b)Fig 2 Reduction rate of Te(Ⅳ) under different initial Te(Ⅳ) concentrations and different pH conditions

2.3 Te NRs的表征

掃描電鏡(SEM)分析表明,Acinetobacterpittii為短棒狀,(長度為1.7~2.6 μm,直徑為0.7~0.9 μm)(圖3(a))。透射電鏡(TEM)分析表明,Te NRs形態主要為棒狀結構,直徑在50~100 nm之間(圖3(b)),同時成功純化出Te NRs(圖3(c))。對Te NRs的EDS分析清楚地揭示元素碲在3.72 keV處的顯著峰,Cu產生的峰值是由于Te NRs滴于銅網上造成(圖3(d))。

圖3 Acinetobacter Pettii合成Te NRs的掃描電子顯微鏡圖(a)、透射電子顯微鏡圖(b),純化后Te NRs的透射電子顯微鏡圖(c),Te NRs的能譜圖(d)Fig 3 SEM and TEM of the synthesis of Te NRs by Acinetobacter Pittii, TEM of purified Te-NRs, and EDS spectrum of Te NRs

圖4(a)是制備的Te NRs的紫外可見光譜,發現在210 nm處的有明顯的吸收峰。已有文獻證實Te NRs的特征峰是由于表面等離子共振(SPR)[20],證明Te NPs的存在。圖4(b)給出Te NRs的X射線衍射譜,XRD 圖譜通過和標準物質的卡片比對后,發現符合Te的標準卡(ICDD卡號36-1452),特征峰值出現在27.56°、28.26°、40.44°、43.33°和 49.62°分別對應于Te納米晶體的晶面(101)、(102)、(110)、(111)和(201),這證明得到的Te NRs以晶體的形式存在[21]。由XPS(圖3(c))可知Te元素的峰由Te3d3/2和Te3d5/2兩個峰組成,其結合能分別為583.1和573.1 eV,根據標準圖譜對比可知Te為0價。由XPS(圖4(c))可知Te元素的峰由Te3d3/2和Te3d5/2兩個峰組成,其結合能分別為583.1和573.1 eV,根據標準圖譜對比可知Te為0價。

圖4 Te NRs的紫外可見(a),X透射衍射(b),X射線光電子能譜(c),傅里葉紅外圖譜(d)Fig 4 UV-vis, XRD, XPS, FT-IR images of Te NRs

紅外光譜圖(圖4(d))揭示Te NRs與細胞表面化學基團之間可能存在的物理和化學相互作用。Te NRs表面的有機官能團:3 377 cm-1處的吸收峰(O-H伸縮),2 929 cm-1(C-H反對稱伸縮),1 658 cm-1(C=C伸縮),1 550 cm-1(COO-反對稱伸縮),1 237cm-1(多糖和磷脂中的P=O伸縮)、1 070cm-1(肽聚糖C-O和P-O伸縮)。結果表明,蛋白質、多糖的氨基、羰基和羥基官能團參與Te NRs的生物合成。

2.4 Te NRs的抗菌實驗

圖5為抑菌圈實驗,圖5(a)、(c)分別為大腸桿菌與芽孢桿菌的對照組(孔內為無菌水),圖5(b)、(d)分別為大腸桿菌與芽孢桿菌在Te NRs不同濃度下(單位:mg/L)的生長情況。此圖表明Te NRs對革蘭氏陽性菌及革蘭氏陰性菌均具有一定的抑制效應。而且加入相同濃度的Te NRs,對大腸桿菌的抑菌圈明顯大于同等條件下芽孢桿菌的抑菌圈,說明Te NRs對革蘭氏陰性菌的抑菌效果優于革蘭氏陽性菌;這是由于革蘭氏陽性菌細胞壁厚具有更強的抵抗能力[22]。這在表1的最低抑菌濃度(MIC)也有體現。

圖5 抑菌圈實驗:大腸桿菌(a、b),芽孢桿菌(c、d)Fig 5 Bacteriostatic zone test: E. coli and Bacillus

表1 Te NRs最低抑菌濃度Table 1 Minimum inhibitory concentration of Te NRs

為了進一步研究Te NRs對細菌細胞的影響,通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察到有無Te NRs處理的細菌的形態學變化。選擇革蘭氏陽性(Bacillussubtilis)和革蘭氏陰性(E.coli)作為模型細菌。如圖6所示,未經處理的芽孢桿菌和大腸桿菌細胞邊緣清晰,細胞壁光滑。在用Te NRs孵化2.5 h后,兩者細胞表面受損和褶皺,推測Te NRs抗菌機制是其破壞細菌細胞壁或膜,這表明Te NRs可以用于抗菌應用。

圖6 無Te NRs和24 mg/L Te NRs處理大腸桿菌(a,b)和芽孢桿菌(c,d)2.5h后的SEM圖像Fig 6 Typical SEM images of E. coli and Bacillus cells without and with Te NRs treatment at 24 mg/L for 2.5 h

2.5 Te NRs對過硫酸鹽降解RhB的催化性能

2.5.1 RhB在不同體系中的降解情況以及Te NRs/PMS體系降解RhB的影響因素

為了確定生物源Te NRs作為過一硫酸氫鉀復合鹽(PMS)催化劑的潛力,我們討論了RhB自身以及在Te NRs、PMS、Te NRs/PMS 3種體系中的降解,并評價其催化性能(圖7(a))。RhB本身不降解,僅添加Te NRs時,RhB也不降解。單獨加入PMS,RhB降解緩慢,150 min內僅降解53%。在Te NRs/PMS中,RhB在150 min內降解95%以上,在180 min內完全降解。

圖7 RhB在不同體系中的降解情況 (a)c(RhB)=20 mg/L,c( Te NRs)=0.12 g/L,c( PMS)=0.4 g/L, pH=7;影響Te NRs/PMS系統降解的因素 (b)Te NRs濃度,c(RhB)=20 mg/L, c(PMS)=0.4 g/L, pH=7, 35℃; (c)pH,c(RhB)=20 mg/L,c( PMS)=0.4 g/L,c( Te NRs)=0.12 g/L, 35℃; (d)溫度,c(RhB)=20 mg/L, c(PMS)=0.4 g/L, pH=7, c(Te NRs)=0.12 g/LFig 7 Degradation of RhB in different systems

2.5.2 降解途徑分析

圖8 (a)淬滅實驗c(RhB)=20 mg/L,c( TeNRs)=0.12 g/L, c(PMS)=0.4 g/L, pH=8, 35℃, c(BQ)=500 mmol/L, c(EtOH)=500 mmol/L, c(TBA)=500 mmol/L; (b)Rhb在TeNRs/PMS體系中降解的紫外可見光譜Fig 8 (a) Quenching experiment: c(RhB)=20 mg/L, c( TeNRs)=0.12 g/L, c(PMS)=0.4 g/L, pH=8, 35℃, c(BQ)=500 mmol/L, c(EtOH)=500 mmol/L, c(TBA)=500 mmol/L;(b) UV-Vis spectra of Rhb degradation in TeNRs/PMS system

3 結 論

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