新思科技提升3nm移動、HPC和AI芯片設計

肖霞

新思科技近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠（以下簡稱“三星”）已經通過新思科技數字和定制設計工具和流程實現了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3 nm全環繞柵極技術用于對功耗、性能和面積要求極高的應用中。此外，新思科技還獲得了三星的“最先進工藝”認證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實現功耗降低約50 %，性能提高約30 %，面積縮小30 %左右。

一直以來，新思科技攜手三星持續創新，推動智能互聯世界所需要的芯片工藝發展。三星精簡了3 nm工藝開發的成本和時間，并根據PPA設計指標有效地評估了其工藝選項。三星持續將新思科技DSO.ai技術納入其流程中，利用機器學習能力來大規模地探索芯片設計工作流程中的選擇，并加快其流程的開發。

新思科技電子設計自動化（EDA）事業部總經理Shankar Krishnamoorthy表示：“新思科技與三星的戰略合作讓我們能夠保持與他們的每一代工藝技術同步發展。通過提供在先進的三星3 nm技術上認證的業內領先的EDA設計流程，我們的共同客戶可以極大限度地提高其先進SoC的設計能力，更快地實現成功的流片。"