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鍋爐熨斗補水研究

2022-03-12 04:12:42黃志強
中國新技術新產(chǎn)品 2022年23期
關鍵詞:檢測

黃志強

(廈門芯陽科技股份有限公司,福建 廈門 361100)

1 鍋爐熨斗一般設計需求

設計任何產(chǎn)品首先要考慮的是滿足消費者的需求,給消費者帶來便利,鍋爐熨斗也不例外。鍋爐熨斗可以持續(xù)不斷地出一定量的熱蒸汽,同時也可以產(chǎn)生短暫的強力蒸汽,適合熨燙比較厚的衣物。鍋爐熨斗要求能持續(xù)不斷地出熱蒸汽,使用過程中蒸汽不能中斷,這就對鍋爐的補水控制有很高的要求。確保鍋爐內(nèi)部有一定的水量,不能干燒;在補水時不能使鍋爐內(nèi)溫度降低太多而使蒸汽中斷;不能補水太多,避免在釋放蒸汽時鍋爐內(nèi)水因沸騰而直接噴出。當蒸汽開關打開控制出蒸汽時不可以有水滴出來,要求鍋爐溫度和熨斗本體溫度低時,按出蒸汽開關時也不能打開電磁閥釋放蒸汽。

2 鍋爐熨斗規(guī)格

常規(guī)的鍋爐熨斗的鍋爐加熱管功率2000W,用于加熱鍋爐,使鍋爐達到一定的溫度;鍋爐總容積700mL,可以形成相當量的飽和蒸汽;交流水泵45W,每分鐘抽水量240mL,用于從水箱里把水泵到鍋爐內(nèi);交流電磁閥12W,當需要出蒸汽時,通過檢測出蒸汽開關,在鍋爐蒸汽達到特定要求時控制電磁閥,打開出蒸汽管道;熨斗部分功率900W,作為熨燙面料的部件,當出蒸汽時可以對蒸汽進行二次加熱。

3 鍋爐熨斗產(chǎn)生蒸汽過程

鍋爐熨斗產(chǎn)生蒸汽過程圖如圖1 所示。開始使用前在鍋爐熨斗的水箱①中加入適量水;熨斗通上電后,根據(jù)需要抽水泵②將水箱①中的水抽到鍋爐③內(nèi);鍋爐進行加熱,使鍋爐內(nèi)部產(chǎn)生一定溫度和壓力的飽和蒸汽;用戶進行熨燙過程中需要出蒸汽時,通過熨斗本體⑤上的控制開關,控制電磁閥④打開鍋爐出蒸汽的通道,蒸汽輸出到熨斗本體⑤進行二次加熱;最終產(chǎn)生高溫蒸汽⑥,達到對衣物快速去皺的效果。

圖1 鍋爐熨斗產(chǎn)生蒸汽過程圖

4 主要硬件電路

鍋爐熨斗控制板的電源部分電路圖如圖2 所示。電源芯片采用必易KP3110,該芯片是一款非隔離型、高集成度、低成本的PWM 功率開關,此電路可提供5V 大于150mA 的電源。電路中TVR1 壓敏電阻用于浪涌干擾吸收,防止大的浪涌干擾損壞電子器件。R1 作用類似TVR1,但R1 是分擔電源電路及后端所串接的電子器件的干擾。D2、D3 這2 個二極管串接的目的是當反向打高壓脈沖測試時,因二極管單個耐壓只有1000V,串接2 個可以降低反向擊穿可能性,避免KP3110 反電擊損傷。E1、L1、E2 組成π型濾波電路,對經(jīng)過D2、D3 二極管整流后的市電進行濾波。R6 電阻用于調(diào)整最大輸出負載電流。L2 為buck 電路儲能電感,在KP3110 內(nèi)部開關導通時間內(nèi)L2 進行儲能,L2 電感電流增加,并對E3 電容供電;當KP3110 內(nèi)部開關關斷時L2 及D4 持續(xù)對E3 供電。在L2、D4 對E3 供電的同時,L2 和D1 組成的電路也同步對C1 進行供電。C1為KP3110 提供工作電源,同時也是KP3110 穩(wěn)定電壓的電壓基準。當C1 電壓高于5V 時,KP3110 內(nèi)部開關導通一定時間后關斷一定時間,并持續(xù)開通及關斷;當C1 電壓達到5V 時,KP3110 關斷后就不再導通,直到電壓降低到5V 以下再重新導通,進而達到穩(wěn)定電壓輸出。

圖2 電源電路圖

水泵驅動電路如圖3 所示。水泵一端接L 線,一端接到電路中的PUMP。采用單相可控硅SCR1 驅動交流水泵。交流水泵本身內(nèi)帶二極管,實際的作用只用電源的正半周,因此可以采用單相可控硅來驅動。R41 用于給可控硅的驅動偏置,使可控硅在剛上電或沒有驅動信號時驅動腳為穩(wěn)定的低電平,避免水泵誤動作。R39 接到MCU 的水泵驅動IO 口。單相可控硅一般驅動電流只要兩200 μA 左右就可以導通,比較容易受到干擾,預留C10 作為抗干擾器件。D7 二極管用于加強可控硅的反向耐壓,MCR100-8 的可控硅反向耐壓為400 V,增加D7 整流二極管可以大大提升可控硅的反向耐壓。C7 電容和R38 電阻為預留對策EMC 器件。

電磁閥的驅動電路如圖4 所示,電磁閥為交流電磁閥,一端接L,一端接電路中VALVE。采用雙向可控硅Q3 驅動,R11 為偏置電阻,C13 為預留抗干擾電容,功能如圖3 中的R41 和C10。R14 連接到MCU 的IO 口,用于驅動雙向可控硅。電磁閥功率只有12 W,流過電磁閥的電流只有55 mA左右。一般雙向可控硅的工作象限在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ,對驅動電流要求會比較低,導通壓降也比較小。但考慮成本因素(采用低成本的非隔離電源架構),該設計可控硅工作在Ⅰ、Ⅳ象限,雖然用到第Ⅳ象限,但因驅動的負載功率足夠小,Ⅳ象限的設計并不會產(chǎn)生問題。

圖3 水泵驅動電路

圖4 電磁閥驅動電路

繼電器驅動電路如圖5 所示,采用繼電器控制加熱管進行加熱,加熱管一端接OUT1,一端接N 線。鍋爐加熱和熨斗本體加熱都采用繼電器控制,繼電器用5 V 電源供電,MCU 的驅動信號通過R13 電阻再經(jīng)過Q2 三極管進行放大來驅動繼電器,MCU 輸出高電平時三極管進入飽和導通狀態(tài),繼電器觸點吸合,加熱管通電加熱。當MCU 輸出低電平時三極管截止,繼電器觸點斷開,加熱管斷電不加熱。D5 為開關二極管,用于在繼電器驅動斷開時進行續(xù)流,使繼電器線圈的電流不會對驅動三極管產(chǎn)生沖擊。開關二極管的反向恢復時間非常快,在4 ns 左右,而普通整流二極管的反向恢復時間為微秒級,使用開關二極管比普通整流二極管的吸收沖擊電流效果要好很多。在繼電器的觸點輸出端增加了觸點異常的檢測電路,由R2、R8、R12 構成。當繼電器吸合時,市電電壓經(jīng)過電阻分壓再輸入MCU 的IO 口,雖然分壓比大約為1/10,理論電壓峰值為220×1.414×100/(100+470+470),大約30 V,因MCU 的IO 內(nèi)部有保護二極管(對地和對電源的2 個二極管),30 V 的小電流信號到IO 會被鉗位到0 V 和5 V 左右,實際到IO 口就是接近方波信號。即當繼電器正常吸合時,MCU 可以檢測到方波信號,繼電器斷開時,MCU檢測到持續(xù)的低電平信號。如果繼電器吸合時未檢測到方波信號,說明繼電器異常或檢測電路異常;如果繼電器斷開時檢測到方波信號,說明繼電器觸點未能正常斷開,在這種情況下需要進行異常報警提示。

圖5 繼電器驅動電路

NTC 測溫電路(NTC 為負溫度系數(shù)熱敏電阻)如圖6 所示。NTC 組件接到CN23 接線端子上,用于檢測鍋爐溫度。NTC 與電阻串聯(lián)接在5 V 和GND 之間,通過R75 電阻C1 電容濾波后接到MCU 的AD 口進行電壓檢測。軟件換算出阻值,并根據(jù)NTC 的RT 表對應到相應溫度,NTC 安裝在鍋爐的底部。

圖6 NTC 測溫電路

5 關于蒸汽、壓力、溫度、能量的關系

5.1 水加熱到沸點所需的熱量

假設1 g 的常溫水初始溫度為25 ℃,加熱到沸點100℃,則所需要的熱量為(100-25)×4.2=315 J。

5.2 水汽化所需的熱量

水的汽化熱為40.8 kJ/mol。

質(zhì)量=摩爾質(zhì)量×物質(zhì)的量。

水的摩爾質(zhì)量約為18 g/mol,1 mol 水質(zhì)量為18 g。

1 g 水汽化所需的熱量為40.8×1 000/18=2 267 J。

5.3 飽和蒸汽壓力與溫度關系

摩爾量=物質(zhì)的質(zhì)量/物質(zhì)的摩爾質(zhì)量,水蒸汽為18。

PV=nRT=>n/V=P/RT,其中n為摩爾量,R 為常數(shù),n/V代表密度。

則水蒸汽的密度與壓力成正比,與溫度成反比[1],見表1。

表1 飽和蒸汽溫度密度絕對壓力關系表

飽和蒸汽的溫度密度壓力關系圖如圖7 所示。當控制溫到在140 ℃時,瞬間釋放蒸汽的蒸汽量為(1.967-0.6)×700×2/3/1000=0.638 g。1.967 為140 ℃時鍋爐內(nèi)部的飽和蒸汽密度(單位kg/m3),0.6 為標準大氣壓下的飽和蒸汽密度(單位kg/m3),700 為鍋爐容量(單位為mL),2/3 是以鍋爐內(nèi)水位為1/3 時鍋爐內(nèi)的蒸汽占比,除1000 為單位換算。

圖7 飽和蒸汽溫度密度絕對壓力曲線

控制140 ℃飽壓后釋放蒸汽可釋放的蒸汽量為0.638 g。

5.4 連續(xù)出蒸汽時的平衡補水點

水泵一秒可以抽水4 g,鍋爐功率2 000 W,先計算水泵補水一秒需要加熱多久形成蒸汽:[4×(100-25)×4.2+4×2 267]/2 000=5.164 s

(100-25)為常溫水加熱到沸點的溫度差,4.2 為水的比熱容,2 267 為為水的汽化熱,也就是水泵抽一秒有4 g 的水到鍋爐里面,鍋爐以2 000 W 的功率連續(xù)加熱5.164 s 可以把所有4 g 的水全部加熱成水蒸汽[2]。因鍋爐的熱量并不是全部傳導到水里,還有一部分會散到環(huán)境中,因此實際所需加熱的時間要比5.164 s 長一些。

5.5 維持沸點功率水量平衡點

設水泵一秒可以抽水X,g,鍋爐功率Y,W,計算使水保持沸點時X和Y的關系。同樣以常溫25 ℃水進行計算。Y=X×(100-25)×4.2=315×X。當X=4 g 時,Y=1 260 W,也即當鍋爐功率如果是2 000 W,水泵流量為4 g/s 時。連續(xù)加熱時,水泵連續(xù)抽水,鍋爐內(nèi)部的水可以一直保持沸騰狀態(tài)。但如果鍋爐功率小于1 260 W 時,連續(xù)的補水會使水溫降低,進而中斷蒸汽的輸出。當Y=2 000 W 時,X=6.35 g,也即當鍋爐功率為2 000 W 時,水泵流量大于6.35 g/s 時就會使蒸汽中斷。當鍋爐功率夠大,水泵流量不會太大時,連續(xù)的抽水雖然不造成鍋爐內(nèi)的水溫下降,但鍋爐內(nèi)的水位會快速上升,使鍋爐內(nèi)的氣體空間減少,水沸騰時可能會有水直接沖到電磁閥出蒸汽口,導致熱水噴出。

6 補水方案

實際的補水方案有很多關聯(lián)因素無法完全用理論計算出來,例如各部件的個體差異,包括水泵流量、鍋爐功率、結構等,入水溫度的不確定,電網(wǎng)電壓波動,出氣管阻力不同等。因此如果只是按理論結果并按固定方式進行補水的話,很有可能會導致水量越來越少或越來越多。

目前有幾種針對鍋爐熨斗的控制方案,有的帶水位檢測探針,以控制最高水位,有的用NTC 來檢測溫度進而反應出蒸汽量。

6.1 有探針的鍋爐補水方案

針對有探針的鍋爐熨斗,初始冷態(tài)的補水可以在預熱時直接補水,直到到達水位探針位置。

鍋爐如果有探針,可以通過探針對水位進行檢測。但探針檢測在出蒸汽狀態(tài)下會受蒸汽影響而誤測為水位到達,這就需要等到鍋爐內(nèi)蒸汽量較小時再檢測,也即此時的鍋爐內(nèi)水基本燒干,如果沒有及時補水就會有干燒的問題。

該文針對有探針鍋爐熨斗的補水方案如下:在出蒸汽狀態(tài)下,當檢測有水時,以每10 s 補水1 s(補水量小于平衡點),這樣水位將會降低。當探針檢測不到水時,出蒸汽狀態(tài)下每5 s 補水1 s(補水量略大于平衡點),這樣水位將會緩慢增加。當不出蒸汽時,如果檢測有水則不補水,如果檢測無水則按5 s 補1 s 的補水方式補8 個周期。這樣的補水方式可以確保鍋爐內(nèi)的水位不會有大的變化,可以使出蒸汽比較平順。

6.2 帶NTC 的鍋爐熨斗補水方案

對無探針帶NTC 的鍋爐熨斗,當熨斗處于冷態(tài)時,熨斗采用預加熱的方式,通過NTC 的溫升速度可以預估鍋爐內(nèi)的水量,如果預估水量小于1/3,則按預估的水量再補水到約1/3。并一直加熱到NTC 檢測到溫度到140 ℃,關閉加熱并且電磁閥可以受出蒸汽開關控制進行蒸汽釋放。

關于蒸汽量的估算,按實際的測試可以擬合一個溫度與水量的關系式,即M=(A-T0×B)/△T-C。其中M為水量,T0為當前溫度,△T為溫升速度,A、B、C 為常數(shù)。A 為和鍋爐功率相關的常數(shù),B 為鍋爐的散熱系數(shù),C 為鍋爐本身比熱相關的常數(shù)。通過幾個不同水量的溫升速度測試就可以確定A、B、C 這3 個常數(shù),進而建立水量計算公式。

從公式n/V=P/RT來看,當連續(xù)出蒸汽時壓力P基本恒定,鍋爐內(nèi)的溫度和蒸汽量成反比。補水的節(jié)奏可以根據(jù)溫度進行調(diào)整,當溫度高時,加快補水節(jié)奏。溫度小于120 ℃時補水以15 s 補1 s 的方式進行,溫度為120 ℃~130 ℃時以10 s 補1 s 的方式補水,溫度為130 ℃以上時以5 s 補1 s的方式補水[3]。

當不出蒸汽時,如果壓力開關動作(用于保證鍋爐內(nèi)的壓力不會過高,壓力開關直接串接在鍋爐加熱體,動作時可以斷開加熱),說明壓力達到了一定的值。此時溫度與蒸汽量成反比。溫度高說明鍋爐內(nèi)的蒸汽量比較少,蒸汽未到飽和,鍋爐內(nèi)無液態(tài)水,此時可以進行補水。如果鍋爐內(nèi)完成沒水,有可能無法形成壓力,因此在檢測到比較高的溫度時要關掉鍋爐加熱。

7 總結

該文介紹了鍋爐熨斗的蒸汽產(chǎn)生系統(tǒng)、電源供電電路和主要部件的控制驅動硬件電路。從理論基礎出發(fā),研究了鍋爐溫度與蒸汽壓力的關系、鍋爐溫度與蒸汽儲量的關系、加熱功率與水汽化量的關系。針對帶鍋爐溫度傳感器檢測和鍋爐水位探針檢測水位這2 種不同設計方案,分別給出了對應的加熱及水泵補水控制方法。該控制方法具有普遍適用性,對進行鍋爐熨斗控制的軟件設計有指導性作用,包括軟件控制架構,參數(shù)的設定方法等。另外也可以給類似的產(chǎn)品如咖啡機、蒸汽烤箱等產(chǎn)品提供借鑒。該文的方法通過簡單的控制邏輯達到了較好的蒸汽產(chǎn)生效果,當然如果要達到更高的要求,如保持鍋爐內(nèi)溫度水量精準可控,還需要進一步的深入研究。可以對整個熨斗系統(tǒng)建立完整的數(shù)字模型,通過測量參數(shù)與數(shù)字模型比對修正,實時了解整個系統(tǒng)狀態(tài),達到更高的控制要求。

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