中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

科學導報訊 記者王小靜 2月28日，記者從中國電子科技集團公司第二研究所獲悉，該所成功研制出山西省首片碳化硅芯片。

據了解，作為新一代雷達、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，碳化硅在航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優點，更適合開發具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優勢的功率半導體器件，可有效突破傳統硅基材料的物理極限，已成為我國重點發展的戰略性先進半導體。

事實上，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩定性的長晶工藝技術是其核心。如今，這一“心臟技術”只有少數發達國家掌握在手，極少數企業能夠實現商業化量產。自2007年，中國電科二所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。經過多年的不懈努力，全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣芯片量產。