索尼開發(fā)出“2層晶體管像素的堆疊式 CMOS”

索尼半導體解決方案公司宣布開發(fā)出“世界上第一個具有 2 層晶體管像素的堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術”。這項新技術將光電二極管與像素晶體管分離到不同的基板層上，與更傳統的圖像傳感器相比，單個像素可以捕獲的光量幾乎翻了一番。

索尼表示，其專有的“2 層晶體管像素”技術將光電二極管（將光子轉換為電信號）和像素晶體管（控制這些電信號）分離到彼此堆疊的不同基板層上。除了優(yōu)化架構外，這種堆疊技術還使它們能夠增加放大器晶體管的尺寸，這兩個好處意味著單個像素將具有幾乎兩倍的飽和信號水平，并且能夠減少在弱光環(huán)境中捕獲的圖像的噪聲。

具體來說，“這項新技術提供的動態(tài)范圍擴大和降噪功能將防止在結合明亮和昏暗照明（例如背光設置）的設置中曝光不足和過度曝光，即使在弱光（例如室內、夜間）設置下。雖然官方沒有具體說明何時會在消費類圖像傳感器中看到這一點，但暗示它的設計考慮了智能手機圖像傳感器。