新研究助力高速大容量數(shù)據(jù)通信

溫才妃　法伊莎

蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授田永輝團(tuán)隊(duì)與澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)教授阿南·米切爾課題組、上海交通大學(xué)教授蘇翼凱課題組合作，在薄膜鈮酸鋰晶圓的表面沉積了一層氮化硅薄膜，通過(guò)成熟的CMOS兼容工藝刻蝕氮化硅層得到氮化硅—鈮酸鋰異質(zhì)脊型波導(dǎo)，解決了直接刻蝕鈮酸鋰薄膜帶來(lái)的波導(dǎo)側(cè)壁角度等問(wèn)題，并基于該波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了高性能的模式和偏振復(fù)用器件。該工作有望助力高速、大容量數(shù)據(jù)通信，并為薄膜鈮酸鋰平臺(tái)上有源及無(wú)源器件全集成的光子芯片提供新的解決方案。相關(guān)研究近日以封面文章形式在線發(fā)表于《激光與光子學(xué)評(píng)論》。