新思科技推出業(yè)界首個完整HBM3IP和驗證解決方案

鄒玉澤

新思科技近日宣布推出行業(yè)首個完整的HBM3 IP解決方案，包括用于2.5D多裸晶芯片封裝系統(tǒng)的控制器、PHY和驗證IP。HBM3技術(shù)可幫助開發(fā)者滿足高性能計算、AI和圖形應(yīng)用的片上系統(tǒng)（SoC）設(shè)計對高帶寬和低功耗內(nèi)存的要求。新思科技的DesignWare HBM3控制器和PHY IP以經(jīng)過硅驗證的HBM2E IP為基礎(chǔ)，充分利用新思科技的中介層專業(yè)知識，能夠提供低風(fēng)險解決方案，從而實現(xiàn)高達921 GB/s的內(nèi)存帶寬。

新思科技驗證解決方案包括具有內(nèi)置覆蓋率和驗證計劃的驗證IP、用于ZeBu仿真的現(xiàn)成HBM3內(nèi)存模型以及HAPS原型驗證系統(tǒng)，可加快從HBM3 IP到SoC的驗證速度。為加速HBM3系統(tǒng)設(shè)計的開發(fā)，新思科技3DIC Compiler多裸晶芯片設(shè)計平臺提供了一個完全集成的架構(gòu)探索、實施和系統(tǒng)級分析解決方案。

DesignWare HBM3 PHY IP采用5納米工藝，可提供預(yù)硬化或客戶可配置的PHY，每引腳的運行速度高達7 200 Mbps，顯著提升了功耗效率，并支持多達4個有效工作狀態(tài)，從而實現(xiàn)動態(tài)頻率調(diào)節(jié)。DesignWare HBM3 PHY利用優(yōu)化的micro bump陣列以盡可能減少占位面積。基于其對中介層繞線長度的支持，開發(fā)者可以更加靈活地安排PHY，而不會影響性能。

新思科技面向HBM3的驗證IP使用新一代原生型SystemVerilog Universal Verification Methodology（UVM）架構(gòu)，簡化現(xiàn)有驗證環(huán)境的整合難度，支持更多測試運行，從而縮短首次測試需要的時間。用于ZeBu仿真和HAPS原型驗證系統(tǒng)的現(xiàn)成HBM3內(nèi)存模型可實現(xiàn)RTL和軟件驗證，從而實現(xiàn)更高水平的性能。

新思科技營銷和戰(zhàn)略高級副總裁John Koeter表示：“新思科技不斷滿足數(shù)據(jù)密集型SoC的設(shè)計和驗證要求，為HBM3、DDR5和LPDDR5等領(lǐng)先協(xié)議提供高質(zhì)量的內(nèi)存接口IP和驗證解決方案。完整的HBM3 IP和驗證解決方案讓開發(fā)者依賴同一家供應(yīng)商，可以滿足日益增長的帶寬、延遲和功耗要求，同時加速驗證收斂。”

新思科技廣泛的DesignWare IP組合包括邏輯庫、嵌入式存儲器、PVT傳感器、嵌入式測試、模擬IP、接口IP、安全IP、嵌入式處理器以及子系統(tǒng)。為了加速原型設(shè)計、軟件開發(fā)以及將IP核整合進芯片，新思科技IP Accelerated計劃提供IP核原型設(shè)計套件、IP核軟件開發(fā)套件和IP核子系統(tǒng)，在IP質(zhì)量和全面技術(shù)支持方面進行了大量投資，以協(xié)助開發(fā)者降低集成風(fēng)險，縮短產(chǎn)品上市時間。

美光公司（Micron）高性能存儲器和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)副總裁兼總經(jīng)理Mark Montierth表示：“Micron致力于為世界最先進的計算系統(tǒng)提供業(yè)界性能最佳的解決方案。HBM3所提供的內(nèi)存帶寬對實現(xiàn)下一代高性能計算、人工智能和百萬兆級系統(tǒng)至關(guān)重要。我們與新思科技的合作將加速HBM3產(chǎn)品生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，以實現(xiàn)前所未有的超高帶寬、功耗和性能。”

三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃高級副總裁Kwangil Park表示：“在數(shù)據(jù)驅(qū)動的計算時代，人工智能、高性能計算、圖形和其他應(yīng)用程序的發(fā)展極大提高了對內(nèi)存帶寬的需求。作為世界領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，三星一直致力于支持生態(tài)系統(tǒng)的形成，并開發(fā)HBM以滿足不斷增長的帶寬需求。新思科技是HBM行業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)先驅(qū)，也是三星的重要合作伙伴，我們期待與新思攜手繼續(xù)為客戶提供更好的HBM性能。”

海士力（SK hynix）公司副總裁、HBM產(chǎn)品負責(zé)人兼DRAM設(shè)計主管Cheol Kyu Park Hyun表示：“作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，海士力不斷投資開發(fā)包括HBM3 DRAM在內(nèi)的下一代內(nèi)存技術(shù)，以滿足AI和圖形應(yīng)用工作負載的指數(shù)式增長所帶來的需求。與新思科技建立長期合作關(guān)系，有助于我們?yōu)楣餐蛻籼峁┙?jīng)過全面測試和可互操作的HBM3解決方案，以提高內(nèi)存性能、容量和吞吐量。”

Socionext數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門副總裁Yutaka Hayashi表示：“Socionext與新思科技攜手合作，為我們在廣泛市場的共同客戶提供全面解決方案。基于新思科技在5納米制程方面的HBM2E IP和集成式全系統(tǒng)多裸晶芯片設(shè)計平臺，我們與新思科技的合作將得以擴展，包括最新的DesignWare HBM3 IP和驗證解決方案，協(xié)助我們的客戶在HBM3規(guī)范的SoC方面實現(xiàn)更高的內(nèi)存性能和容量。”