軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)研究

李靜 尚恒

【關(guān)鍵詞】軍用;電子元器件;檢測(cè);質(zhì)量

一、引言

軍用電子元器件作為軍事戰(zhàn)略中最基礎(chǔ)也是最重要的關(guān)鍵硬件，我國通過制定軍用電子元器件標(biāo)準(zhǔn)的方式，嚴(yán)格把控軍用電子元器件質(zhì)量。針對(duì)軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)的研究并不少見，主要是通過超聲波檢測(cè)法，實(shí)現(xiàn)軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)。該技術(shù)能夠精準(zhǔn)定位軍用電子元器件損傷部位，但應(yīng)用在軍用領(lǐng)域中，會(huì)受到工件材質(zhì)和晶粒度的影響，導(dǎo)致其檢測(cè)精度降低。為此，本文提出軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)研究，通過設(shè)計(jì)一種新型質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)，探究電子元器件質(zhì)量控制的新思路和新方法。

二、軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)

（一）確定軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)關(guān)鍵點(diǎn)

以軍用電子元器件為目標(biāo)，通過確定軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)關(guān)鍵點(diǎn)的方式，提取其質(zhì)量特征參數(shù)。建造軍用電子元器件質(zhì)量節(jié)點(diǎn)切片，預(yù)先提取目標(biāo)檢測(cè)點(diǎn)，并在直線中進(jìn)行擬合，擬合目標(biāo)檢測(cè)點(diǎn)在直線中的位置，根據(jù)軍用元器件類別以及質(zhì)量分級(jí)，提取目標(biāo)檢測(cè)中的關(guān)鍵點(diǎn)，在完成上述統(tǒng)計(jì)的軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，針對(duì)不同的質(zhì)量等級(jí)，分別采取相應(yīng)的檢測(cè)處理措施。

（二）同步采集軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)特高頻信號(hào)

確定軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)關(guān)鍵點(diǎn)后，考慮到軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)信號(hào)中存在諸多特高頻信息以及低頻信息，而其主要信息均存儲(chǔ)在特高頻信息中。采用同步采集的方式，高速獲取軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)特高頻信號(hào)。首先，采集初始軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)信號(hào);而后，觸發(fā)脈沖，同步輸出軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)信息;再通過過濾的方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)局放脈沖同步處理。同步采集軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)特高頻信號(hào)流程圖，如圖1所示。

圖1所示過程中，最為關(guān)鍵的一步是針對(duì)脈沖信號(hào)的過濾，本文采用過濾器，保證軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)特高頻信號(hào)的過濾純度，為下文分析軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)圖譜異常提供精度支持。

（三）得出軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果

以上述同步采集得到軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)特高頻信號(hào)為依據(jù)，等待前端獲取信息的處理完成后，可持續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)的處理工作，使數(shù)據(jù)處理處于一種相對(duì)循環(huán)的過程。在深入對(duì)此種數(shù)據(jù)處理方法的本質(zhì)分析中發(fā)現(xiàn)，此種處理方式更加適用于對(duì)質(zhì)量信息的處理，包括數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)終端調(diào)用等。此過程需要建立在數(shù)據(jù)采集工作已完善的基礎(chǔ)上，即通過采樣處理的方式，對(duì)高頻信號(hào)與特高頻信號(hào)進(jìn)行處理，并在終端優(yōu)先輸出前端錄入的數(shù)據(jù)。設(shè)此過程的目標(biāo)函數(shù)為S（hij，u），則有公式（1）。

根據(jù)上文得出的圖譜異常為質(zhì)量檢測(cè)切入點(diǎn)，提取軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)數(shù)據(jù)。并將字符型軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)值型軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)數(shù)據(jù)。此過程，可通過公式可表現(xiàn)為：

三、實(shí)例分析

（一）前期準(zhǔn)備

構(gòu)建實(shí)例分析，實(shí)驗(yàn)對(duì)象為HKUS-RFF3-323混合集成電路，實(shí)際質(zhì)量等級(jí)為H1。為證明本文設(shè)計(jì)檢測(cè)技術(shù)的精準(zhǔn)性，首先使用本文設(shè)計(jì)檢測(cè)技術(shù)對(duì)軍用電子元器件質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，設(shè)置為實(shí)驗(yàn)組;再使用傳統(tǒng)檢測(cè)技術(shù)對(duì)軍用電子元器件質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，設(shè)置為對(duì)照組。實(shí)驗(yàn)對(duì)比指標(biāo)為兩種檢測(cè)技術(shù)下測(cè)得的檢測(cè)結(jié)果與實(shí)際檢測(cè)結(jié)果之間的誤差，測(cè)得的檢測(cè)結(jié)果與實(shí)際檢測(cè)結(jié)果之間的誤差越小，證明該檢測(cè)技術(shù)針對(duì)軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)精度越高。本次實(shí)驗(yàn)共設(shè)置檢測(cè)批次為5次。

（二）實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

具體實(shí)驗(yàn)結(jié)果，如表1所示：

由表1中實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，本文設(shè)計(jì)檢測(cè)技術(shù)檢測(cè)結(jié)果與實(shí)際檢測(cè)結(jié)果相比完全一致，且不存在任何誤差。而對(duì)照組在5次檢測(cè)過程中，共出現(xiàn)4次檢測(cè)結(jié)果與實(shí)際檢測(cè)結(jié)果不符的情況，證明存在檢測(cè)誤差。由此可見，本文設(shè)計(jì)檢測(cè)技術(shù)檢測(cè)誤差明顯小于對(duì)照組，針對(duì)軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)精度更高。

四、結(jié)束語

本文通過設(shè)計(jì)軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)，明確軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)的必要性。一旦軍用電子元器件表面存在損傷情況，必然會(huì)對(duì)其質(zhì)量造成巨大影響，進(jìn)而引發(fā)一系列的安全問題。因此，在后續(xù)的研究中應(yīng)該進(jìn)一步加大對(duì)軍用電子元器件質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)的研究力度，為保證軍用電子元器件質(zhì)量，提高軍用電子元器件安全可靠性提供先進(jìn)的技術(shù)支持。