“GaN 電子器件與先進集成”專題前言

GaN 半導體技術是具有戰略性、先導性等顯著特性的新一代半導體芯片技術。因GaN 材料具有寬禁帶寬度、高功率密度、強擊穿電場等優勢，GaN 電子器件，尤其是GaN 微波固態器件，已被公認為變革軍事電子系統與架構的顛覆性元器件之一，上述器件在我國目前推進的嫦娥、天宮等航天工程以及空間站建設任務中的應用正得到國家的大力支持。

隨著能源高效轉換、5G 通信的創新應用，GaN 半導體技術在民用領域也呈現出一番光明的前景。GaN 半導體技術沿襲拓展摩爾定律的技術路線，采取以非尺寸依賴的特色工藝，它有望成為我國在裝備-材料-芯片全鏈條上擺脫西方封鎖、實現獨立發展的半導體產業新技術。以GaN 半導體技術為代表的寬禁帶半導體技術也因此被正式寫入國家的“十四五”規劃中，這極大地促進了該領域技術創新鏈、產業鏈和投資鏈的相互滲透。

目前，GaN 功率與射頻半導體技術是學術界、產業界共同關注的熱點領域，對前者的應用研究、產品研制和集成應用均需得到主流半導體技術的支撐和符合系統架構的應用與標準。為此，我們推出了“GaN 電子器件與先進集成”專題，圍繞GaN 功率半導體、微波固態器件與MMIC 兩個方向，分別形成四篇、一篇特邀報告，基本覆蓋GaN 微波、功率半導體與集成應用的關鍵要素點，較全面地反映了GaN 功率器件先進封裝、GaN 電力電子器件、GaN 單片集成芯片、GaN HEMT 柵驅動技術以及GaN 微波固態器件、MMIC 毫米波芯片的最新研究成果和研究進展。

衷心感謝為專題提供特邀論文的專家學者們的大力支持，感謝審稿專家們的嚴格把關。相信本專題將有利于推動我國GaN 電子器件與先進集成的半導體技術研究與產業發展。