新型硅酸鹽的合成

沈麗霞，宋穎韜

（沈陽理工大學 環境與化學工程學院，遼寧 沈陽 110045）

ZSM-5 具有獨特的三維通道結構，又稱MFI 結構。它的基本結構由8 個五元環組成，這種基本結構單元通過共邊連結成鏈狀結構，然后再圍成沸石骨架。它的主孔道為十元環，孔徑尺寸為0.54 nm×0.56 nm。ZSM-5 沸石分子篩的特殊結構，使其具有極好的催化活性、擇形性和熱穩定性，被廣泛應用于多相催化、吸附、分離、傳感器等領域[1]。然而，隨著研究的深入，單純ZSM-5的擇形性能和擴散性能具有一定的缺陷性，限制了其在催化方面的應用[2]。為了提高ZSM-5 的催化性能，科研工作者對ZSM-5進行了多種改造，如負載各種金屬、金屬氧化物及金屬有機化合物，接枝有機分子修飾，摻雜等[3-5]。雖然釩氧化物催化劑具有許多優點，但是通過構造結構新穎的釩氧化物以增大其比表面積來提高催化劑的活性與選擇性一直是研究的難點與熱點問題[6-8]。

因此選擇將釩嵌入ZSM-5晶格為研究對象，通過在分子水平上構建前驅體，探索單態釩氧四面體嵌入ZSM-5分子篩晶格催化劑合成控制新方法。

1 分子篩V-magadiite 的合成與表征

1.1 magadiite 的合成

稱取一定量的NaOH 固體，然后加入相應量的水，形成透明的溶液，進行電動機械攪拌，在攪拌的條件下，加入一定量的硅溶膠，繼續攪拌1 h，轉移到50 mL 水熱反應釜中進行反應。待反應完成后進行抽濾，然后用蒸餾水洗滌（250 mL 燒瓶浸泡幾次，注意換水），直到pH 大約為7 時為止。最后，干燥即得到mag。

通過嘗試不同原料比例合成并觀察成品，團隊決定使用1.1 g NaOH、18 g 硅溶膠、18 g H2O 在150 ℃下反應48 h 合成原料magadiite。

1.2 magadiite 的表征

利用XRD 對magadiite 進行表征，結果如圖1所示。

圖1 magadiite XRD

由圖1 可以看出，所制得magadiite 在2θ=2.80°、26.10°處存在較強的衍射峰，與標準magadiite 衍射特征峰對應。同時，圖形的基線平穩，衍射峰強度較高且沒有明顯雜峰存在，說明所合成的magadiite具有較高的純度。

1.3 分子篩前體V-magadiite 的合成

稱取一定量的NaOH 固體，然后加入相應量的水，形成透明的溶液，加入一定量的V2O5形成溶液，進行電動機械攪拌，在攪拌的條件下加入一定量的硅溶膠，繼續攪拌1 h，轉移到50 mL 水熱反應釜中進行反應。待反應完成后進行抽濾，然后用蒸餾水洗滌，直到pH 大約為7 時為止。最后，干燥即得到V-mag。

2 V-ZSM-5 合成與表征

2.1 V-ZSM-5 分子篩的合成

本文采取將magadiite 轉晶生成相應沸石分子篩的方法制成ZSM-5 分子篩。

具體步驟為：向上一步所得成品V-mag 中加入模板劑、H2O、KOH 混合，置于50 mL 不銹鋼反應釜中。將混合物在室溫下攪拌30 min，混合均勻成白色凝膠。將反應釜密封，放入150 ℃恒溫箱中轉晶36 h。抽濾并用去離子水洗滌至中性，干燥得到產物，并將產物置于500 ℃馬弗爐中煅燒10 h。

實驗采取10 種不同V/Si 比例制備V-ZSM-5 分子篩，并對其中5 個樣品進行了表征，V/Si 比例為別為0.7∶20、0.8∶20、1.0∶20、1.2∶20、1.8∶20。

2.2 V-ZSM-5 分子篩的表征

2.2.1 V-ZSM-5 分子篩的組分表征

將所得樣品用XRD 進行分析，由圖2 的譜圖可以看出，所制得分子篩具有典型的MFI 結構特征，分別在2θ=7.50°、8.90°、23.10°、23.88°、24.50°處存在較強的衍射峰，分別對應V-ZSM-5 的（011）、(020)、(051)、(511)、(313)晶面的特征衍射峰。同時，圖線衍射峰強度根據V/Si 比例變高而變高，且沒有較多雜峰，說明所合成的V-ZSM-5 分子篩具有較高的純度及結晶度。其中V/Si 比例為0.7∶20 和0.8∶20 的樣品衍射峰不明顯，說明合成過程中選擇的V/Si 比例不宜太低，會較大程度上影響分子篩的結晶度。

圖2 V-ZSM-5 分子篩的IR 譜圖

2.2.2 V-ZSM-5 分子篩的UV-vis 表征

V-ZSM-5 分子篩的UV-vis 表征結果見圖3。從圖3 中不難看出，改變V/Si 的比例，吸收強度發生了明顯的變化。其中每一種比例長在250～400 nm之間吸收強度變化顯著，但是在450 nm 以后，隨著波長的增加吸收強度幾乎不發生變化。其中V/Si比例為1.2∶2.0 時峰值變化比較明顯，是比較好的合成比例。當V/Si 比例小于等于0.7∶2.0 和大于等于1.8∶2.0 時，吸收強度幾乎不隨波長的變化而變化。當V/Si 比例為1.2∶2.0 且波長為350 nm 左右時，此時吸收強度出現最大值，說明分子篩的晶粒最大程度的相互覆蓋，能量最低，此時最穩定。

圖3 分子篩的UV-Vis 譜圖

2.2.3 V-ZSM-5 分子篩的SEM 表征

在放大相同比例后可以觀察到，V/Si 比例為1.2∶20 與V/Si 比例為0.7∶20 相比，無論是在形狀的規則還是在顆粒的表面光滑程度，都更符合預期。

圖4 分子篩SEM 圖

3 結論

1）利用XRD、IR、UV-vis、SEM 等手段對合成的V-ZSM-5 進行了表征。合成的V-ZSM-5 為純相，經過500 ℃煅燒10 h 后，模板劑被完全去除。其形態符合MFI 六方棱柱的結構構型，由于晶體聚集生成的晶體間空隙導致其具有一定的介孔性質，且釩活性中心在分子篩內分布均勻，優化了分子篩的催化性能。

2）對不同V/Si 比例的分子篩表征數據分析后可知，V/Si 過高或過低時都會大幅影響成品分子篩的形貌和性狀。當V/Si 比例為1.2∶20 時，V-ZSM-5結晶度相對較高，且物相單一，具有規整的微孔結構，晶粒最大程度相互覆蓋，有利于催化裂化反應。

3）對實驗的其他影響因素分析可得，合成須要保持較高的黏度以提高合成液的晶化速率，黏度由溶液的堿度等因素確定。