田 斌,夏 航
武漢工程大學 電氣信息學院,湖北 武漢 430205
巨磁阻抗效應(giantm agnetoimpedance effect,GMI)是指軟磁材料的交流阻抗隨外加磁場變化而發生顯著變化的效應。GMI 效應的產生原因主要是由于其具有特殊的竹節狀磁疇結構。采用熔融拉絲法制備玻璃包覆合金微絲過程中,進行快速淬火處理時,合金微絲的表面先于中心部分凝結,在圓周方向形成壓縮應力,中心部分受牽引力的作用形成軸向張力。在淬火殘余內應力和退磁能的共同作用下,合金微絲內部形成特有的核~殼(core~shell)磁疇結構,也就是所謂的竹節狀磁疇結構。由于玻璃包覆合金微絲具有靈敏度高、快速響應、非接觸、適合低溫等諸多優點,很適合將其應用到弱磁傳感器的研制上,受到各相關領域學者的極大關注[1-3]。
當玻璃包覆合金微絲接入電路后,由于驅動電流頻率過高,電路會存在電感和電容效應。因此,有研究者會在元件兩端接入電容和電感,使合金微絲在LC 共振條件下工作,進而顯著提高軟磁材料的巨磁阻抗效應。 但是,人為接入電容影響了元件的小型化,電極和接地形成的雜散電容又影響了元件的抗干擾性[4-6]。
本文在玻璃包覆合金微絲的玻璃外層,利用磁控濺射方法濺射一層非磁性黃金層,然后在黃金層外電鍍一層CoNi 硬磁層。通過控制CoNi 鍍層的長度,一方面讓CoNi 鍍層和合金微絲之間構成不同參數的圓柱形電容,改變LC 共振參數,探討LC 共振對微波段復合結構微絲的巨磁阻抗效應的影響;另一方面探討了CoNi 鍍層的長度對復合微絲磁特性的影響[7-9]。……