穩定提拉法晶體生長界面的裝置和方法研究

周益民，何 曄，岑 偉，陳川貴，鄧江濤

(1. 中國電子科技集團公司第二十六研究所，重慶 400060;2. 麥格磁電科技有限公司,廣東 珠海 519040)

0 引言

晶體生長界面穩定是生長高質量晶體的重要條件。全自動提拉單晶爐使用高精度上稱重系統[1]間接測量晶體的實際生長直徑，并反饋到計算機控制系統控制加熱源輸出功率，可較好地控制整個晶體按照預設的形狀完成生長過程。但從引晶開始到生長結束的過程中，隨著晶體的生長，晶體的固-液界面不斷往下移動，在不同位置，生長界面[2-3]受晶體散熱改變、保溫系統保溫改變及加熱系統加熱效果改變等綜合因素的影響，導致生長界面的溫度梯度不斷地發生變化，從而使生長界面的形狀也相應改變，整個生長過程中生長界面不穩定。

不穩定的生長界面將影響整個晶體的內部品質的一致性。同時，生長界面形狀的改變，改變了晶體所受浮力的大小，這樣作用到上稱重系統的合力除增加的晶體質量外，還有一個浮力的改變量，導致以晶體質量為反饋參數的晶體等徑控制系統出現控制失真，引起晶體直徑的不合理改變。

1 結構及原理描述

本文從引起晶體生長界面形狀改變的主要因素入手：

1) 不斷添加晶體生長原料，使熔液界面在一個很小的區間內波動，解決傳統控制系統由于熔液界面下降而造成的溫度梯度變化，同時為光學檢測晶體直徑偏差提供可靠的保證。

2) 通過光學檢測晶體直徑與理論直徑的偏差，控制晶體的旋轉速度來調節生長界面的角度，使生長界面角度始終維持在一個很小的區間波動。

圖1為穩定晶體生長界面的裝置結構示意圖。圖中，v1為晶體的提拉速度，v2為料棒下降速度，ω1為晶體的旋轉速度,ω2為電荷耦合器件(CCD)的旋轉速度。

圖1 穩定晶體生長界面的裝置結構示意圖

圖1由傳統的全自動控制系統、原料補充系統、光學放大CCD成像[4]直徑變化測量裝置3套獨立控制系統組成。

傳統的全自動控制裝置中秤1測量生產出的晶體質量g1。g1與控制軟件設計的質量(即晶體理論質量G1)進行比較，其差值((Δg1)i=g1-G1)作為控制加熱源的功率變化值，最終達到晶體按照設計的質量進行生長的目的，從而實現晶體幾何形狀按照預設的形狀進行生長的結果。P1、I1、D1、T1為該控制系統的比例、積分、微分(PID)控制參數及采樣周期，晶體等徑控制過程中加熱電源功率調整值為

ΔP=P1×[(Δg1)i-(Δg1)i-1+T1/I1×

(Δg1)i+D1/T1×((Δg1)i-2×

(Δg1)i-1+(Δg1)i-2))]

(1)

原料補充系統中，由秤2測量料棒的質量g2，控制軟件不斷記錄g1+g2的值為q，初始值為q0，在第i個控制周期，即以Δqi=qi-q0作為調整料棒下降速度的調整源，Δv2為料棒下降速度的調整量，P2、I2、D2、T2為該控制系統的PID控制參數及采樣周期，通過下列控制算法可較好地保證熔液液面高度的穩定。

Δv2=P2×[Δqi-Δqi-1+T2/I2×Δqi+

D2/T2×(Δqi-2×Δqi-1+Δqi-2)]

(2)

CCD系統為光學放大CCD成像[4]直徑變化測量裝置，圖2為晶體俯視圖，使用顏色分為3個區，從外到內依次為坩堝內壁、晶體熔液、晶體熔液過度區、晶體。

圖2 晶體生長界面俯視圖

圖3為光學放大后的CCD視窗圖。圖1中旋轉w2直到晶體生長固液界面處于視窗中心，從CCD視窗中確定晶體邊緣為“晶體基準線”，并記錄其灰度值H1[5]，以某一灰度值H0(與晶體種類有關)定義“測量基準線中線”，該中線在整個控制過程中在CCD視窗中保持不變，并記錄H0與H1的間距為L0，在控制周期i時，測量灰度值為H1處與“測量基準線中線”的距離為Li，并得到ΔLi=Li-L0，P3、I3、D3、T3為該控制系統的PID控制參數，得到ω1的調整量Δω1為

Δω1=P3×[ΔLi-ΔLi-1+T3/I3×ΔLi+

D3/T3×(ΔLi-2×ΔLi-1+ΔLi-2)]

(3)

圖3 CCD視窗放大圖

2 結束語

3套控制系統既獨立運行，又相互影響，通過綜合調整各個控制系統的P、I、D、T參數，可較好地維持晶體生長界面的穩定。原料補充系統的正確運行，在保證液面高度不變的同時，為光學放大CCD成像直徑變化測量裝置測量晶體直徑變化提供了穩定的測量環境，保證光學測量直徑的準確性。傳統的全自動控制系統在正確運行情況下，光學放大CCD成像直徑變化測量裝置監測到晶體直徑發生了變化，這說明晶體生長界面發生了改變，使傳統的全自動控制系統出現了控制失真。通過調整晶體旋轉速度，使晶體生長界面恢復到原來的狀態，這樣既保證了晶體外形符合設定尺寸要求，又可以保證晶體內部品質的優良。