基于二維材料的全光器件*

徐依全 王聰

(深圳大學物理與光電工程學院, 深圳 518060)

近年通信技術的飛躍, 對光學設備的緊湊性、響應速度、工作帶寬和控制效率提出新的挑戰(zhàn). 石墨烯的發(fā)現, 使得二維材料飛速發(fā)展, 不斷涌現出一系列新材料, 如MXene、黑磷、過渡金屬硫化物等. 這些新型二維材料有著出色的非線性光學效應、強光-物質交互作用、超寬的工作帶寬. 利用其熱光效應、非線性效應并結合光學結構, 能夠滿足光通信中超快速的需求. 緊湊、超快、超寬將會是未來二維材料全光器件的標簽. 本文重點綜述基于二維材料的熱光效應與非線性效應的全光器件, 介紹光纖型的馬赫-曾德爾干涉儀結構、邁克耳孫干涉儀結構、偏振干涉結構以及微環(huán)結構, 最后闡述并回顧最新的進展, 分析全光器件面臨的挑戰(zhàn)和機遇, 提出全光領域的前景與發(fā)展趨勢.

1 引 言

光學調制器件是光學系統中不可或缺的一個重要組成部分, 特別是在光通信行業(yè), 伴隨著近幾年通信速度呈指數上升, 對光調制器的緊湊性、調制速度、工作帶寬和控制效率的要求也迅速上升[1?6]. 基于電子技術的光調制器在各個領域展現出出色的性能, 大大推進了光通信領域的發(fā)展, 并得到廣泛應用, 技術已經相當成熟. 于此同時, 它用于信號處理的“瓶頸”也逐漸浮現[4,7,8]. 這通常是受到了硅結構RC (電阻-電容)時間常數的限制,在2014 年報道了通過有機分子與硅波導的結合,突破了這一限制, 工作頻率大于100 GHz[9], 但在高頻工作時仍受限于其他損耗. 由于硅材料不具有高階非線性[10], 并且考慮到與CMOS 技術兼容的必要性, 較新的光電調制器更多地考慮利用自由載流子色散效應(即等離子體效應). 數十年來, 鈮酸鋰光電調制器都是主流產品, 然而, 基于此原理的調制器體積龐大、價格高昂[11]. 目前最新一代的鈮酸鋰光電調制器利用馬赫-曾德爾干涉儀(MZI)原理并成功集成鈮酸鋰材料, 最大能達到100 GHz的工作帶寬[12]. 雖然克服了電壓與損耗的沖突, 但仍難以實現復雜功能, 并且鈮酸鋰工藝匹配度不高, 集成難度較大, 成本較高. 電子技術已逐漸遭遇電子瓶頸、聲子瓶頸, 相應的全光調制器在速度方面具有一定的優(yōu)勢, 但在高速調制的同時, 調制深度與功耗一直未能與電光調制器相提并論, 這就限制了全光調制器的應用. 伴隨著二維材料的出現, 全光信號處理重新進入人們的視野, 是未來研究的重要方向[5]. 全光信號處理相關的各種技術中,全光脈沖整形和全光調制被認為是必不可少的部分. 這一技術的基本概念可以追溯到使用一束光來改變信號光的傳播狀態(tài)(強度、相位、偏振態(tài)等),這也是光通信網絡系統的基石. 其中, 除以光控光為基礎外, 全光調制最重要的一點是能實現信息的加載、轉移, 這可以通過一系列全光控制器件實現,例如全光開關、波長轉換器等. 通過利用二維材料中的非線性效應, 全光調制器擁有巨大的潛力, 理論上調制速度能達到50 THz 以上的響應速度[13].最新的基于等離子體激元波導的全光調制則達到了3.8 THz 的調制速度[14]. 這一成果在實現超小型節(jié)能全光調制器件上取得了突破, 給予全光領域克服高能耗、低調制深度的信心. 到目前為止, 已經報道了光纖型[15]、波導型[15]以及空間型[16,17]全光器件, 本文將著重介紹其中的光纖型全光調制器件以及全光閾值器.

二維材料優(yōu)秀的非線性效應與強光-物質相互作用很好地彌補了硅基半導體材料的不足, 并且制備難度不高, 緊湊的特性使其一經發(fā)現就成為光學研究的一大熱點, 推動了各個學科的發(fā)展. 自從2004 年曼切斯特大學的一個小組通過機械剝離法分離出單層原子的石墨[18], 二維材料得到了廣泛的關注, 這一工作使得Nocoselov 和Geim 獲得了2010 年的諾貝爾獎. 二維材料的主要特點是材料僅有單層原子厚度, 使電子僅可在一個納米尺度的二維平面自由運動, 嚴格限制了材料載流子和熱量的擴散方向[19,20]. 同時, 二維材料具有優(yōu)異的量子霍爾效應[21], 超高比表面積[22], 超高的室溫載流子遷移率[18], 較高的楊氏模量[23]、光學透明性[24]、導電性[18]和導熱性[25], 這些特點使得其表現出獨一無二的熱學、光學、電學、力學效應, 并得到了廣泛的關注[26?29]. 在石墨稀被報道之后, 陸續(xù)發(fā)現一批新的二維材料, 如六方氮化硼(h-BN)[30]、二維過渡金屬硫化物(TMDs)[31?33]、石墨相氮化碳(g-C3N4)[34,35]、層狀金屬氧化物[36,37]、層狀雙金屬氫氧化物(LDHs)[37,38]、MXene 材料[39]等. 基于二維材料可飽和吸收效應、熱光效應和克爾效應的全光調制也已經取得了一定的成就[40,41], 而目前的光纖型全光器件主要基于材料的熱光效應以及可飽和吸收. 最經典的二維材料—石墨烯, 已廣泛應用于許多光子和光電設備, 例如取代銦錫氧化物生產觸摸面板顯示器以及柔性屏[42]、產生超短脈沖[43?45]、集成到光子系統中[46,47]、 太赫茲設備[48]等, 其工作帶寬涵蓋了紫外線、可見光[49]、紅外線[50?55], 范圍非常廣泛. 并且二維材料已經被證明可以兼容各種不同的全光結構, 例如基于光纖的系統[56?59]、基于硅的器件[50,60,61]和大范圍光電探測器[62].

本文首先回顧二維材料的特性以及制備方式,并介紹目前實現全光的兩類主要機制: 熱光效應和非線性效應. 同時對基于這兩類原理的全光器件的研究進展分別進行介紹, 并展望未來可能的應用以及研究方向, 我們相信二維材料將會改變現有調制、整形方式, 大幅提升全光設備性能, 開啟全光領域的新紀元.

2 二維材料簡介

2.1 二維材料特性

石墨烯以 s p2雜化方式形成蜂窩結構, 是由碳原子構成的厚度只有一個原子的單層二維材料(見圖1(a))[27], 其鍵能與金剛石相當. 并且每一個碳原子都只有3 個C—C 鍵相連接, 與金剛石的4 個鍵相比, 強度高了25%左右, 因此是迄今為止已知的最穩(wěn)定的材料. 作為一個半導體, 它具有很獨特的零帶隙結構以及非線性光學效應[27]. 單層的石墨烯在紅外到可見光波段對入射光具有2.3%的光吸收[24], 并且它利用電門控[63]、化學摻雜[64]、幾何修整[65]或機械拉伸[66]等方法可以打開半導體金屬的零帶隙, 由此可以在光調制器上得到良好的應用.

TMDs 是屬于MX2型的半導體材料, 于2010年首次通過實驗分離[67,68]. 其中,M為過渡金屬原子,X為硫屬元素原子, 結構如圖1(b)[27]所示. 在體態(tài)下, TMD 為間接帶隙半導體, 具有明顯的帶隙, 但當TMD 制成單層材料時, 它們會由間接帶隙半導體轉變?yōu)橹苯訋栋雽w, 其帶隙范圍在1—2.5 eV 之間, 如圖1(e)[27], 屬于近紅外到可見光波段. 最近幾項研究表明, TMD 不僅具有可控帶隙和高載流子遷移率, 并且表現出三階非線性光學效應, 如寬帶飽和吸收效應、雙光子吸收和強非線性效應, 開拓了在全光調制方面的應用.

黑磷(BP)在20 世紀10 年代首次合成[69], 并在近幾年成功制備單層黑磷[70], 為近期熱點的直接帶隙半導體材料. 它的單層材料被稱為磷烯, 基本結構是每個磷原子和三個相鄰的磷原子由磷原子鍵結合而成的蜂窩結構, 與石墨烯結構相同, 如圖1(c)所示[27]. 黑磷的皺褶結構使它表現出各向異性的物理性質[71?74], 這一性質使其具有較強的光吸收和光致發(fā)光, 而且黑磷的帶隙可由層數與厚度控制(0.3—2.2 eV), 其帶隙如圖1(e)所示[27], 很好地作為石墨烯與TMDs 材料之間的帶隙補充.黑磷所具有的帶隙可控、高載流子遷移率、各向異性等特性, 在全光調制領域有著巨大潛力. 但因為黑磷對氧氣和水的敏感性, 導致其應用存在一些困難. 最近有所突破, 人們研究了許多制備方法提高黑磷的穩(wěn)定性. 其中氟化磷已在全光開關和邏輯門上得到了應用[75,76].

MXene 是一種與石墨烯類似的二維材料[77],由過渡金屬與碳、氮或碳—氮構成主結構, 其結構如圖1(d)所示[78]. 它的化學式是Mn+ 1XnTx(n=1, 2, 3), 其中M代表了過渡金屬,X代表了碳或者碳—氮,T代表官能團—O, —OH 和—F. 例如Ti2CTx[79], Ti3C2Tx[80]和Ti4N3Tx[81]. 圖1(e)展示了MXene 的帶隙分布圖[77], MXene 的帶隙與石墨烯接近, 小于0.2 eV, 并且線性吸收系數為1%,非線性吸收效率為10–21m2·V–2[82]. 相較于其他二維材料, 它具有很強的能量轉換效率, 加上較高的光損傷閾值, MXene 的使用更為靈活, 應用前景廣闊[83].

圖1 (a)石墨烯[27], (b) TMDs[27], (c) BP[27]和(d) MXene[78]的原子結構及帶隙結構; (e)各材料帶隙分布圖[27,78]Fig. 1. Atomic structures and band structures of (a) graphene[27], (b) TMDs[27], (c) BP[27]and (d) MXene[78]. (e) Distribution diagram of the bandgap of each material[27]. Reprinted by permission from Ref. [27]. Copyright Nature Photonics. Reprinted by permission from Ref. [78]. Copyright Advanced Materials.

表1 二維材料特性總結Table 1. Properties of different 2D materials.

表1 總結了石墨烯, TMDs, BP 和MXene 四種類型的二維材料基本特性[82,84?89]. 對于二維材料的熱光效應, 導熱系數是不可忽視的重要參數之一, 其中石墨烯具有相當高的導熱系數, 但導熱系數受到材料的層數、制備方法等因素的影響較大.所以高導熱系數的二維材料雖更適合應用于熱光效應, 但較低導熱系數的二維材料仍有優(yōu)化的空間. 最近, BP 材料展現出了優(yōu)良的導熱系數, 基于BP 的光學器件上升時間優(yōu)于石墨烯器件[90], 并且也有報道證明其熱導率有望超越石墨烯[91]. 對于非線性效應, 從表1 可以看到, 二維材料均具有優(yōu)秀的飽和吸收強度. 但非線性可飽和吸收效應的實際效果同樣受到各種因素的影響, 比如抽運光功率就會很大程度地影響飽和吸收強度[82]. 對于其他非線性效應, 最重要的評價參數之一是三階非線性極化率χ(3). 它是一個復數, 其虛部描述了非線性吸收、三次諧波和拉曼效應等三頻現象, 實部則描述了克爾非線性效應. 在非線性效率這一方面,過渡金屬硫化物與碳氮化物更有優(yōu)勢, 它們展現出優(yōu)于石墨烯與磷烯的表現. 另一方面, 石墨烯與黑磷均具有數百飛秒級的載流子弛豫時間, 這意味著在利用非線性效應實現超快全光器件方面有巨大的潛力. 而非線性折射率實際上體現的是二維材料的線性吸收能力, 這一方面石墨烯與黑磷顯得較為弱勢.

2.2 二維材料的制備

當前主要有三種二維材料制備方法: 化學氣相沉積法(CVD)、機械剝離法和液相分離法(LPE).自從2004 年用機械剝離法從石墨中剝離出石墨烯以來[18], 機械剝離法一直作為低成本的二維材料制作方法被廣泛使用. 這一方法不僅能制作石墨烯, 還能制作BP, TIs 等的二維材料[92?94]. 機械剝離法通常使用透明膠帶反復粘貼剝離離散材料表面得到少量的二維材料. 但因為每次粘貼所制備的材料較少, 在需要一定量的二維材料時, 這一方法要重復粘貼, 效率較低.

與機械剝離法較為相似的是LPE 法. LPE 法是將粉末狀的材料與溶劑混合, 通過長時間高強度的超聲產生氣泡將材料粉碎成單層或者幾層的納米片, 之后離心處理, 使得大尺寸的材料沉入溶劑底部, 小尺寸的納米材料懸浮在溶劑中, 達到分離納米材料與未破碎材料的目的[95,96]. 最后用移液管收集溶劑上層的納米材料. 這一方法收集的二維材料很難控制層數與尺寸大小, 但是產量高且成本低廉[97].

相較于機械剝離法和LPE 法, CVD 法是產生二維材料的重要方法. 通常, 此方法將氣態(tài)和粉末狀的反應物放入管式爐中, 在合適的溫度下發(fā)生特定的化學反應, 并在管式爐下游的基板上生長二維材料[98]. 另外, CVD 法能通過修改反應參數嚴格控制產出的二維材料的尺寸與層數. 高產量與可控制使其成為大規(guī)模商業(yè)生產的主要方法[99].

3 基于二維材料熱光效應的全光器件

目前基于二維材料熱光效應的全光器件可分成諧振設計和非諧振設計. 非諧振設計主要基于馬赫-曾德爾干涉儀(MZI)[75,90,100?102]、邁克耳孫干涉儀(MI)[103?105]和偏振干涉儀(PI)[106]三種經典原理. 對于諧振設計本文將討論微環(huán)[107].

3.1 MZI 結構的全光調制器

此類全光調制器結構與原理基本相同, 目前已報道基于石墨烯[101]、TMD[102]、黑磷[75]、MXene[100]以及硼[90]的調制器. 實驗結果將在本章最后討論,本節(jié)以MXene 實驗為例.

如圖2(a)所示是MZI 全光調制器的典型結構[100]. 系統由多個耦合器、波分復用器以及一個延時線構成兩臂. MXene 材料沉積在上臂兩個980/1550 波分復用器(WDM1 和WDM2)之間的微納光纖上. 控制光由WDM1 注入, 經過微納光纖之后通過WDM2 反饋. 其中, 微納光纖具有強倏逝場效應, 使MXene 材料與控制光充分接觸.而下臂中的延時線用于補償兩臂中的光程差以及光功率. 由于MXene 在980 nm 處表現出強吸收,注入的980 nm 控制光將被MXene 吸收并加熱材料. 這導致MXene 溫度發(fā)生改變, 使得MXene 與光纖的熱光效應相結合, 進而改變上臂中傳輸的1550 nm 信號光的相位, 以此達到全光調制的目的. 最后MZI 結構使上下兩路光在合路器中發(fā)生干涉, 將信號光的相位變化展現出來并輸出干涉譜.

在這一系統中, MXene 沉積的微納光纖是關鍵組件. 通過液相分離法合成MXene Ti3C2Tx之后, 將MXene 懸浮液滴到微納光纖側面, 再通過光沉積法制造MXene 微納光纖. 圖2(b)給出了MXene Ti3C2Tx納米片的高放大倍數的高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)原子晶格結構. 圖2(c)是沉積長度為500 μm 的微納光纖的光學顯微圖像. 圖2(d)為Ti3C2Tx和Ti3AlC2的拉曼光譜圖.

實驗首先通過注入1550 nm 附近的放大自發(fā)輻射光源(ASE)表征系統的調制頻譜. 如圖2(a)所示, 兩個輸出(output1 和output2)分別可以用Pin[1?cos(k?L)]/2和Pin[1+cos(k?L)]/2 表 示, 其中Pin為輸入功率,k為傳播常數, ?L為兩臂長度差. 不難看出, 系統兩個輸出是互補的. 如圖3(a)所示, 系統兩個輸出頻譜均為梳狀且互補, 對兩臂微擾產生的相移可以實現很好的消光比. 當使用980 nm 抽運光作為控制光時, MXene 將會吸收控制光產生熱量, 改變微納光纖的損耗從而使通過上臂的信號光產生相移. 這一相移等效于兩臂長度差的改變, 導致每一自由光譜范圍(FSR)變化對應2π 的頻譜偏移. 圖3(b)中的紅色虛線表示4.5FSR的頻譜偏移, 對應于9π 的相移. 控制光功率與相移之間的關系如圖3(c)所示, 其控制效率為0.074 π/mW.

圖2 (a)基于MXene 材料的MZI 全光調制器的實驗裝置[100]; (b) MXene Ti3C2T x 納米片的高放大倍數HRTEM 原子晶格結構[100];(c)沉積有MXenes 的微納光纖的光學顯微鏡圖像[100]; (d) Ti3C2T x 和Ti3AlC2 的拉曼光譜圖[100]Fig. 2. (a) Experimental setup of an MZI all-optical modulator based on MXene materials; (b) high-magnification HRTEM atomic lattice structure of MXene nanosheet; (c) optical microscopy image of microfibers deposited with MXenes; (d) Raman spectrum of Ti3C2T x and Ti3AlC2. Reprinted by permission from Ref. [100]. Copyright Advanced Materials.

圖3 (a)兩個輸出端口的干涉頻譜[100]; (b)在122 mW 的控制光(泵)功率下的干涉條紋[100]; (c)相移與不同控制光功率的關系[100]Fig. 3. (a) Interference spectra of two output ports; (b) interference fringes at a control light (pump) power of 122 mW; (c) phase shift versus different control light (pump) powers. Reprinted by permission from Ref. [100]. Copyright Advanced Materials.

若使用1550 nm 連續(xù)激光(CW)作為信號光,圖4(a)所示的980 nm 脈沖光作為控制光, 將會得到一個全光開關系統. 圖4(b)給出了120 mW 控制光應用于系統時的輸出波形, 可以看到兩個輸出端口是互補的. 通過使用指數擬合輸出的信號光波形可以估計上升時間和下降時間分別為4.10 和3.55 ms. 上升下降時間不相等這一現象出現的原因是因為兩時間常數所依賴的的參數不同. 上升時間長短取決于MXene 材料吸收控制光改變溫度的能力, 受到空氣對流等環(huán)境因素影響. 而下降時間取決于被加熱的微納光纖的散熱速度.

圖4 (a) 980 nm 控制光波形圖[100]; (b)信號光開關轉換及其擬合曲線[100]; (c)錯誤輸出[100]; (d)信號光為40 Hz 時的輸出[100]Fig. 4. (a) Waveform of the 980 nm control light (pump); (b) signal light switch conversion and its fitting curve; (c) output breaking; (d) waveforms of signal light at 40 Hz. Reprinted by permission from Ref. [100]. Copyright Advanced Materials.

對于輸出功率與相位的關系, 可以簡化出以下公式:

其中Pout表示輸出功率, ??為控制光引起的相移.不難看出, 當相移從0 增加到π 時, 輸出功率將從0 增加到最大值; 當相移從π 增加到2π 時, 輸出功率將與相移成反比. 因此輸出功率將在控制光的上升沿增大到最大值然后減小, 在控制光的下降沿增大到最大值然后減小到0, 最終起到光開關的效果.值得注意的是, 如圖4(c)所示, 當控制光功率在120 mW, 但脈沖頻率提高時, 輸出波形會受到熱傳導速度的限制而導致如圖4(d)所示的失真.

3.2 MI 結構的全光調制器

MZI 結構的系統穩(wěn)定性較差, 對環(huán)境擾動敏感, 這一缺陷在MI 結構的系統中可以得到解決.如圖5(a)所示, Wang 等[104]提出了一種新的全光開關設計. 與上文提到的MXene 材料沉積微納光纖類似, 此系統將通過LPE 法制備的鉍量子點沉積到微納光纖上得到鉍材料微納光纖. MI 結構的全光開關通過波分復用器將信號光與控制光合路,再經過耦合器分光. 緊接著控制光與鉍量子點的熱光效應改變上臂的信號光相位, 之后經調制的信號光從兩臂末端反射回耦合器中與未經調制的信號光發(fā)生干涉并輸出. 末端的法拉第旋轉鏡(FRM1和FRM2)用于消除輸入輸出非正交引起的偏振干涉. 可變光衰減器(VOA)則用于調節(jié)兩臂功率以獲得穩(wěn)定的輸出信號.

圖5(b)所示的控制光輸入波形與信號光輸出波形的對比表明信號光已被調制. 利用指數擬合估計輸出信號光的上升下降時間分別為1.56 與1.53 ms, 相同條件下, 比MZI 結構的全光開關更靈敏. 這個結果是因為MI 系統中包含反射結構,控制光與信號光兩次通過鉍量子點微納光纖, 提升控制光熱光效應的效果并使信號光產生更大的相移, 因此大大縮短了系統響應時間.

從圖5(c)可以看出, 將980 nm 的控制光功率固定在60 mW 并從外部從50 Hz 調制為500 Hz時, 輸出信號光的形狀從方波逐漸變到三角波, 峰峰值電壓與調整頻率成反比. 這兩個現象的出現歸因于鉍沉積微纖維中熱傳導的緩慢響應.

圖5 (a) MI 結構的全光開關實驗裝置[104]; (b)控制光和信號光的波形及擬合曲線[104]; (c)控制光調制頻率改變時的信號光波形[104]Fig. 5. (a) All-optical switch experimental device with MI structure; (b) waveforms of control light and signal light and their fitting curves; (c) waveforms of signal light when control light modulation frequency changes. Reprinted by permission from Ref. [104].Copyright Journal of Materials Chemistry C.

圖6 (a) MI 雙芯光纖三維結構示意圖[108]; (b)雙芯光纖橫截面[108]; (c), (d)雙芯光纖拋光區(qū)域的橫截面和拋光表面[108]; (e)雙芯光纖輸出光強度監(jiān)視[108]Fig. 6. (a) Schematic diagram of the three-dimensional structure of MI twin-core fiber; (b) cross section of twin-core fiber; (c) cross section and (d) polished surface of the polished area of twin-core fiber; (e) twin-core fiber output light intensity monitoring. Reprinted by permission from Ref. [108]. Copyright Optics Letters.

另外, 微納光纖本身較為脆弱, 機械強度低,作為二維材料載體增加了系統的不穩(wěn)定性. 針對這一問題, Chu 等[108]提出一種基于側拋光雙芯光纖的MI 結構石墨烯全光調制方案, 其結構見圖6.此方案顯著提高了系統的穩(wěn)定性, 并且將MI 系統核心微型化. 實驗使用1550 nm 的信號光, 并使用經機械斬波器調制的980 nm 抽運光調制信號光.最終結果顯示出55.8 ms 的上升時間與15.5 ms 的下降時間. 其中較長的上升時間可以通過拋光更多包層達到擴大石墨烯作用區(qū)域的效果來縮短.

3.3 PI 結構的全光開關

PI 結構的全光開關進一步提高了熱光效應全光開關的切換速率. 如圖7(a)所示, PI 結構的全光開關采用LPE 法合成的二硫化鉬(MoS2)-聚乙烯醇(PVA)薄膜通過FC/APC 光纖連接器耦合[106]. 在這個系統中, 980 nm 控制光與1550 nm信號光分別經偏振控制器(PC)調整獲得穩(wěn)定的輸出信號后通過WDM 合路, 在MoS2-PVA 薄膜中產生熱光效應之后在第二個WDM 過濾控制光.由偏振器選擇信號光所需要的偏振態(tài)并輸出調制后的信號光. 其中MoS2-PVA 薄膜夾在兩個成角度的FC/APC 光纖連接器之間.

圖7 (a) PI 結構全光調制實驗裝置[106]; (b)信號光波形, 插圖為控制光波形[106]; (c)單個全光信號切換以及相應的擬合曲線[106];(d)長期測量的輸出信號光[106]Fig. 7. (a) PI structure all-optical modulation experimental device; (b) signal light waveform, illustration: control light waveform;(c) single all optical signal switching and corresponding fitting curve; (d) output signal light for long-term measurement. Reprinted by permission from Ref. [106]. Copyright Chinese Optics Letters.

圖7 (b)給出了系統的調制結果, 即輸入的控制光與輸出的信號光波形的對比圖. 圖7(c)則是通過指數擬合估計的系統的上升時間與下降時間,分別為324.5 和353.1 μs. 與MZI 結構和MI 結構相比, 上升下降時間明顯縮短. 這是因為相較于沉積有二維材料的微納光纖, FC/APC 薄膜耦合方式有更快的熱分布, 于是有更快的切換速率. 另外,從圖7(d)所示的長期輸出脈沖序列可以觀察到系統輸出穩(wěn)定. 這是因為在同一條光纖中傳播的是兩束互不干涉的光, 所以對于環(huán)境敏感性遠低于MZI 結構和MI 結構.

3.4 微環(huán)結構的全光開關

本節(jié)將介紹基于石墨烯的微環(huán)結構全光開關[107]. 這項工作充分利用了二維材料的緊湊性與靈活性, 縮小了設備體積, 并且有效提高石墨烯的熱傳導速率, 減少了響應時間.

全光開關的實驗裝置如圖8(a)所示, 該裝置使用耦合器將控制光與信號光耦合, 通過微納光纖諧振器(MFR)后由另一個耦合器分路, 分別輸出控制光與經調制的信號光. 其中, MFR 以利用火焰加熱二步拉伸法制備的微納光纖為基本結構, 一端連接標準光纖, 將其打結后, 使用錐形微納光纖連接另一端. 之后將CVD 法生長的石墨烯片干法轉移到微納光纖上, 得到石墨烯包裹的微納光纖諧振器(GMFR), 這一過程如圖8(b)所示. 最終成品注入紅光后散射的光學顯微鏡圖像如圖8(c)所示,其MFR 周長為1.35 mm, 直徑為5 μm, 由白色弓形線表示的石墨烯包裹區(qū)域的長度為0.18 mm. 實驗采用工作帶寬為400 kHz 的窄帶可調激光器(TL)作為控制光.

圖8 (a)基于MFR 的全光開光實驗裝置[107]; (b) GMFR 制備過程[107]; (c) GMFR 光學顯微鏡圖像[107]; (d)控制光開(黑色)和控制光關(藍色)的GMFR 透射光譜, 紅線表示FBG 過濾的反射峰[107]Fig. 8. (a) All-optical switch experimental device; (b) GMFR preparation process; (c) GMFR optical microscope image; (d) GMFR transmission spectrum of controlled light on (black) and controlled light off (blue), the red line represents the reflection peak of FBG filtering. Reprinted by permission from Ref. [107]. Copyright Applied Physics Letters.

當控制光注入微環(huán)時, 部分具有共振波長的控制光將在GMFR 中循環(huán), 大量光功率被石墨烯片吸收轉化為熱量. 由于熱光效應, 使得微納光纖的透射譜發(fā)生紅移. 經過GMFR 的信號光透射率則會因此改變, 以實現光開關的功能, 并使用光纖布拉格光柵(FBG, 中心波長: 1550 nm, 3 dB 帶寬:0.25 nm)過濾后使用光電探測器對信號光進行分析.

為了進一步了解GMFR 的運作機制, 使用光譜分析儀監(jiān)測系統輸出, 以得到打開(關閉)控制光時的透射光譜, 如圖8(d)所示. 其中黑色為打開控制光時的透射譜, 藍色為關閉控制光時的透射譜, 紅色為經FBG 過濾的系統輸出波形. 打開(關閉)控制光時, 得到的系統輸出信號光功率為156 μW (7.28 μW), 即消光比為13 d B. 最后得到實驗輸出的信號光與控制光波形對比見圖9, 信號光的上升時間為294.7 μs, 下降時間為212.2 μs.這個結果比其他熱光效應器件(例如基于石墨烯的MI 結構全光調制器)的毫秒級響應時間快(微秒級), 這是由于小型化的石墨烯片快速散熱以及諧振結構提高發(fā)熱效率, 克服了傳統熱光效應所要求的長作用長度以及高抽運功率的缺點.

圖9 全光開關的信號光與控制光波形對比[107]Fig. 9. Comparison of signal light and control light waveforms of all-optical switches. Reprinted by permission from Ref. [107]. Copyright Applied Physics Letters.

本章的最后, 對表2 所列基于二維材料的熱光效應的全光器件的最新進展進行對比[75,90,100?109].目前MZI 結構的全光器件已對石墨烯、WS2、MXene、磷烯和硼進行研究. 值得注意的是, 研究結果表明硼表現出較快的響應時間和優(yōu)異的熱光效應響應, 獲得了0.48 ms 的上升時間及0.69 ms的下降時間[90]. 在這四種二維材料中, 石墨烯表現出最高的控制效率, 每毫瓦抽運功率能產生0.091π 的相移[101]. 對于MI 結構, 有銻、鉍、MXene和石墨烯四種二維材料的研究. 這一結構中普遍的高消光比歸功于能使信號光與二維材料進行兩次相互作用, 其中MXene 的消光比高達27 dB[105],而鉍材料則在響應速度方面有較好的表現[104]. 另外, 側拋光的雙芯光纖與MI 結構契合度很高, 取代微納光纖作為二維材料的載體將能有效提高系統的穩(wěn)定性以及減小系統體積[108]. PI 結構的全光器件表現出很快的響應時間, 上升時間為324.5 μs,并且抗干擾能力強, 但是消光比低[107]. 對于諧振結構, 由于易于制造、低成本、微納光纖易集成以及符合調制所需的自由光譜范圍, GMFR可能會擴展全光設備(例如濾波器和慢光延遲線)的使用范圍.此外, 由于GMFR 的緊湊型封裝和對石墨烯熱光效應的增強作用, 它可以作為一個高性能平臺應用于光纖傳感器、非線性光學器件和超快調制器.

表2 基于二維材料熱光效應的全光纖器件總結Table 2. Comparison of all-fiber devices based on two-dimensional material thermo-optic effect.

基于熱光效應的全光調制器中的響應時間差異可以大概地從兩個方面討論, 一是不同的二維材料, 二是不同的系統. 根據表2 分成兩種, 即相同材料不同系統以及相同系統不同材料之間進行比較. 顯然相對于不同材料, 不同系統之間的差異顯得更大. 而相同二維材料的熱光效應效率相同, 熱導系數則不盡相同. 但二維材料的狀態(tài)不同, 熱導系數也會改變, 并且可以通過調整結構定向優(yōu)化,換句話說, 系統結構對響應時間的影響更為重要.在系統相同材料不同時, 熱光效應與熱導系數共同影響響應時間. 控制光功率相同時, 更強的熱光效應將會在短時間產生更多的熱量. 最終響應時間的極限則由導熱系數決定, 更高的導熱系數意味著更大的溫度變化, 更短的響應時間. 熱光效應與克爾非線性等其他效應相比, 盡管由于熱傳導速率的限制, 響應時間為微秒到毫秒, 但它們驅動器件所需要的抽運峰值功率更低. 當需要長時間保持狀態(tài)時, 將會減少能量消耗. 因此, 熱光全光器件是全光器件家族中必不可少的成員.

4 基于二維材料非線性效應的全光器件

全光控制另一重要機制是非線性效應中的可飽和吸收效應和光學克爾效應. 可飽和吸收效應是一個由價帶耗盡, 導帶填充和超快速帶內載流子弛豫引起的過程[110], 由輸入功率相關的光吸收表現出來(即隨光強度的增加吸收減少). 光學克爾效應是一種三階非線性光學效應, 其特征是在外加光場影響下, 介質某個極化方向產生正比于光強的折射率變化, 包括自相位調制[111](例如Shao 等[112]利用碳納米管自相位調制, 實現了時間常數55 μs,響應帶寬7 kHz 的全光調制)、自聚焦[113]和調制不穩(wěn)定性[114]. 本章將從三個方面進行介紹: 一是基于二維材料可飽和吸收效應用于抑制噪聲的全光閾值器件; 二是基于克爾效應的全光調制器; 三是四波混頻的應用.

4.1 基于可飽和吸收效應的全光閾值器

全光閾值器主要用于改善信號光質量, 提高信噪比. 從理論上講, 基于可飽和吸收效應的全光閾值器是利用二維材料的可飽和吸收效應、低線性吸收和寬吸收帶寬, 吸收相對低強度的噪聲光, 而高強度的光將直接通過, 因此能過濾低功率的噪聲,信號光以較低的功率損失通過. 近年來對二維材料的研究表明, 二維材料具有很強的光-物質交互能力和非線性效應. 制作穩(wěn)定性好、效率高的全光閾值器則需要利用二維材料的非線性效應[76,115,116].目前已報道的幾種全光閾值器的設計, 例如, 鈮酸鋰的二次諧波效應(SHG)的全光閾值器[117]、基于黑磷的分布式反饋半導體激光器中的交叉增益調制效應的光學閾值器[116]等, 都有穩(wěn)定性差的缺陷. 本節(jié)將介紹基于銻-微納光纖結構的全光閾值器.

為研究銻的光-物質相互作用, Song 等[76]利用LPE 法合成少層銻材料并沉積在微納光纖上,再通過飛秒脈沖激光測量與表征銻的可飽和吸收非線性特性. 具體的做法是放大激光光源后, 在光源光路上使用可變光衰減器連續(xù)地調整入射光的功率. 測量光路則由耦合器分為兩個光路, 一路耦合銻沉積的微納光纖并連接光功率計, 另一路則作為參考光連接與另一路相同的光功率計. 飛秒脈沖測量的結果證明少層銻沉積的微納光纖是有效的可飽和吸收體, 可用于超脈沖的全光閾值器.

圖10(a)所示為全光閾值器實驗裝置示意圖,脈沖光源由鎖模光纖激光器提供, 而1 GHz 射頻調制的低功率光作為噪聲源[76], 他們的波形分別為圖10(b)和圖10(c). 混合噪聲與脈沖光后, 脈沖波形如圖10(d)所示. 使用耦合器將混合光分成兩個光路, 一條路徑耦合銻沉積的微納光纖, 一條路徑直接連接光功率計監(jiān)控輸入光功率. 當混合光注入系統時, 由于脈沖光的透射率比噪聲高, 噪聲的衰減更強, 所以通過系統之后, 噪聲將被吸收, 脈沖光的信噪比得到提高. 如圖11(a)和圖11(b)所示為穿過銻沉積微納光纖之前與之后的光脈沖[76].可以看出, 通過銻沉積微納光纖之后的光脈沖信噪比有明顯的提高. 而用無沉積的微納光纖接入系統中重復實驗時, 沒有改善光脈沖信噪比的現象.

為進一步研究不同輸入光功率下的可飽和吸收, Song 等[76]采用摻鉺光纖放大器和可變光衰減器組合調整輸入光功率. 實驗結果顯示, 隨著輸入光功率逐漸增加到10 mW, 信噪比增強保持不變,為12 dB 左右. 銻樣品在輸入光功率為10 mW 時將達到飽和, 并且最高信噪比增強為12 dB. 最后,實驗通過每8 h 測量一次輸出波形驗證了該系統較高的穩(wěn)定性.

圖11 (a)光脈沖穿過銻材料微納光纖之前的波形[76]; (b)光脈沖穿過銻材料微納光纖之后的波形[76]Fig. 11. (a) Waveform of light pulse before passing through antimony micro-nano fiber; (b) waveform of light pulse after passing through micro-nano fiber of antimony material. Reprinted by permission from Ref. [76]. Copyright 2D Materials.

4.2 基于光學克爾效應的全光調制器

光學克爾效應是非線性光學的一個重要分支.本節(jié)將介紹MZI 結構基于光學克爾效應的全光石墨烯相位調制器[118]. 調制器的結構如圖12(a)所示, 調制過程與上文所述類似, 信號光注入系統后被分成90∶10 兩臂, 兩個可變光衰減器微調兩臂功率. 控制光從上臂經WDM 與信號光合路經過包裹石墨烯的微納光纖(GCM), 產生自相位調制. GCM 是通過將CVD 制備的石墨烯片包裹在微納光纖上制作而成[119], 其光學顯微鏡圖像如圖12(b)所示. 可以清晰地看到石墨烯片包裹微納光纖. 其中石墨烯是多層結構, 目的是為了獲得更強的非線性效應并降低損耗[120]. 其包裹的長度為20 μm, 線性透射率(OT)表征結果如圖12(c)所示. 其中, GCM 的OT 在10%左右波動是由于光纖耦合器的散射損耗. 而通過使用MZI 結構, 可以使系統的OT 提高到19%. MZI 結構具有更高的調制深度(MD)與透射率優(yōu)勢.

圖12 (a)基于石墨烯光克爾效應的全光相位調制器實驗裝置[118]; (b) GCM 的光學顯微鏡圖像[118]; (c) GCM 的傳輸頻譜[118];(d)頂部: 成對的開關脈沖; 中部: GCM 的光纖的脈沖調制信號; 底部: 包含GCM 的MZI 脈沖調制信號[118]; (e)對于包含GCM 的損耗調制(紅色實線), MZI 調制器相位調制(紅色實線)以及MZI 的損耗調制(藍色虛線)的輸出信號的MD 與峰值開關功率的關系[118]Fig. 12. (a) Experimental device of all-optical phase modulator based on graphene optical Kerr effect; (b) optical microscope image of GCM; (c) transmission spectrum of GCM; (d) top: paired switching pulses; middle: pulse modulation signal of GCM fiber; bottom: MZI pulse modulation signal containing GCM; (e) for loss modulation including GCM (solid red line), MZI modulator phase modulation (solid red line) and MZI loss modulation (blue dotted line) output signal modulation depth and peak switching power relationship. Reprinted by permission from Ref. [118]. Copyright Optica.

實驗中使用1550 nm 的CW 光作為信號光,波長1064 nm, 帶寬4.8 Hz 的光脈沖作為控制光,如圖12(d)中的黑線所示. 通過控制開關光, 研究證明GCM 工作時由于石墨烯的非線性效應同時對信號光的強度和相位進行調制, 并且主要受到可飽和吸收效應的影響. 因此, 為了避免可飽和吸收對實驗結果的影響, 在MZI 結構的基礎上將注入兩臂的信號光功率比改為90∶10. 實際上, 系統輸出的信號光中只有一半信號光通過GCM, 盡可能地減小了可飽和吸收效應產生的強度調制的影響,圖12(d)紅線所示為損耗產生的調制, 藍線為相位調制. 從圖12(e)可以看到, 隨著抽運功率的提高,調制器的損耗被很好地控制了, 并且功率與MD成正比. 其中, 藍線是相位調制所能達到的MD.紅線與虛線分別是GCM 和MZI 的損耗所產生的MD. 結合圖12(d), 可知這一系統相位調制起主導作用. 于是系統輸出就是經光學克爾效應相位調制的信號光.

圖13 輸出信號光在不同時間范圍內的波形[118]Fig. 13. Waveforms of the output signal light in different time ranges. Reprinted by permission from Ref. [118]. Copyright Optica.

最終實驗輸出的波形如圖13(a)—(c)所示, 輪廓與圖12(d)所示控制光基本一致, 顯然是由于光學克爾效應導致的折射率改變引起的相位調制, 達到皮秒級別的時間響應. 但上升與下降時間受限于石墨烯不可避免的熱光效應, 分別為3 和100 μs.總之, 基于二維材料光克爾效應的相位調制器具有很快的時間響應以及理想的MD, 并且這一結構可以通過增加石墨烯包層的長度進一步提高MD, 但這意味著OT 將會降低, 石墨烯的損耗很大程度地限制了OT 與MD 的優(yōu)化. 此外, 相位調制的結果依賴于MZI 兩臂的初始相位差, 即工作點的設置,這一點使其可達到調整響應速度, 甚至負調制的效果, 較為靈活. 在MD 和靈活性方面, 基于二維材料非線性效應的調制器中, 光克爾效應的相位調制器優(yōu)勢較為明顯.

4.3 基于四波混頻的波長轉換

除利用二維材料光克爾效應以及可飽和吸收以外, 四波混頻(FWM)也是全光調制的一個有效方式. 石墨烯、TMDs 等眾多二維材料在FWM 中具有很高的可行性. 但石墨烯的弱吸收[121], TMDs在可見光范圍內的光響應限制了它們的應用. 在這方面, BP 除穩(wěn)定性較差外, 帶隙可調將特別適合用于光通信設備. 本節(jié)將介紹一個基于BP 的四波混頻波長轉換器[122].

系統耦合方式為上文介紹的具有二維材料涂層的微納光纖, 其結構如圖14(a)所示. 該研究使用1550.70 nm 的分布式反饋半導體激光器作為信號光, 使用PC1 調整信號光偏振態(tài), 最大化通過10 GHz LiNbO3強度調制器之后的輸出功率. 另一個來自1552.35 nm 外腔激光器的可調連續(xù)光用作抽運光. 這兩束光分別經PC2和PC3 對齊后通過3 dB 耦合器合路. 為使FWM的結果更直觀地得到體現, 經高功率摻鉺光纖放大器與光學帶通濾波器放大之后再經過具有BP 涂層的微納光纖并在其中發(fā)生FWM 效應產生新波長的經調制光. 最后使用光譜分析儀分析結果, 如圖14(b)所示.

圖14 (a)具有BP 涂層的微納光纖光學顯微鏡圖像[122]; (b)基于BP 四波混頻的波長轉換器示意圖[122]; (c)系統輸出光譜圖[122];(d)不同RF 頻率下的消光比和轉換效率[122]; (e)不同RF 頻率下對應的FWM 光頻譜細節(jié)[122]Fig. 14. (a) Optic microscope image of BP-coated microfiber; (b) schematic diagram of wavelength converter based on BP four-wave mixing; (c) system output spectrum; (d) extinction ratio and conversion at different RF frequencies efficiency; (e) details of the corresponding FWM optical spectrum at different RF frequencies. Reprinted by permission from Ref. [122]. Copyright Acs Photonics.

輸出光譜如圖14(c)所示, 分別在1549.05 和1554.0 nm 處產生了經轉換的光. 可以注意到光譜峰的不平整, 這是在信號光中的可調射頻(RF)信息. 新轉換出的光光譜峰與信號光具有高度相似性, 這代表信息被成功加載調制. 由于光學帶通濾波器的存在, 這一結果排除了系統中的其他非線性效應引起的FWM, 比如由BP 微納光纖與摻鉺光纖放大器產生的自發(fā)輻射放大. Zheng 等[122]已完整地論證了系統中BP 的關鍵作用與良好的穩(wěn)定性. 但當抽運光波長變化時, 由于走離效應, 輸出光將會失諧, 相位不匹配, 導致轉換效率降低.圖14(d)與圖14(e)給出的分別是RF 頻率步進到10 GHz 時的消光比和頻譜變化, 可以看到轉換效率幾乎不變地保持在大概–42.9 d B, 消光比則從12 dB 減小到10 dB. 在這一過程中, 隨著信號光頻率的提高, 輸出的新的轉換波頻譜也隨之變寬變清晰. 消光比的變化主要是由于摻鉺光纖放大器中的非線性效應. 此外, 在高頻率信號光下, FWM 頻譜不具有高階信號, 這是因為信號過弱以至于光譜分析儀的精度不足以檢測到. 同時, 高階弱信號被自發(fā)輻射的噪聲阻塞, 進一步加大檢測難度. 也是因為這個原因, Zheng 等[122]沒有對系統的誤碼率進行討論.

這項工作證明了信號光中的信息可以通過二維材料的FWM 效應加載到新產生的FWM 光中,未來可以考慮優(yōu)化結構, 進一步提高FWM 轉換效率. 總之, 所有的測試結果表明, 這種新型的非線性光學器件可以用于全光信號處理擴展通信頻段,并具有相當高的穩(wěn)定性. 未來可以嘗試尋找一個光通信頻段內的, 具有BP 特性但更穩(wěn)定的材料應用于這一系統進一步地優(yōu)化.

不同于熱光響應的緩慢響應, 基于非線性效應的全光器件利用二維材料優(yōu)秀的光學非線性特性,達到了更快的響應速度并且功耗更低, 產生的熱量也更低, 是目前實現全光信號處理的主要器件. 表3總結了基于不同二維材料非線性效應的全光器件[116,118,122?128], 包括全光調制器[118,122?124]、全光開關[116,125]以及波長轉換器[122?124,126?128]. 其中全光開關也即全光強度調制器, 多通過二維材料可飽和效應實現, 其調制速度受到控制光頻率的限制, 基本沒有響應時間, 是最有希望達到二維材料理論速度限制的一種調制器, 也是目前調制速度最快的調制器. 對于克爾效應與四波混頻, 因為石墨烯的弱吸收, 其光操縱能力有限, 并且損傷閾值低, 不適合用于這一類型的調制器. 而TMDs 的光響應波段通常在可見光范圍內, 這限制了其在光通信頻帶中的應用. 至于BP[129,130], 盡管它具有可控帶隙,但是它受到弱穩(wěn)定性的高度限制[131,132], 通常需要通過離子摻雜或用其他層狀材料涂覆來增加其穩(wěn)定性[133]. 雖然已成功應用于此種類型的調制器, 但成本較高, 制備復雜. 全光相位調制器多基于克爾效應, 也稱為克爾相移器. 其控制效率較高, 系統穩(wěn)定, 能有效地降低成本與功耗. 四波混頻對信息的復制較為完整. 四波混頻與克爾效應均需要很高的抽運光功率, 對設備要求較高, 而輸出的光信號強度卻微弱, 甚至光譜儀無法檢測. 提高輸出光功率又是與系統的插入損耗互斥的, 距離實際應用仍存在很大改進空間. 另外, 還有相干吸收效應,Rao 等[134]基于石墨烯在Sagnac 干涉儀中達到了80%的調制效率.

表3 基于不同二維材料非線性效應的全光器件總結Table 3. Comparison of all-optical devices based on nonlinear effects of different two-dimensional materials.

5 討論與總結

實際上, 石墨烯的生產已經逐漸由實驗室中合成少量薄膜開始, 逐漸發(fā)展到大規(guī)模制作[135]. 在可以預見的未來, 二維材料大規(guī)模合成, 制作成本進一步降低, 將能應用于多種光學設備, 如基于二維材料的全光信號處理作為邏輯運算單元[136,137]應用到人工智能系統[138?142]、超靈敏傳感器、超高密度數據存儲等. 二維材料的緊湊性及機械靈活性很好地迎合各種器件高度集成化微型化的需求. 除了制備工藝的不斷成熟, 新的二維材料也不斷被報道, 如鈣鈦礦[143?145]、氧化石墨烯[146,147]、拓撲絕緣體[93,148,149]等, 它們在全光調制中的應用仍然有待開發(fā), 二維材料的研究只是剛剛開始.

對于光學調制器, 傳統電光調制器達到了30 GHz 以上的輸出[61], 已經逼近物理極限, 漸漸不能滿足日益增長的需求. 于是越來越多的研究期望在全光系統中尋找解決方案. 從全光控制器件和二維材料的結合方式看, 目前二維材料與全光控制器件耦合的載體主要有三種: 微納光纖、光纖耦合器以及波導. 微納光纖具有強倏逝場, 很好地契合二維材料的強光-物質相互作用, 并且體積較小, 靈活, 對全光纖系統兼容性好; 光纖耦合器通常是利用光沉積將二維材料沉積在接頭纖芯, 這一方式操作簡單, 但體積較大, 沉積效果不佳, 適合初步測試系統以及表征材料特性; 波導結構是最有潛力的結構, 體積小, 與現代工藝兼容, 并且小體積的二維材料表現出卓越的光學性質, 比如石墨烯的損耗大小與作用面積成反比, 更小體積的石墨烯能有更高的MD 與OT. 由于二維材料體積小、損耗小,抽運光將能使用更低的功率, 熱效應所造成的延時也能大幅縮短(即有更快的響應速度). 并且與業(yè)界微型化的需求方向是一致的.

從全光器件的結構看, 分為非諧振設計(MZI結構、MI 結構和PI 結構)與諧振設計(微環(huán)諧振器). 非諧振設計主要是利用光的干涉原理實現光開關與光調制的功能. MZI 結構的調制器將信號光分為兩臂, 二維材料只存在于其中一臂, 很好地減少了對信號光功率的吸收損耗, 比起單一光路的損耗調制器有更高的OT 與MD, 同時也降低了對控制光功率的要求. MI 結構則是MZI 結構的改良版, 改善了MZI 結構的不穩(wěn)定性. 由于存在反射結構使得信號光與控制光能通過二維材料兩次, 提高了熱光效應的效率, 所以能大大縮短響應時間, 同時有更好的MD 和OT. PI 結構是非諧振設計中最優(yōu)秀的結構, 具有MZI 結構和MI 結構的優(yōu)點的同時, 最大程度地避免了環(huán)境的干擾, 系統穩(wěn)定性最佳. 而諧振設計較非諧振設計更為優(yōu)秀, 微環(huán)諧振器的存在, 使得二維材料體積能夠盡可能地小. 這意味著有更高的OT、更快的響應時間, 并且很適合集成到波導, 實現低控制光功率的調制, 將會是未來全光控制器件結構發(fā)展的一個重要方向.

從全光器件的原理看, 目前主要利用二維材料的熱光效應以及非線性效應. 熱光效應理論體系完善, 二維材料所具有的高熱導率, 應用于相位調制有比較好的表現, 并且有良好的調制深度, 但容易受到環(huán)境干擾, 響應時間受散熱速度的限制. 非線性效應較為豐富, 還有很多研究的空間. 其中可飽和吸收效應是最成熟的調制方式, 其具有很寬的工作帶寬、快速的響應和微型尺寸. 大量工作已使得基于此原理的器件性能穩(wěn)定增長, 尤其是超快脈沖的產生. 光學克爾效應對實現復雜功能較為友好,擁有不遜色于可飽和吸收效應的響應速度, 但會受到熱光效應的干擾波動.

目前全光調制要與電門控競爭的關鍵在于解決調制深度不足以及能耗過高問題. 在調制深度方面, 可以考慮采用相位調制的方式, 只要致力于產生足夠的相移, 調制深度就相當于消光比; 在能耗方面, 通過優(yōu)化結構, 采用類似于微環(huán)諧振器, 集成波導等, 盡可能地縮小二維材料的體積, 就可以大大降低能耗. 解決這兩個問題, 二維材料的全光控制優(yōu)勢將會相當明顯. 因此將來應更多地往高度集成光波導的方向發(fā)展. 此外, 熱光效應對環(huán)境溫度的敏感性也可作為全光系統集成溫度傳感芯片的一個研究方向.

全光信號處理不僅為光電子學帶來了光對光直連的方便, 它使得許多新概念設備成為了可能,并應用到全光路由和邏輯門[2,78]、光學計算、光子人工智能和光學神經網絡、中紅外和太赫茲生物傳感等領域, 徹底改變人們對于光子學的認知. 但全光控制器件的應用仍然存在許多挑戰(zhàn), 例如, 沒有實現弱光控制強光、結合光開關與光放大的功能;二維材料的高吸收損耗難以避免, 導致MD 和OT較電光調制低并且需要毫瓦級的功率消耗等. 總之, 距離實現光通信中的應用還有很大的困難. 籠統地說, 電光和全光調制區(qū)別是用電場或者光場的手段對光學介質的特性進行調控, 進而影響光的強度、相位、偏振等特性. 電光調制主要是用兩種方式: 電加熱材料改變折射率, 結合干涉儀結構, 實現相位調制. 另一種方式是利用電致材料吸收變化, 實現光的強度調制. 而全光調制的方式較多,特別是利用材料的非線性特性, 可優(yōu)先實現高速調制, 波長轉化技術也易于拓展通信容量. 雖然基于二維材料的全光調制器表現出了優(yōu)秀的工作帶寬以及響應速度, 但遺憾的是沒有一整套的全光系統方案, 研究全光控制器件不得不考慮與現有工藝、電子系統的兼容性, 為全光控制領域的發(fā)展帶來不小的挑戰(zhàn). 目前可以從兩個方向突破: 1)二維材料與微納光子器件結合, 有望實現高速低功耗光調制器. 如二維材料與等離子體結合, 實現了消光比為3.5 d B, 響應時間小于100 fs, 功耗為35 fJ的全光開光[14]; 二維材料與微環(huán)諧振腔結合[150?152], 實現了百納秒級的效應時間以及0.164π/mW 的諧振效率[153]. 2)探索具有超快載流子馳豫的新型二維材料, 例如磷化鎵[154]等.

總之, 本文基于二維材料的熱光效應和非線性效應, 回顧了全光器件的研究現狀, 然后討論了全光器件的挑戰(zhàn)和機遇. 總體而言, 基于2D 材料的全光控制已引起了極大的關注, 接連取得突破, 有望保持高速發(fā)展. 期望在未來, 全光控制器件會成為各種全光系統的基石, 推動科學進步.

感謝張晗教授的幫助與指導.