沈雯
(南通市東港排水有限公司,江蘇南通 226000)
南通某新能源科技股份有限公司用常壓化學氣相淀積表面成膜方法(APCVD)生產光伏電池片,年產光伏電池片1 200 萬片。工藝中采用鈦酸乙酯和乙酸乙酯反應生成氧化鈦,其中鈦的價態不穩定,則根據TiO 和TiO2的氧化程度控制產品的品質,且有機反應過程中出現副反應(酯化反應)。其工藝過程主要環保問題為:前處理使用3%鹽酸酸洗2 次、20%氫氧化鈉堿洗,排放頻次高,廢水產生量多;APCVD工藝流程長,酯化(副)反應需使用帶水劑(苯、甲苯、二甲苯等),影響員工生產環境;系統反應中帶水劑沸點較低,反應液蒸餾過程中消耗水中的氧產生二氧化碳和水,且需投資于有機廢水治理設施建設與運行;每萬片光伏電池片的取水量1 758.33 t、耗電量5 108 kW·h、污水產生量1 406.67 t、CODCr產生量138.58 kg,較國內同行業每萬片電池片取水量1 500 t、耗電量5 106 kW·h、污水產生量1 200 t、CODCr產生量95 kg,分別高0.17,0.000 4,0.17,0.46 倍;產品合格率為91%,較國內同行業合格率低8%。生產成本高也給產品市場競爭帶來不利影響[1]。綜上所述,開展光伏電池片表面成膜工藝技改與污染物減排研究,可為同行業提供基礎方法,提高產品的市場競爭率。
2.1.1 材料
每萬片光伏電池片消耗:自來水1 758.33 t、電5 108 kW·h、硅片1.02 萬片、銀漿0.001 5 t、鋁漿0.007 t、硅烷0.989 4 t、氨氣0.5 t、氮氣0.856 9 t、氧氣0.017 6 t、四氟化碳0.001 7 t、氫氧化鈉0.005 t、氫氟酸0.025 t、鹽酸0.013 t、三氯氧磷0.994 t、氫氧化鉀0.014 t、異丙醇0.026 t。
其工藝流程為:硅片—硅片離子水水洗—堿洗—制絨—酸洗、水洗—氫氟酸洗Ⅰ—擴散—刻蝕—氫氟酸洗Ⅱ—PECVD(等離子化學氣相淀積)—印背場、印背電極、印柵極—燒結—成品。
2.1.2 設備
薄膜淀積裝置為中國科學院北京微電子研究所制造的HQ-2 型PECVD 淀積臺,淀積臺由反應室、真空系統、氣路系統、射頻電源以及控制電路組成,反應室由內外2 個腔室鑲嵌而成,外腔室接分子泵機組形成高真空系統,內腔室接真空機械泵。
表面成膜工序PECVD 與APCVD 在工藝過程、生產條件、使用的原輔材料及其污染物產生等方面,既有相同之處,又有原則性的區別。2 種工藝方法及其污染物產生環節[2]見表1。

表1 2 種表面成膜工藝及其污染物產生環節
由表1 可見,PECVD 成膜工藝合理:(1)序號1,由原來的酸洗、水洗改為去離子水水洗,不但可減少鹽酸的用量,且可減少硅片前處理與末端污水處理中和堿的用量。(2)從序號1 至5 及序號8 洗液由1~8 h 改為12~24 h 更換1 次,減少了洗液的排放。(3)用氫氧化鉀替代氫氧化鈉,有利于清除硅片表面雜質與后續的上漿,用異丙醇替代乙醇可防止淀積膜起氣泡,減少固廢產生量。(4)PECVD 工藝中不用鈦酸丁酯、乙酸乙酯,也無酯化反應(副反應)中帶水劑(苯、甲苯或二甲苯)降低CODCr產生量,減少相關設備運行與維護費用,不需投資建設有機廢水處理設施與運行。(5)PECVD 工藝可有效解決APCVD 因氧化鈦中鈦的化合價(易形成TiO和TiO2)不穩定,難于控制產品質量的不利因素。
PECVD 淀積SiO2通過表面吸附作用和低能離子轟擊而增強的異質自由基原理進行,在PECVD 淀積中用高頻激發硅烷,由氨氣分離出氮離子,與硅片接觸后在硅片表面形成均勻的SiOX膜,即:SiH4+N2+O→SiO2(O+H2+N2)。本次試驗按照國內外統計學家提出的水平組合正交表的設計要求[3],選擇SiH4流量、NH3流量、溫度、時間、射頻功率、腔內壓、淀積速率與淀積厚度8 項因素,分別取值進行L9(34)三水平四因素試驗[3],以試驗結果作為確定PECVD 替代APCVD 適用性的依據。
淀積時間、溫度、硅烷與氨流量等因素試驗數據見表2。

表2 淀積時間、溫度、硅烷與氨流量等因素試驗數據
淀積溫度與硅烷、氨流量與時間正交化試驗見表3。

表3 淀積溫度與硅烷、氨流量與時間正交化試驗
由表3 可見,以試驗A2組(An對應于Kn)對應K2產生的溫度控制效果較好,其K2值為61,R 值為9.3,分別大于B2,C2和D2,其最佳水平組合為A2,B2,C2和D2。對應于表2 序號5 數值,在280 ℃時,淀積15 min,控制SiH4流量為30 mL/min、NH3流量為35 mL/min,其光伏電池片淀積效果經橢偏儀測試,薄膜的均勻性穩定,折射率均勻性<0.5%,厚度均勻性<2.5%,表明該工藝條件下SiO2薄膜均勻性較好,其他時間與溫度及SiH4與NH3流量組合效果不佳。
射頻功率與腔內壓、淀積速率及淀積厚度正交試驗見表4。

表4 射頻功率與腔內壓、淀積速率及淀積厚度正交試驗
由表4 可見,A 因素的K2值為62.7,R 值為11.4,分別大于B2,C2和D2,試驗產生的最佳水平組合為A2,B2,C2和D2。對應表2 序號5 數值表明,影響淀積效果除表3 中的因素外,還需要有表4 中的射頻功率、腔內壓、淀積速率與淀積厚度因素支持才能獲取最佳效果。即射頻功率控制在200 W,腔內壓力調整為4.0 Pa,淀積速率為0.082 μm 與淀積厚度為0.076 μm,可滿足生產條件。
3.2.1 速率與溫度試驗
為了解淀積速率與淀積溫度之間的變化關系,在淀積溫度0~280 ℃之間選擇每間隔50 ℃為試驗單元;250 ℃以上按每上升10 ℃為試驗單元,直至280 ℃,觀察淀積速率上升情況,以便為方案實施提供基礎數據,結果見圖1。

圖1 淀積速率與淀積溫度變化關系
圖1 顯示,在淀積溫度小于280 ℃時,淀積速率隨淀積溫度上升,且呈線性增長,當淀積溫度繼續增加,高到280 ℃附近時其淀積速率達到0.082 μm。據報道,淀積溫度達到280 ℃時,“膜中無序物質的激活與無序物質引入達到了平衡”,本次試驗結果與報道內容基本一致,工藝中產生微量的氨氣和氮氧化物。據南通市環境監測中心站《建設項目竣工環境保護驗收監測報告》(通環監驗字〔2019〕第047 號),車間內氨氣與氮氧化物分別為0.08,0.095 mg/m3,滿足《大氣污染物綜合排放標準》(GB 16297—1996)表2 中二級標準限值1.5 mg/m3和0.12 mg/m3的要求。
3.2.2 速率與腔內壓試驗
單位時間腔內壓作用于淀積對象,關系到淀積的貼近度與速度,因此,觀察腔內壓的變化對淀積速率的影響具有重要意義。試驗分析了1.0~10.0 Pa 區間淀積速率在0.052~0.142 μm 之間的變化,結果見圖2。

圖2 淀積速率與腔內壓變化關系
圖2 顯示,隨著腔內壓的上升,淀積速率也相應增高。腔內壓為4.0 Pa 時淀積速率達到0.082 μm,但腔內壓力也不能無限制地增加,因為壓力越大,淀積速率越快,得到的SiO2膜則變得疏松,抗蝕性也降低,因此應將腔內壓力設置在適當的區間。
3.2.3 厚度與時間試驗
光伏電池片膜淀積時間與淀積厚度關系密切,試驗中選用不同的淀積時間(取值8~15 min),觀察淀積厚度在0.01~0.08 μm 區間的變化情況,結果見圖3。

圖3 淀積厚度與淀積時間變化關系
圖3 顯示,當淀積反應趨于穩定以后,SiO2膜的厚度隨著淀積時間呈線性增長,直到15 min 時淀積厚度達到0.076 μm,滿足淀積厚度0.07~0.08 μm 的要求。
3.2.4 射頻功率與腔內壓試驗
淀積SiO2薄膜時的射頻功率密度是影響薄膜結構的重要參數。試驗中主要觀察腔內壓0~8.0 Pa 區間與射頻功率(160~240 W)區間的變化關系,結果見圖4。

圖4 射頻功率與腔內壓變化關系
圖4 顯示,射頻功率隨腔內壓的增加而上升,這是因為功率較低時,形成的膜層致密均勻;功率增高后,淀積速率加快,不易形成致密均勻的膜層,故射頻功率不宜過低或過高。腔內壓達4.0 Pa,射頻功率為200 W 時較為適宜,否則,淀積效果不佳。
3.2.5 設備淘汰
技改為PECVD 工藝后除保留成膜公共設施外,淘汰了SYQ 石英管清洗設備1 臺、SLPC-71H APVCD成膜及酯化反應(釜、泵與冷卻)設施1 套、FEI-A型顯微鏡2 架、TL-1B 型少子壽命儀1 臺、RTS-8 型四探針8 臺、XYWH-5A 型烘箱5 臺,累計19 臺(套)。技改前,每萬片光伏電池片生產用電5 108 kW·h,技改后(用電5 105.28 kW·h)下降2.72 kW·h[4],年產120 萬片光伏電池片節電326.4 萬kW·h。
3.2.6 成膜工藝技改
采用PECVD 工藝后不使用鈦酸丁酯和乙酸乙酯,也無帶水劑(苯、甲苯或二甲苯)酯化反應(副反應),年可減排CODCr5.71 t[5];酸洗水洗改為去離子水水洗,洗液由1~8 h 改為12~24 h 更換1 次,減少了取水量。取水量由技改前的21.1 萬t 下降到技改后的17.81 萬t,年節水3.29 萬t;擴散工段磷元素不會在后續氫氟酸洗工段進入污水,化學反應式:15POCl3=3PCl3+6P2O5,2P2O5+5Si=5SiO2+4P,4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2,防止受納水體富營養化。
技改后每萬片光伏電池片生產年耗電量、污水產生量及其主要污染物指標數據見表5。

表5 技改前后電、水消耗與污染物產排比較
PECVD 替代A PCVD 后,據南通市環境監測中心站《建設項目竣工環境保護驗收監測報告》(通環監驗字〔2014〕第047 號)可知,年節電326.4 萬kW·h,年減排生產廢水15.58%,CODCr年削減率達34.34%,氟化物年削減率為28.61%。污水中CODCr、氟化物與總磷排放濃度分別為76.63,19.8,0.06 mg/L,滿足《污水綜合排放標準》(GB 8978—1996)表4 中的三級標準及參照執行的《污水排入城市下水道水質標準》(CJ 3082—1999)表1 中的標準限值要求。氨氣削減率為40.54%,氮氧化物削減率達37.93%,氨氣與氮氧化物的排放速率分別為0.031,0.025 kg/h,均滿足《大氣污染物綜合排放標準》(GB 16297—1996)表2 中二級標準和《惡臭污染物排放標準》(GB 14554—93)表1 中新改擴二級標準限排速率的要求,所排總量滿足所在地環保部門核準的相關指標限量要求。
(1)經過一系列試驗可知,PECVD 滿足工藝要求,解決了原工藝中用TiO 和TiO2的氧化程度控制產品品質不穩定的難點,產品合格率由91%提高到99%,減少固廢產生8%。
(2)PECVD 工藝替代APCVD 工藝減少了電耗,淘汰了APCVD 工藝中酯化反應(副反應)的相關設備,年節電326.4 萬kW·h。
(3)PECVD 工藝替代APCVD 工藝不使用鈦酸丁酯和乙酸乙酯,也無帶水劑(苯、甲苯或二甲苯)酯化反應(副反應)冷卻水,年取水量由技改前的21.1萬t 下降到技改后的17.81 萬t,年節水3.29 萬t;年污水排放量由技改前的16.88 萬t 削減到技改后的14.25 萬t,減排生產污水15.58%。
(4)新工藝年減排CODCr產生量5.71 t、氟化物產生量1.17 t、氨氣0.15 t、氮氧化物0.11 t,實現了污染物排放濃度與總量雙達標。
(5)新工藝實施中淘汰了部分原輔材料與設備,節約了生產成本支出。