江旅銳



摘 要
在工程機(jī)械電控系統(tǒng)開發(fā)過程中,由于原用Flash存儲(chǔ)器M25P16停產(chǎn),對(duì)電控系統(tǒng)存儲(chǔ)功能的開發(fā)帶來了消極的影響。本文通過實(shí)驗(yàn),對(duì)Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ與M25P16的存儲(chǔ)功能性能進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,研究Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ是否可以替代M25P16進(jìn)行使用。
關(guān)鍵詞
Flash存儲(chǔ)器;W25Q16JVSNIQ;M25P16;可行性
中圖分類號(hào): TG44 ? ? ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2020.19.063
0 引言
Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ為空間有限的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案,25Q系列提供的靈活性和性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存設(shè)備。隨著Flash存儲(chǔ)器M25P16的停產(chǎn),W25Q16JVSNIQ的使用價(jià)值得到越來越多的重視,且二者的封裝完全相同,因此,在替換方案的便利性上具備一定的優(yōu)勢(shì)。但行業(yè)內(nèi)對(duì)使用Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ替換M25P16的可行性缺乏研究,本課題的研究,為使用Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ替換M25P16的可行性提供必要的數(shù)據(jù)支撐,具有重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。
1 實(shí)驗(yàn)方法
通過焊接手段將Flash存儲(chǔ)器安裝在電控系統(tǒng)主控制器電路板上,主要針對(duì)Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ和M25P16的擦除數(shù)據(jù)(包括全片擦除和Sector擦除)、寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)等基本功能性能進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,各項(xiàng)操作指令均由控制器發(fā)出。
系統(tǒng)電路連接示意圖如圖1,實(shí)驗(yàn)環(huán)境溫度為23.6℃,濕度為90.1%,測(cè)試流程如圖2。
本文針對(duì)Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ和M25P16的基本存儲(chǔ)功能性能進(jìn)行試驗(yàn),為減少誤差,提高試驗(yàn)的準(zhǔn)確性,先對(duì)M25P16進(jìn)行測(cè)試,每次試驗(yàn)進(jìn)行3次,然后取3次試驗(yàn)結(jié)果的平均值,完成測(cè)試后,將M25P16替換為W25Q16JVSNIQ,按照相同的測(cè)試過程、測(cè)試要求進(jìn)行測(cè)試。
2 結(jié)果與討論
經(jīng)驗(yàn)證,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ和M25P16的讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)功能正常,完成各功能操作的時(shí)間記錄如表1。
從表1可以得出,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ在完成讀數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)功能的平均使用時(shí)間與M25P16基本保持一致,誤差保持在±0.5s內(nèi),對(duì)全片數(shù)據(jù)或32個(gè)Sector數(shù)據(jù)進(jìn)行寫操作時(shí),速度較慢,平均使用時(shí)間接近M25P16的2倍。
3 結(jié)論
在存儲(chǔ)功能方面,外擴(kuò)Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ與M25P16的讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)功能指令相同,可以相互兼容;在工作速率方面,對(duì)執(zhí)行讀數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)的指令時(shí),速率相當(dāng),對(duì)執(zhí)行寫入全片數(shù)據(jù)(或32個(gè)Sector數(shù)據(jù))指令時(shí),F(xiàn)lash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ的速率相對(duì)較低,但屬于可視差距。
因此,若對(duì)寫入全片數(shù)據(jù)(或32個(gè)Sector數(shù)據(jù))的速率無嚴(yán)苛要求的前提下,外擴(kuò)Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ可代替M25P16進(jìn)行使用。
參考文獻(xiàn)
[1]劉岐,沈鳴杰,董藝.電離總劑量效應(yīng)對(duì)浮柵型Flash存儲(chǔ)器擦寫耐久與數(shù)據(jù)保持特性的影響研究[J].航天器環(huán)境工程,2019,36(03):264-270.
[2]李遠(yuǎn)哲,賀海文,萬麗,李妍,趙峰.嵌入式系統(tǒng)大容量NAND Flash存儲(chǔ)器分區(qū)管理設(shè)計(jì)[J].計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制,2019,27(02):212-215+220.
[3]郭慧瑩.Flash存儲(chǔ)器并行耐久測(cè)試方案研究[J].科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào),2019,16(11):148-149.