表面效應對鐵〈100〉間隙型位錯環的影響*

梁晉潔 高寧 李玉紅

1) (蘭州大學核科學與技術學院, 蘭州 730000)

2) (中國科學院近代物理研究所, 蘭州 730000)

3) (中國科學院大學核科學與技術學院, 北京 100049)

在材料輻照損傷過程中, 間隙型位錯環的形成及動力學行為嚴重影響材料在輻照條件下的服役行為.在常用的以體心立方鐵為基的合金材料中, 1/2 〈111〉 和 〈100〉 是兩種主要的位錯環, 其對輻照損傷的影響一直都是核材料領域研究的熱點之一.在之前的研究中, 人們對{111}面與單個1/2 〈111〉 位錯環的相互作用進行了深入研究, 發現表面對位錯環性質確實有重要的影響.采用分子動力學方法, 在原子尺度詳細研究了另一個重要的表面鐵{100}面對 〈100〉 間隙型位錯環動力學過程的影響.模擬發現位錯環伯格斯矢量與表面法線方向的關系、距表面的深度、位錯環之間的相互作用以及溫度等, 都對位錯環與表面的相互作用產生重要影響, 其中, 表面作用下的伯格斯矢量的演化以及 〈100〉 位錯環在此過程中的一維運動首次被發現.基于這些模擬結果, 就 〈100〉 位錯環對表面輻照損傷結構的影響進行詳細地研究, 給出 〈100〉 位錯環對表面凹凸結構的貢獻, 這些結果為理解輻照過程中材料表面的演化提供一種可能的解釋.

1 引 言

載能粒子與物質相互作用中, 當粒子傳遞給材料中的原子能量超過其離位閾能時, 原子會離開其原來的晶格點陣位置, 形成間隙子同時留下空位缺陷, 在實際輻照環境中, 大量的載能粒子與物質相互作用會形成過飽和的間隙子和空位, 它們或者發生湮滅, 或者被其他缺陷捕獲, 或者同類型缺陷之間相互作用, 形成團簇等缺陷.間隙子團簇主要形成間隙型位錯環, 其伯格斯矢量不在慣習面內, 因此, 其性質與常見的剪切位錯環不同; 而空位的團簇, 可以形成空洞、空位型位錯環和堆垛層錯等.除此之外, 輻照還會誘發沉積相等缺陷, 造成輻照損傷, 嚴重影響材料的服役性能, 其中位錯環是輻照損傷的主要缺陷之一.目前核裂變、核聚變以及加速器驅動核廢料嬗變系統均以體心立方(BCC)鐵(Fe)基合金作為結構材料, 因此, 研究Fe中的輻照損傷缺陷對于核能用結構材料的選擇具有重要意義.

Fe中常見的間隙型位錯環按照其伯格斯矢量的不同, 主要有兩種1/2 〈111〉 和 〈100〉[1,2], 理論上,Fe中1/2 〈111〉 位錯環在低溫時穩定, 高溫時以〈100〉位錯環為主[3].在經過輻照后的Fe薄膜中,溫度高于 400 ℃ 時, 以 〈100〉 位錯環為主[4?6].然而, 室溫下Fe樣品透射電鏡觀察結果顯示, 存在1/2 〈111〉 和 〈100〉 混合態[2,7], 溫度升高到 300 ℃ 時,位錯環將自發地從1/2 〈111〉 轉變為 〈100〉 伯格斯矢量[8].對于位錯環的研究, 萬發榮研究組[9?12]做了細致深入的工作, 他們用透射電子顯微鏡表征了不同位錯環的微觀結構并闡述了對應的演化過程, 并詳細研究不同溫度、合金元素及氫氦存在時對位錯環結構及性質的影響.除了位錯環本身結構和性質外, 在BCC金屬中, 位錯環與外部應力場的相互作用[13]一直是研究熱點, 如位錯環在拉壓應力場下的演化過程[14], 應力場下的有氦泡擠出位錯環形成過程[15], 界面應力場對位錯環形成的影響[16]以及由雙氦泡形成的應力場對位錯環演化的影響[17]等, 這些均表明位錯環的形成和演化受到應力場的影響.除了上述可能的應力場之外, 當表面存在時,由于表面效應/應力的影響, 棱柱位錯環容易被自由表面所吸收[18].Terentyev等[19]的研究表明：〈100〉位錯環的遷移能高于1/2 〈111〉 環, 所以 〈100〉位錯環更穩定.分子動力學模擬同樣表明, 1/2〈111〉的棱柱狀位錯環的遷移勢壘低于0.1 eV, 具有較強的擴散性, 可以沿著伯格斯矢量方向快速的做一維擴散運動[20,21].這些研究表明1/2 〈111〉 較〈100〉位錯環更容易與自由表面發生相互作用.Fikar等[22?24]對 1/2 〈111〉 與自由表面的相互作用已經做了較為系統的研究, 并對 〈100〉 和1/2〈111〉位錯環能量與深度的關系也做了研究, 但目前尚無研究自由表面是如何影響Fe中 〈100〉 位錯環移動的, 考慮到 〈100〉 位錯環與1/2 〈111〉 位錯環的不同,同樣需要開展相應的研究揭示此種位錯環與表面的相互作用及對輻照損傷性能的影響, 因此, 本文利用分子動力學方法, 研究單晶Fe中的 〈100〉 位錯環與自由表面在原子尺度上的相互作用過程.

2 計算方法

2.1 計算模型

根據本文的研究目的, 計算模型主要包含表面及表面下間隙型位錯環.位錯環為間隙型位錯環,伯格斯矢量為 〈100〉 , 慣習面為{100}, 初始狀態設定為伯格斯矢量垂直于慣習面, 位錯環半徑為1 nm.根據伯格斯矢量的方向以及表面對位錯環影響的大小, 選擇{100}表面為主要與 〈100〉 位錯環相互作用并能揭示表面效應的微觀缺陷結構; 在模型的構建中, BCC Fe基體大小定義為20 nm ×17.1 nm × 17.1 nm, 厚度為20 nm, 為更清晰地反映表面與位錯環的相互作用, 上下兩個表面設定為真空自由表面.因此, 根據位錯環伯格斯矢量與表面法線的關系, 建立的計算模型主要包括伯格斯矢量與表面法線平行(圖1(a))和垂直(圖1(b))兩種情況; 根據是否有不少于兩個具有相互作用的位錯環以影響位錯環與表面的相互作用, 計算模型分為單個位錯環與表面的相互作用和兩個不同伯格斯矢量取向的位錯環與表面相互作用的微觀結構(圖1(c)).除了考慮伯格斯矢量方向和位錯環數目的影響, 也對不同深度的位錯環與表面相互作用過程進行了模擬, 具體的深度距離(d )定義如下：對于伯格斯矢量與表面法線平行的結構, 位錯環與表面的距離d定義為位錯環所在的平面與表面的距離; 對于伯格斯矢量與表面法線垂直的結構, 距離參數d定義為位錯環靠近表面最近的結構單元到表面的距離.因此, 這兩種距離的定義本質上都是定義為位錯環與表面開始相互作用的深度, 考慮到原子尺度的模擬, d主要取值為2 nm和4 nm.這些模型的建立, 可以讓本文研究接近實際情況的表面相互作用過程.

圖1 〈100〉 間隙型位錯環與表面相互作用計算模型示意圖 (a)和(b)單個位錯環與表面的相互作用模型, 其中位錯環伯格斯矢量分別平行(a)和垂直(b)于表面法線方向; (c)兩個不同的具有相互作用的伯格斯矢量的 〈100〉 位錯環與表面相互作用的微觀模型; 圖中位錯環和表面原子的顏色根據其勢能Epot大小確定, 如圖中的能量顏色棒表示, 在表面之外為真空層, 以模擬表面與位錯環的相互作用過程Fig.1.Schematic of interaction between 〈100〉 loop(s) with {100} surface：(a) and (b) Interaction between a single 〈100〉 loop with surface with Burgers vector parallel (a) or perpendicular (b) to the normal line of surface; (c) interaction between two interacting〈100〉loops and {100} surface.The atoms in loops and surface are colored by their potential energies Epot as marked by the color bar in the Fig.1.

2.2 原子尺度模擬方法

本文原子尺度計算主要應用分子動力學方法完成, 其核心算法在于求解基于牛頓運動定律的粒子運動方程：

其中, Fi(t) 為粒子i所受的力; mi為粒子i的質量;ai(t)為粒子i的加速度; U為勢能函數, 其梯度負值為粒子所受的力; vi為粒子i的速度; ri為粒子i的位置矢量.

在計算過程中, 對建立的模型采用三維周期性邊界條件, 首先對建立的包含表面及位錯環的計算胞進行分子靜力學弛豫, 使系統達到局部能量最小態, 也就是表面及位錯環在0 K條件下達到位置平衡, 這些計算都是通過分子靜力學方法完成, 在此基礎上, 以分子靜力學得到的結構進行分子動力學模擬.根據研究目的, 在分子動力學模擬過程中,時間步長設定為1 fs (即10—15s), 模擬溫度為300,450, 600, 750, 950, 1200 K, 系綜為保持粒子數、體積和溫度為常數的NVT系綜.需要注意的是,這些模擬針對的是形成后的缺陷與表面的相互作用, 對應的是輻照后缺陷在給定溫度下的動力學過程, 因此, 設定的溫度為輻照后的退火溫度.根據實際動力學過程, 如果在給定的溫度下, 位錯環與表面相互作用后被表面吸收, 則無需再進行后續更高溫度的模擬; 對于每一個溫度點, 模擬的總時間為 5 ns (5 × 10—9s), 在弛豫過程中, 采用 Ovito的DXA方法[25]對系統中的位錯信息進行分析表征, 并對表面形貌做相應的表征.在模擬過程中,采用Ackland?2004 Fe勢函數[26]描述原子之間的相互作用.

3 計算模擬結果與討論

3.1 單個位錯環與表面的相互作用

3.1.1 伯格斯矢量方向的影響

圖 ?2 〈100〉 位錯環伯格斯矢量平行于表面法線方向, 300 K時位錯環的演化過程 (a)?(c)位錯環向表面運動過程示意圖;(d)(g)位錯環與表面發生反應過程; (h)位錯環最終被表面吸收后的狀態Fig.2.Evolution of a 〈100〉 dislocation loop at 300 K with its Burgers vector along the normal direction of surface of {100}.The motion processes of loop are shown in panel (a) to (c) before its interaction with surface, which are shown in panel (d) to (g).Panel (h) is the final state after the absorption of loop by surface.

對于相同深度的位錯環, 例如d = 2 nm系統、模擬溫度為300 K的條件下, 當 〈100〉 位錯環伯格斯矢量平行于表面法線方向時, 隨著模擬時間的增加, 在原子熱漲落過程中, 〈100〉 位錯環的慣習面由平行于系統表面開始逐漸發生變化, 當時間達到10 ps后(圖2(a)), 位錯環慣習面開始偏轉, 同時向表面方向緩慢移動; 當模擬時間達26 ps時(圖2(b)), 位錯環偏轉更加顯著, 經過對慣習面原子結構分析, 可以發現慣習面已經發生變化, 由(100)開始向(110)轉變; 經過位錯環慣習面的旋轉, 位錯環質心沿著伯格斯矢量方向運動, 也就是〈100〉位錯環繼續向表面偏移, 在此狀態下, 位錯環與表面的相互作用導致系統表面形貌開始發生微小變化; 經過223.8 ps后(圖2(c)), 位錯環一端到達表面; 在與表面直接發生反應后(圖2(d)), 位錯環部分單元伯格斯矢量由 〈100〉 逐漸分解為3個1/2 〈111〉 位錯段, 因此, 表面與 〈100〉 位錯環的相互作用, 導致在靠近表面的局部區域發生嚴重的塑性形變, 形成位錯環部分分解; 隨著表面與 〈100〉 位錯環的相互作用的加深, 更多的 〈100〉 位錯環單元在表面作用下發生位錯分解(圖2(e)), 形成 〈100〉 和1/2 〈111〉 位錯線共存的位錯網絡, 彼此相互作用;隨著模擬時間的增加(圖2(f)—(h)), 〈100〉 片段逐漸減少, 1/2 〈111〉 片段占比越來越多, 最后全部轉變為1/2 〈111〉 位錯線逸出表面, 導致逸出處的表面形貌發生顯著形變, 凹凸不平.

當 〈100〉 位錯環伯格斯矢量垂直于表面法線方向時, 模擬溫度和深度同樣設定為300 K和2 nm,經過充分弛豫發現當模擬時間達224 ps時(圖3(a)),位錯環的狀態幾乎沒有發生變化; 再經過653.6 ps長時間的弛豫(圖3(b)), 〈100〉 位錯環僅發生微小形變和位移, 并未向表面移動.相比于位錯環伯格斯矢量平行于表面法線的情況, 在相同條件下,{100}表面對垂直于表面的 〈100〉 位錯環影響比較微弱, 因此, 伯格斯矢量垂直于表面的 〈100〉 位錯環在給定條件下與其在材料內部(遠離表面)的動力學行為相同.當系統模擬溫度升高時, 〈100〉 位錯環在更高的熱漲落和表面效應影響下, 也會發生各種動力學行為演化, 最終被表面吸收, 具體細節在3.2節中詳細展開.

經過分析對比這些結果可以發現, 在其他條件相同的情況下, 位錯環伯格斯矢量的方向平行或垂直于表面, 對位錯環動力學性質及表面結構具有重要的影響.對于系統表面, 前人研究早已表明表面的形成會產生相應的應力場[27], 同時, 本文的間隙型位錯環伯格斯矢量方向平行于表面法線, 相比于垂直于表面法線方向, 同樣存在著較強的應力場分布, 因此, 相對于在材料內部, 由于表面應力的存在, 〈100〉 位錯環在靠近表面和內部兩個方向上受到的應力場分布具有非對稱性, 這決定了當位錯環伯格斯矢量平行于表面法線方向時, 位錯環與表面發生的強相互作用導致了如上所述的結果.

圖3 〈100〉 位錯環伯格斯矢量垂直于表面法線方向時不同溫度下位錯環的演化過程 (a)溫度為300 K, 模擬時間為224 ps;(b)溫度為300 K、模擬時間653.6 ps; (c)溫度為585 K, 模擬時間為1731.4 ps; (d)溫度為740 K, 模擬時間為523.9 ps; (e)溫度為970 K, 模擬時間為822.5 ps; (f)溫度為1220 K, 模擬時間為129.9 ps; (g)溫度為1220 K, 模擬時間為139.9 ps; (h)溫度為1220 K,模擬時間為149.9 psFig.3.Evolution of a 〈100〉 dislocation loop at different temperatures with its Burgers vector perpendicular to the normal direc?tion of {100} surface.The results simulated at 300 K are shown in (a) and (b) with simulation time up to 224 ps and 653.6 ps, re?spectively.The results simulated at 585 K, 740 K and 970 K are shown in (c) to (e) with simulation time up to 1731.4 ps, 523.9 ps,822.5 ps, respectively.The results at 1220 K with simulation time up to 129.9 ps, 139.9 ps, 149.9 ps are shown in (f) to (h), respect?ively.

對位錯環被表面吸收過程中的動力學分析可以發現, 除了表面的應力場影響位錯環的演化外,沒有其他的位錯環或位錯線與 〈100〉 位錯環相互作用, 而位錯環本身的伯格斯矢量由 〈100〉 變為1/2〈111〉, 因此可以得到：表面效應的存在使得 〈100〉位錯環在沒有與外部其他位錯環或位錯線發生位錯反應的條件下, 發生伯格斯矢量的演化, 由高能態向低能態發生跳躍.除了伯格斯矢量的演化外,慣習面也在此過程中發生變化, 從(100)向(110)旋轉, 正是這種旋轉, 導致位錯環質心在原子尺度的位移, 也就是位錯環發生一維擴散運動.根據圖2, 可以得到圖4所示的300 K下 〈100〉 位錯環的質心隨著時間演化的運動速率.對于本文的相互作用, 圖4非常明確地表明了其定向的一維運動.因此, 相對于在體材料中或伯格斯矢量垂直于表面法線方向的位錯環, 本文確認了在給定的條件下(如, 位錯環靠近表面, 伯格斯矢量平行于表面法線方向), 〈100〉 位錯環可以發生沿著伯格斯矢量的一維運動.

圖4 〈100〉 位錯環伯格斯矢量平行于表面法線方向時,不同溫度下位錯環的位置演化Fig.4.Position of a 〈100〉 dislocation loop with increasing the simulation time.The Burgers vector of loop is parallel to the normal direction of {100} surface.

3.1.2 溫度的影響

除了300 K模擬溫度外, 本文對系統也進行了其他溫度條件下的弛豫.圖4為 〈100〉 位錯環伯格斯矢量平行于表面法線方向時不同溫度下位錯環的演化.當位錯環伯格斯矢量平行于表面法線,模擬溫度為300 K時, 位錯環慣習面開始發生偏轉, 大約在160 ps后位錯環開始與表面接觸, 并隨后逸出表面; 當溫度為600 K, 位錯環迅速沿伯格斯矢量方向運動, 與表面接觸發生反應, 17 ps左右位錯環已經逸出表面.從這些結果可以清晰地看出, 溫度越高, 位錯運動翻越的有效勢壘降低, 導致位錯運動加速, 使得位錯環逸出時間越短.從開始運動到與表面接觸及被表面吸收的時間, 300 K所需的時間是600 K的9.5倍.顯然, 溫度升高大大加快了位錯環向表面的移動速率.同時, 需要注意的是, 當位錯環運動大約0.8 nm后, 與表面的相互作用導致了位錯環完全被吸收, 考慮到位錯環最初時的深度, 可以推斷出表面在其深度1—1.5 nm處, 與位錯環的反應可以快速發生, 造成表面輻照損傷.

當位錯環伯格斯矢量垂直于表面法線時, 如圖3所示, 雖然300 K下, 〈100〉 位錯環經過長時間的弛豫, 其狀態基本維持不變, 但當溫度升高至600 K時, 位錯環也開始發生演化, 經過1731.4 ps后, 位錯環的質心位置仍未向表面移動, 但是其慣習面由(010)逐漸開始偏轉; 當溫度升至750 K時, 再經過523.9 ps弛豫, 位錯環依然未向表面移動, 但慣習面偏轉角度進一步增大; 溫度升至1200 K時, 位錯環性質發生突變, 由 〈100〉 位錯環演變為1/2 〈111〉 位錯環, 之后快速被表面吸收, 形成凹凸不平的表面.

根據上述分析可以發現, 溫度的升高可以使〈100〉位錯環更快地越過相應的能量勢壘, 使其慣習面發生旋轉、一維運動及位錯環伯格斯矢量分解, 到位錯環整體性質變化和被表面吸收等過程的速率更高, 因此, 高溫輻照條件下, 間隙型位錯環可能造成更大的表面粗糙度.

3.1.3 位錯環深度的影響

相比于位錯環深度d = 2 nm條件下的位錯環演化, 當位錯環處于距離表面更深的位置時, 其與表面的相互作用也隨之發生變化.例如, 〈100〉 位錯環伯格斯矢量平行于表面法線方向時, 當初始位置d = 4 nm, 溫度設定為300 K時, 經過125 ps弛豫, 位錯環始終未有明顯變化, 再經過1200 ps弛豫, 位錯環狀態與之前保持一致, 表明位錯環離表面距離4 nm時, 位錯環比較穩定, 不易移動, 表面效應不明顯; 當溫度升至600 K, 經過195.6 ps到達接近2 nm的初始位置, 再經過19 ps已完全逸出表面, 動力學過程與上面的計算結果相符合,因此, 當溫度升高至600 K時, 在熱漲落與表面效應耦合作用下, 位錯環的動力學狀態才會發生改變.根據之前的研究[6,8]可以發現只有 〈100〉 位錯環沿伯格斯矢量方向的應力場與已存在的應力場之間發生的相互作用達到一定的閾值, 或者與其他外場耦合相互作用達到此閾值, 才能使得 〈100〉 位錯環以一定的概率越過相應的勢壘, 導致其動力學過程的演化.

3.2 雙位錯環與表面的相互作用

在實際輻照實驗過程中, 靠近材料表面的位錯環, 不僅僅有單個位錯的情形, 還有兩個或者多個位錯環一起形成或到達表面的情形, 為了對后一種情況進行理解, 本文選擇兩個位錯環存在相互作用的情形, 模擬在這種條件下位錯環與表面的相互作用過程.之所以選擇兩個位錯環的情形, 主要考慮當多個位錯環存在時, 它們之間的相互作用也是遵循位錯反應規律, 與兩個位錯環的情形相比, 沒有影響物理機制的情況發生, 并且兩個位錯環之間的相互作用, 更容易清晰地表明這種相互作用對位錯環與表面之間相互作用的影響.

如第2節模型和方法部分的闡述, 兩個半徑相同且伯格斯矢量相互垂直的位錯環, 在未到達表面時, 位錯環之間存在相互作用, 主要是由于二者的應力場發生疊加, 導致兩者的伯格斯矢量和慣習面均發生相應的演化：經過分子靜力學弛豫后(圖5(a)—(c)), 當系統溫度升高至300 K時, 兩個位錯環隨即開始反應, 與表面平行的位錯環性質發生驟變,由 〈100〉 位錯環變為1/2 〈111〉 位錯環, 并快速與垂直的位錯環發生位錯反應, 經過30 ps的反應過程,平行位錯環與垂直位錯環合二為一, 只剩垂直方向的位錯環, 但慣習面為(010); 隨著反應時間的增加, 位錯環的性質不斷發生變化, 部分變為1/2〈111〉, 并逐漸向表面方向移動, 在300 K下經過1180 ps仍未到達表面; 當溫度提高至600 K, 雖然慣習面在不斷發生變化, 但經過1226.9 ps同樣未到達表面, 直至溫度提高到900 K時(圖5(d)—(h)), 才與表面發生直接反應, 歷經128.1 ps逸出表面, 造成表面的凹凸不平.

對以上結果分析可以清晰地看到, 當存在位錯環之間的相互作用時, 其應力場之間的相互疊加,不僅影響位錯環本身的性質, 也影響位錯環與表面的相互作用.尤其值得注意的是, 當兩個位錯環[100]和[010]相互反應時, 其反應過程并沒有遵循經典的伯格斯矢量守恒法則, 二者發生如下反應：[100] + [010] → [010], 形成較大的位錯環, 再與表面相互作用, 造成表面更嚴重的形貌變化, 如第3.3節所述.

3.3 位錯環對表面形貌演化的影響

圖5 伯格斯矢量相互垂直的雙位錯環的演化過程 (a)?(c)模擬溫度為300 K, 模擬時間分別為10 ps, 20 ps, 30 ps; (d)?(h)模擬溫度為900 K, 模擬時間分別為98.5 ps, 108.4 ps, 118.3 ps, 128.1 ps, 138 psFig.5.Evolution of two 〈100〉 dislocation loops at 300 K and 900 K with Burgers vector perpendicular to each other The results obtained at 300 K are shown (a) to (c) with simulation time up to 10 ps, 20 ps, 30 ps, respectively.The results obtained at 900 K are shown (d) to (h) with simulation time up to 98.5 ps, 108.4 ps, 118.3 ps, 128.1 ps, 138 ps, respectively.

當位錯環與表面相互作用結束后, 由于位錯環被表面捕獲吸收, 造成在材料內部的物質質量轉移, 形成原子島, 導致材料表面發生形貌變化, 形成凹凸不平的結構.以伯格斯矢量平行于表面法線方向的 〈100〉 位錯環在300 K下與材料表面相互作用后的結果為例(如圖6所示), 可以清楚地看到二者反應結束后, 在位錯環被吸收的位置表面發生形變, 形成突起, 產生輪廓清晰的原子島, 造成表面形貌的變化.值得注意的是, 這種由表面吸收位錯環造成的表面形貌的變化, 是實驗觀測到輻照后材料凹凸不平的原因之一, 還有其他的因素, 如濺射、空洞的形成及惰性氣體的起泡等過程, 都可能造成表面形貌發生變化, 因此, 需要根據實際情況對實驗結果分析.根據位錯環與表面的相互作用過程, 也可以推測出在靠近表面的納米層內, 單個自由位錯環基本不會存在, 它們或者被吸收, 或者形成具有較高的遷移能的位錯網絡而存在于材料內部.對于這種形貌的變化, 同樣可能會影響材料的服役性能, 尤其是位錯環定向的吸收造成材料在伯格斯矢量方向長度增加, 為輻照蠕變提供了一種可能的途徑, 因此, 在未來抗輻照材料的研發中, 這種表面與位錯環的相互作用對輻照效應的影響, 同樣需要考慮在內.

圖6 伯格斯矢量平行于表面法線方向的 〈100〉 位錯環與表面相互作用后的表面形貌Fig.6.Surface morphology of {100} plane after its absorp?tion of a 〈100〉 dislocation loop with its Burgers vector along the normal direction of {100} surface.

4 結 論

利用原子尺度的分子靜力學和分子動力學模擬方法, 本文研究了輻照形成的 〈100〉 間隙型位錯環與材料表面的相互作用過程及這種作用對材料表面形貌的影響.研究發現, 〈100〉 位錯環在材料表面附近時, 會受到表面的影響, 與表面發生相互作用, 位錯環的伯格斯矢量方向、距離表面的距離、溫度以及是否有其他位錯環與之相互作用, 都是影響這種作用的因素.其中, 伯格斯矢量平行于表面法線方向的位錯環易于被表面吸收, 而垂直于表面法線的位錯環, 只有在溫度較高時, 才能越過能量勢壘, 被表面吸收; 位錯環距離表面越近, 二者之間的相互作用越強, 高溫對二者的相互作用也有明顯的促進作用.當位錯環與表面反應后, 表面形貌發生變化, 形成凹凸不平的原子島, 是輻照蠕變的貢獻因素之一, 在未來抗輻照材料研發中需要考慮這些因素對輻照效應的影響.

本研究揭示了原子尺度 〈100〉 位錯環與表面的相互作用過程, 與之前的1/2 〈111〉 位錯環與表面的相互作用, 既有相同之處, 也有新發現, 尤其是〈100〉位錯環在表面作用下的定向運動, 位錯環慣習面旋轉和伯格斯矢量從 〈100〉 到1/2 〈111〉 的跳躍.以這些研究為基礎, 在未來工作中, 需要更進一步研究多個 〈100〉 或1/2 〈111〉 位錯環及可能的混合位錯與表面的相互作用, 以及對表面性能的影響, 特別是把這些結果引入到速率理論中, 給出位錯環與表面相互作用對輻照效應的影響, 使計算結果推廣到更大的應用尺度.

感謝中國科學院近代物理研究所王志光研究員的討論.