王彪


摘要:本文主要分析了高架橋段地鐵接觸網基本情況,重點介紹了接觸網改進防雷策略及實施方案,它不僅能夠降低絕緣子擊穿概率,而且還可以有效提高地鐵接觸網耐雷水平。通過對高架橋段地鐵接觸網防雷策略進行研究,以期為高架橋段地鐵接觸網的安全、高效運行提供可靠保障,創造出最大化的經濟與社會效益。
關鍵詞:高架橋段;地鐵接觸網;防雷策略
1.高架橋段地鐵接觸網基本情況
廣州某地鐵線路全長52.4km,其中地上線長度32.4 km,地下線長度20.0km,共設13座車站,其中8座高架站、5座地下站、2座換乘站。該地鐵線路根據實際情況選擇了33kV、110kV兩級集中供電系統,牽引供電系統選擇了1500V直流供電。按重污區來綜合考慮絕緣等級,絕緣子泄漏距離不小于250mm。該高架橋段地鐵接觸網選擇了帶脫扣裝置的,且具有放電計數功能的無間隙氧化鋅避雷器,根據地鐵牽引供電特點,高架段和地面均選擇了簡單鏈型懸掛,導線主要是由雙接觸線、雙承力索、1根避雷線和2根輔助饋線組成,其中接觸線采用導電性能良好、耐腐蝕、耐磨的銅銀合金接觸線(CTAH150);輔助饋線和承力索選擇了耐腐蝕性能好、導電性的硬銅絞線(JT150);避雷線選擇了耐腐蝕性能好、導電性的硬銅絞線(JT120)。圖1描述的是高架橋段地鐵接觸網示意圖,其中接觸網高度為5.6m、避雷線高度為8.5m、高架橋高度為8m。
2.高架橋段地鐵接觸網現有耐雷水平
通過對高架橋段地鐵接觸網開展雷擊模型仿真分析后發現,雷擊避雷線時,接地點和避雷器都分布在3號和7號支柱上,而且3號至7號支柱頂端是雷擊點,對各支柱耐雷水平進行計算,結果如表1 所示。
通過對表1進行分析可以發現,3號和7號支柱具有比較高的耐雷水平,均為6.7kA,主要是由于3號和7號支柱都按照要求架設了接地點和避雷器,在遇到雷擊時可以發揮散流和保護作用。5號支柱耐雷水平最低,為2.9 kA。主要是因為當4號和6號支柱遇到雷擊時,也會導致5號支柱閃絡,而5號支柱分布在避雷器和接地點安裝位置的最中間,從而導致其防雷保護效果和耐雷水平最低。在高架橋段地鐵接觸網中,只有3號和7號支柱不僅架設了接地點,而且安裝了避雷器,以確保線路耐雷水平分布均勻,從而具有較高的耐雷水平,然而中間支柱保護作用和耐雷水平相對比較弱。
3.接觸網改進防雷策略及實施方案
3.1架空地線與避雷器共接地極
對于高架橋段地鐵接觸網而言,常見的過電壓危害有如下3種類型:(1)在雷擊接觸網導線時,將會導致接觸網上出現過電壓;(2)在雷擊接觸網附近的地面時,將會導致接觸網上出現感應過電壓;(3) 在雷擊接觸網架空地線(或支柱)時,將會在支柱頂端出現沖擊過電壓,進而可能誘發反擊接觸網絕緣子現象。
目前,我國大多數城市軌道交通接觸網選擇了DC750V或DC1500V兩級電壓系統來進行供電,但是由于列車取流較大,為了避免絕緣子泄露電流及感應電流形成的雜散電流,則需要考慮接觸網導線與架空地線平行架設。通常情況下,架空地線不能直接接地,其一般需要借助地電位均衡器來有效分割接地極與架空地線,但是該過程中需要保證地電位均衡器具有比較低的導通電壓。當避雷器單獨接地時,如果中接觸網導線遭到雷電直擊時,將會沿接觸網導線將雷電流向遠處傳播,并通過接地電阻和避雷器最終入地。
在接觸網避雷器選擇了過程中,需要對絕緣配合設計給予綜合考慮,即保證Ures≤BIL/K,其中K為配合因數,BIL為被保護設備所具有的雷電沖擊耐受電壓,國際電工委員明確提出規定K≥1.2。此時,將架空地線與避雷器共接地極時,將不會誘發絕緣擊穿現象。
3.2接觸網下錨位置選擇不平衡絕緣
通過對接觸網安裝形式進行分析可以發現,雷電過電壓有可能誘發區間接觸網下錨絕緣子、腕臂絕緣子及饋線絕緣子等位置出現絕緣擊穿現象,導致接觸網線路失壓,從而對供電的安全性、可靠性產生不利影響。當雷擊接觸網下錨位置時,將會導致補償繩斷裂、下錨絕緣子擊穿或絕緣子爆裂等比較嚴重的后果。例如,某地鐵車輛段試車線1號支柱出現補償繩斷裂為例進行分析發現,該次事故導致試車線多處防風支撐管、絕緣子、吊弦、調整螺栓、接觸線硬彎、電連接損壞、線岔參數變化、扭面和燒傷等現象,加之設備損壞較多,無形之中增加了恢復難度,此時就可以在接觸網下錨位置選擇不平衡絕緣來給予有效解決。
4.結束語
綜上所述,在高架橋段地鐵接觸網運行過程中,可以根據實際運營需求,來對故障恢復、設備維修、氣象條件等因素給予綜合考慮的基礎上,來制定一套系統、完善的接觸網改進防雷策略,這樣不僅可以使絕緣子兩端電壓差問題得到有效改善,并降低絕緣子擊穿概率,而且還可以大大降低雷電反擊事故發生率,確保高架橋段地鐵接觸網的安全、高效運行。
參考文獻:
[1]羅剛,熊強.高架橋段地鐵接觸網的改進防雷措施[J].建筑工程技術與設計,2017,5(29):68-69.
[2]張血琴,陳奎,李瑞芳.高架橋段地鐵接觸網的改進防雷措施[J].高電壓技術,2016,4(5):101-102.