華虹無錫基地首批光刻工藝設備進場9月試生產

本報訊6月6日，華虹無錫集成電路研發和制造基地（一期）12英寸生產線建設項目首批三臺光刻機搬入儀式舉行。光刻設備的搬入標志著華虹無錫基地項目建設進入新的里程，整個項目也隨即達到新高度。

華虹半導體新任總裁唐均君表示，目前，有關12英寸的工藝研發、工程、銷售和市場團隊正在緊鑼密鼓開發新產品，為12英寸晶圓生產線的初始量產做好準備。華虹無錫基礎一期截至6月5日已經搬入35臺設備，其中25臺已經完成安裝調試，預計將于9月進行試生產，12月形我量產能力。

根據此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90-65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。

該項目于2018年3月正式開工建設，計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達產。自開建以來，華虹無錫項目一直加速前進，主要工程節點均提前完成。

今年3月，華虹半導體在其年報上表示，華虹無錫已于2018年年底主體結構全面封頂，預計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設，下半年開始搬入設備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產。

據悉，為加快實現華虹無錫的順利投產、風險量產和上量，華虹半導體在2018年啟動了55nm邏輯工藝及相關IP的研發，預計2019年下半年開始導人客戶，同時開始研發55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元，功能驗證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術量產打下堅實的基礎。