In組分變化對GaN基材料光學性質影響第一性原理研究
2019-09-10 07:22:44劉鑫代廣珍姜永召劉宇航韓名君
牡丹江師范學院學報(自然科學版) 2019年3期
劉鑫 代廣珍 姜永召 劉宇航 韓名君
摘 要：研究組分變化中InxGa1xN材料光學性能的變化.通過摻雜方式改變InxGa1xN材料In組分含量，獲得計算模型.計算結果表明，隨著In組分的增加，價帶結構發生改變，從而影響了電子的遷移及其內量子效率;材料的折射系數、吸收系數、反射系數以及能量損失系數均發生變化;In組分為0.5時，能量損失峰值最小，有利于提升紫外光的出光效率.
關鍵詞：GaN基材料;第一性原理;光學特性
