洪朝生低溫王國拓荒人

1944年，洪朝生同時通過了庚款留英和留美考試，他接受范緒筠老師的建議，于1945年赴美國麻省理工學院學習電子物理學，1948年獲博士學位。后入普渡大學做研究。其間，洪朝生在半導體鍺單晶低溫運輸現象的實驗中，發現雜質能級上的導電現象，形成雜質導電的概念，這一工作引起了國際上對無序系統電子輸運機制的探索，其所發表的論文引用壽命長達60余年。

在普渡大學，洪朝生與清華大學聯系，了解回國后從事哪方面的研究工作為宜，得到錢三強、彭桓武兩位先生的回復說，低溫物理很重要，我國也應開展這方面的基礎研究，并建議他再去西歐一年，以增長低溫物理方面的見識。于是，洪朝生進入以著名物理學家昂內斯命名的荷蘭萊頓大學低溫實驗室，從事超流氦實驗研究。

洪朝生在普渡大學所取得的成就得到室主任哈洛維茲的高度認可，他多次挽留洪朝生繼續從事該項研究，并允以加薪等條件，及至洪朝生到荷蘭后，仍多次寫信動員其重返普渡大學。與此同時，洪朝生的才華也得到著名物理學家莫特的賞識，他熱情邀請洪朝生到他所在的英國利物浦大學跟他一起做位錯理論研究。但洪朝生回國志向已定。

數十年后，他的學生張殿林曾問他，如果您當年不回國會是什么樣的結果、會不會有更大的學術成就時，洪朝生搖搖頭說：“沒有如果。”——他從未動搖和后悔回國的決定。

◎ 來源|中國科學院官網，有刪減

◎ 圖片|中科院理化所