自旋極化輸運(yùn)的方法討論
2019-04-19 12:07:08李慧周鳴宇吳世永
教育教學(xué)論壇 2019年17期
李慧 周鳴宇 吳世永
摘要：電子自旋注入和自旋相關(guān)輸運(yùn)是自旋電子學(xué)中被廣泛研究的課題。本文將介紹在自旋電子學(xué)器件上具有廣泛應(yīng)用前景的不同結(jié)構(gòu)中物理原理相關(guān)的材料問(wèn)題，如F/I/S隧穿、F/I/F隧穿、Andreev反射。
關(guān)鍵詞：F/I/S隧穿；F/I/F隧穿；Andreev反射
中圖分類號(hào)：G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-9324（2019）17-0223-02
一、F/I/S隧穿
參考文獻(xiàn)：
[1]馮端，金國(guó)鈞.凝聚態(tài)物理[M].北京：高等教育出版社，2013：329-340.
