芻議MOSFET封裝不良與最終測試的技術

孟浪

摘 要：MOSFET是分立器中最不可缺少的，在各大領域中，任何東西都不能代替它。在隨著科技的進步和計算機不斷的發展，它一般在半導體的器件生產中，對于功率半導體的性能就有了越來越高的要求，在近年來，MOSFET的功率半導體的發熱量已經降低到了一定的水平，所以市面上出現了多種的封裝形式，這些技術雖然為人們的生活提供了更多的便利，但是選擇什么樣的封裝形式成了人們的困惑，選擇封裝不良的MOSFET，會加大客戶的投訴量，本文對MOSFET不良封裝進行測試，探究他們的特點，選擇最終測試的技術。提高MOSFET的質量并減少客戶投訴率。

關鍵詞：封裝不良;最終測試;MOSFET

MOSFET是一種金屬氧化物的半導體場效應的晶體管，它可以簡稱為金氧半場效晶體管。它是一種可以在模擬電路和數字電路廣泛使用的場效晶體管[1]。MOSFET器件的結構不同于一般傳統的晶體管，它對后置的配備要求也高，由晶園切割，焊線、封塑和晶粒黏貼以及切割成型這個五大流程組成的MOSFET封裝，但在每個環節和流程中都會出現一些不良的類型，導致封裝的不良，最終會影響最終測試的質量和通過率。所以測試不良封裝，改進最終測試技術在科技行業是新的一個發展。

一、封裝測試的加工流程

（一）封裝測試

封裝測試就是指后續的生產，主要是晶粒制做成我們平時都可以看到的樣子，。在一個產品封裝結束之后，就需要在一次的通過測試來保證這個產品的電和性能，一次來保證成品能夠完全符合產品的出廠規格，因為這個測試是產品的最后一道工序，也就是生產的最后一步，所以稱為最終測試[2]。

（二）加工流程

1.晶粒的切割，有專門的機器，使用可以高速旋轉的鋒利的切割刀，把晶圓上的顆粒進行切割，分離開來。

2.晶粒黏貼，就是用專用的銀膠把晶粒黏貼到預定導線框架的位置上。

3.焊線，在晶粒的焊點和框架的引腳之間，將金屬細線焊接上，晶粒的電路與外部進行連接的建立。

4.封塑，把之前工序粘貼好的晶粒，焊好的引腳框架放到模具當中去，再把熔化的樹脂塑料壓進模具中，把整個的晶粒按照封裝的要求規范的把它包裹起來。

5.切割成型，將剛剛焊好的引腳框架多余的連接材料去掉，并且按照產品要封裝的樣式把引腳做成所需要的形狀。

6.最終測試，測試的產品性能是否符合出廠的質量，通過了最終測試的產品就是合格的質量好的產品，就稱為出廠成品。

雖然在每一個封裝的流程中，都有精密的檢測和控制手段，但是仍然有時候會出現一些不可預想和控制的漏洞，加上人員的疏忽，就進入了產品當中去了，然后經過最終測試不合格再來返工。不僅又浪費了時間，還廢了人力，質量還得不到保證。所以想要保證產品的質量和節約時間，就必須要在產品完成封裝之后，需要通過多項測試來鑒定和保證產品的質量。所以最終測試在整個生產的過程中時最后一步，因為它嚴格把控著產品的質量，同時也是最為重要的[3]。

二、MOSFET的最終測試技術

MOSFET的最終測試有很多類型，通常都是在自動平臺上進行測試的，因為測試平臺的效率和一致性都是很強的，所以測試的結果有很好的準確性和優點，最終測試的測試平臺應該至少由兩臺機器組成，一臺自動測試設備，一臺是自動分類的設備。

（一） MOSFET測試的ATE

ATE是產品的自動測試功能，它可以提供所需要測試的產品的資源，比如電流、電壓、調試和運行測試的程序等這些自動分析的軟件來測試數據，ATE可以進行分類，一些專門用于儲存器的，還有一些可以用于分立器的測試。

用于ATE分立器測試的一款常見的典型的軟件就是IPTEST，它聚集了很多種分立器的測試方案，可以快速的調試MOSFET的測試工序，它可以提供2200v的高壓電和200A的電流數來滿足很多產品的測試需求，總的來說，它匯集了很多種MOSFET的測試，對于MOSFET的封裝不良也能快速有效并且準確的測試出來。

（二）MOSFET測試的Handler

Handler主要是由器械組成，它是主要作用就是機械，根據測試的結果，可以對產品的不同種類進行自動分類，按照測試產品的放置方式不同，它主要有三類，一種是機械臂式、一種是重力式還有一種是塔式的，不一樣的種類又有不一樣的使用方式和范圍。

關于MOSFET的封裝測試就可以采用Handler的塔式和重力式，因為MOSFET的封裝比較簡單，再加上MOSFET的封裝比較簡單，框架的引腳少，而從Handler的適用形式來看，這兩類就比較適合MOSFET的封裝測試。重力式的Handler測試大概需要0.3秒、，塔式的大概需要0.1秒[4]。塔式的另一個特點就是提供了多個測試點，在很大程度上可以滿足MOSFET多個測試的需要。它的簡化流程也是非常的簡結，一次性把所有的東西都處理的妥妥當當。

三、結語

本文研究了根據在封裝的流程中，為了避免MOSFET的不良封裝，要選擇符合產品的最終測試技術，在最終測試當中，很多沒有通過測試的產品都是因為封裝的不良等問題所導致的。我們應該對通過率低的產品進行一個系統詳細的分析和研究，結合進行可靠安全的測試，并在結合MOSFET所處結構影響，研究出具有意義和針對性的測試工具，通過這些適合的測試工具，來確保和保證產品的質量效果[5]。所以，選擇適合產品的最終測試技術不僅可以節約成本，還可以節約時間，使產品的出廠通過率和產品的質量的到了保障，通過研究也推動了封裝的改進和封裝的改進效果，所以MOSFET的封裝不良與最終測試技術有著密不可分的關系。

參考文獻：

[1]張文濤，皓月蘭.功率MOSFET器件柵電荷測試與分析[J].電子與封裝，2016， 16（6）：21-23.

[2]康錫娥.功率MOSFET壽命預測技術研究[J].微處理機，2017，38（5）：4-7.

[3]許守東，陳勇，李勝男，基于MOSFET的大功率快速放大器技術研究[J].價值工程，2017， 36（31）：109-112.

[4]柯俊吉，趙志斌，謝宗奎，考慮寄生參數影響的碳化硅MOSFET開關暫態分析模型[J].電工技術學報，2018，33（8）：1762-1774.

[5]章圣焰，劉小康，胡水仙.利用MOSFET實現電源滯后供給的設計[J].航空電子技術，2017，48（2）：54-56.