五大領域齊發力 三菱電機創新產品持續搶占市場新高地

6月26日，PCIM亞洲2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強企業，同時也是現代功率半導體器件的開拓者，大中國區三菱電機半導體攜多款功率器件產品及相關解決方案亮相。

為了進一步鞏固三菱電機功率半導體在變頻家電市場的領先地位，三菱電機將依托位于合肥的功率半導體工廠和聯合實驗室，為中國客戶提供更好、更快的支持；而在鐵道牽引、電動汽車和工業新能源應用領域，三菱電機將持續性地聯合國內知名大學和專業設計公司，開發本地化的基于新型功率半導體的整體解決方案。

五大領域齊發力

2018年，三菱電機將在變頻家電、工業、新能源、軌道牽引、電動汽車五大領域，強化新產品的推廣和應用力度。在變頻家電領域，三菱電機將在分體式變頻空調和變頻洗衣機中擴大和強化SLIMDIP-L的應用，在空調風扇和變頻冰箱中逐步擴大SLIMDIP-S的應用，在更小功率的變頻家電應用中逐步推廣使用表面封裝型IPM。在中低壓變頻器、光伏逆變器、電動大巴、儲能逆變器、SVG、風力發電等應用中，三菱電機將強化第7代IGBT模塊的市場拓展；而在電動乘用轎車領域，三菱電機將為客戶提供電動汽車專用模塊和整體解決方案；在軌道牽引領域，將最新的X系列HVIGBT推廣到高鐵、動車、地鐵等應用領域。

創新技術引領行業發展

六十年以來，三菱電機之所以能夠一直保持行業領先地位在于持續性和創新性的研究與開發。

作為功率元器件的核心，IGBT芯片的重要性不言而喻。在功率半導體最新技術發展方面，三菱電機IGBT芯片技術一直在進步，第三代IGBT是平板型的構造，第四代IGBT是溝槽性的構造，第五代成為CSTBTTM，第六代是超薄化CSTBTTM，第七代IGBT構造更加微細化和超薄化的CSTBTTM。

從IGBT芯片的性能指數(FOM)上來看，第六代已比第一代提高了16倍，第七代比第一代提高了26倍。從封裝技術來看，在小容量消費類DIPIPMTM產品中，三菱電機采用了壓注模的封裝方法。在中容量工業產品、電動汽車專用產品中，采用了盒式封裝。而在大容量、特別是用在高鐵上的產品中，采用了高性能的碳化硅鋁底板，然后再用盒式封裝完成。

在量產供應的同時，三菱電機也在為下一個需求爆發點蓄勢發力，大概在2022年左右，三菱電機將會考慮12英寸功率元器件產線的投資。在Dr.Gourab Majumdar看來，2020—2022年，IGBT芯片市場將會有大幅的增長。

作為下一代功率半導體的核心技術方向，與傳統Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優勢是開關損耗大幅度減小。對于特定逆變器應用，這種優勢可以減小逆變器尺寸，提高逆變器效率及增加開關頻率。目前，基于SiC功率器件逆變設備的應用領域正在不斷擴大。但受制于成本因素，目前SiC功率器件市場滲透率很低，隨著技術進步，碳化硅成本將快速下降，未來將是功率半導體市場主流產品。

三菱電機從2013年開始推出第一代碳化硅功率模塊，事實上，早在1994年，三菱電機就開始了針對SiC技術的開發； 2015年開始，SiC功率器件開始進入眾多全新應用領域，同年，三菱電機開發了第一款全SiC功率模塊，配備在機車牽引系統在日本新干線安裝使用。三菱電機SiC功率模塊產品線已涵蓋額定電流15～1 200 A及額定電壓600～3 300 V，目前均可提供樣品。

電力電子行業對功率器件的要求更多地體現在提升效率與減小尺寸功率密度方面，因此新型SiC MOSFET功率模塊將獲得越來越多的應用。為了滿足功率器件市場對噪聲低、效率高、尺寸小和質量輕的要求，三菱電機一直致力于研究和開發高技術產品。正在加緊研發新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術， 該技術將進一步改善短路耐量和導通電阻的關系，并計劃在2020年實現新型SiC MOSFET模塊的商業化。