納微在中國開設GaNFastTM研發中心以支持創新

2018年6月21日，納微(Navitas)宣布在杭州開設新的GaNFast研發中心，以幫助合作伙伴和客戶設計技術領先的電源轉換器；相比傳統的硅MOS管方案，這些新設計能讓體積縮小50%，質量減輕50%，可為移動應用終端提供快3倍的充電速度。

納微高級應用總監兼新研發中心負責人徐迎春表示：“GaNFast研發中心擁有產品設計經驗豐富的高水平應用工程師團隊，將專注于開發高頻、高效、高功率密度的電源系統，并協助客戶充分發揮GaNFast功率IC的關鍵性能和優勢。我們擁有開發新型先進電源架構的工具、技能和資源，同時能夠確保開發高效率、優異的熱性能和EMI性能等關鍵技術指標符合客戶需求的可量產產品。”

納微旗下的業界第一款GaNFastTM功率IC能夠同時實現MHz級頻率和更高效率的電源設計，這些優異性能意味著移動快速充電器和適配器、LED電視、電動汽車/混合動力汽車、LED照明和新能源解決方案可采用更小、更輕、更低系統成本的功率轉換技術。

納微首席技術官Dan Kinzer指出：“杭州是中國學術和創新的中心之一，與浙江大學電力電子中心和杭州、上海、蘇州等周邊客戶的研究機構有著密切聯系，占盡地利人和。納微的愿景是利用性能出眾的氮化鎵功率器件創造出高頻、高效、高密度的新型電源系統。”

納微首席執行官Gene Sheridan在研發中心開幕式上致歡迎辭，他補充道：“繼創建深圳銷售辦事處之后，我們又大量投資于新的杭州GaNFast研發中心以促進技術發展，并且為中國客戶提供更強大的技術支持。 結合半導體器件、系統級創新以及行業合作伙伴關系，我們可以攜手重新塑造價值高達每年2 000億人民幣的產業。”