武警工程大學信息工程學院 張懌成 劉方毅 孟志豪
綜述了基片集成波導濾波器小型化研究現狀。首先介紹了基片集成波導諧振器的基礎理論,其次總結了基片集成波導諧振器小型化的實現方法和存在不足,最后對未來的發展趨勢進行了展望。
引言:基片集成波導(Substrate Integrated Waveguide,SIW)濾波器是一種新型結構器件,既具備了傳統金屬波導高品質因數、高功率等優點,又兼容了微帶濾波器結構體積小、易集成的特點,在當今頻譜環境日益緊張的通信系統中具有很高的研究和應用價值。小型化基片集成波導濾波器有利于減少射頻前端的體積,且便于和天線、功分器等微波器件相集成,是國內外學者研究的熱點方向。本文闡述了SIW濾波器小型化的相關理論,介紹了其研究現狀和發展趨勢。
一般結構的SIW諧振腔由金屬層和介質層構成,腔體邊緣周期性排列的的金屬過孔可以等效為傳統金屬波導的側壁,介質層通常選用Rogers RT/duroid 5880等材料,其結構如圖1所示:

圖1 基片集成波導模型
2005年,FengXu在[Xu F,Wu K.Guided-wave and leakage characteristics of substrate integrated waveguide[J].IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques,2005,53(1):66-73]中給出了基片集成波導與金屬波導的等效關系式:

且SIW諧振器的諧振頻率可由下式確定:

其中m=1,2,3…, p=1,2,3…, ε為相對介電常數, μ為相對磁導率。
2005年,東南大學的洪偉教授在論文[Hong W,Liu B,Wang Y,et al.Half Mode Substrate Integrated Waveguide:A New Guided Wave Structure for Microwave and Millimeter Wave Application[C]//Joint,International Conference on Infrared Millimeter Waves and,International Conference on Teraherz Electronics,2006.Irmmw-Thz.IEEE,2007:219-219]中提出了將全模SIW沿中心線進行切割形成HMSIW,其切口可等效于虛擬磁壁,既保留了前者的波導特性,又縮小了一半體積,其結構和場分布如圖2所示。

圖2 半模SIW諧振腔
2008年,文獻[Che W,Geng L,Deng K,et al.Analysis and Experiments of Compact Folded Substrate-Integrated Waveguide[J].IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques,2008,56(1):88-93]提出了折疊基片集成波導(Folded SIW,FSIW)的概念,開創了實現SIW小型化的新途徑。目前應用較多的是非對稱型FSIW,該方式通過水平對稱面折疊的方式得到,面積較SIW減小了50%。其結構如圖3所示。

圖3 折疊SIW諧振腔
折疊后的波導寬度為ω,縫隙寬度為ω0,則二者的關系可表示為其中Δ為兩側金屬過孔的修正量,其表達式為:

W為并排兩個金屬過孔的間距,可以適當縮小W以減小能量損耗。折疊技術的優勢在于縮小體積的同時不存在開放的切口,有效避免了輻射泄露,因此在FSIW之后,雙重折疊SIW(Double Folded SIW,DFSIW)濾波器[Zhu Y Z.A Compact Double Folded Quarter Mode Substrate Integrated Waveguide(DFQMSIW)Filter[J].Ieice Electronics Express,2016,13(11)]、三重折疊SIW(Triple-Fold SIW)濾波器[李明康.小型化多?;刹▽?SIW)濾波器研究[D].中國科學技術大學,2017]被相繼提出,極大豐富了SIW小型化研究。多層折疊SIW濾波器具有良好的性能,易與其他微波無源器件相集成,但是其工藝較復雜,尤其是多次折疊后對精度要求較為敏感,因此有學者結合折疊與多模切割技術,設計出了雙重折疊模SIW諧振器[周建,朱永忠,劉子豪,等.一種LTCC小型化雙重折疊1/4?;刹▽V波器設計[J].固體電子學研究與進展,2016(5):388-392],并采用LTCC封裝工藝設計了三階濾波器,體積較原始SIW濾波器減小93.75%,且具有良好的實測效果。
加載技術也是實現SIW濾波器小型化的有效手段,其原理是通過加載金屬或超材料物質,對SIW諧振腔內場分布造成擾動,使諧振頻率降低以實現小型化。在文獻[李明康.小型化多?;刹▽?SIW)濾波器研究[D].中國科學技術大學,2017]中,作者利用電容加載效應,將金屬物質加載于諧振腔內,使腔內電場集中在SIW腔體與金屬物質中間,有效降低了諧振頻率,達到了減小諧振腔尺寸的效果,其結構如圖4所示。

圖4 加載金屬棒的SIW諧振腔
在加載超材料方面,互補開環諧振器(Complementary Split-Ring Resontor,CSRR)與SIW諧振器的結合也實現了小型化。CSRR是一種磁性超材料物質,將其加載于SIW諧振腔的表面可以降低原有的截止頻率,從而實現小型化。2014年,Senior D E通過將CSRR結構刻蝕在四分之一模SIW諧振器表面,實現了比QMSIW尺寸小43%的諧振腔[Senior D E,Rahimi A,Yoon Y K.A surface micromachined broadband millimeter-wave filter using quarter-mode substrate integrated waveguide loaded with complementary split ring resonator[C]//Microwave Symposium.IEEE,2014:1-4];2017年,Huang Y M設計了一款更加緊湊的CSRR-HMSIW濾波器[Huang Y M,Peng Y,Zhou Y,et al.Sizereduced dual-band HMSIW cavityfilters loaded with double-sided SICSRRs[J].Electronics Letters,2017,53(10):689-691],將CSRR刻蝕在半?;刹▽У纳舷聝蓪?,形成了消逝模諧振效應,通過調節CSRR刻蝕結構的大小、位置也可以改變諧振器的耦合系數,進一步提升了小型化性能。
近些年,國內外學者對SIW諧振腔的小型化做了大量研究,目前仍存在兩個方面的不足:一是小型化后的SIW諧振腔性能有所下降,如經過多次切割的模諧振腔由于其開放邊界會造成過多的輻射泄露,而多層折疊的SIW諧振腔也會給制作工藝提出更高的要求,一味追求小型化的同時可能會造成整體效果下降;二是各種小型化技術沒有更好得融合,多種技術的結合有助于發揮各自優勢,避免單種技術極限運用帶來的過多損耗,然而國內外在這方面的研究較少,小型化程度有限。
當今高速發展的微波通信系統對基片集成波導濾波器的小型化、集成度提出了更高要求,相信經過不斷地技術改進,小型化SIW濾波器的性能將會取得進一步完善。并且,可以在小型化的SIW諧振腔基礎上實現全可調、磁電雙可調等功能,以更好滿足射頻前端的實際需求,在現代通信系統中發揮更大價值。