淺談半導體廠房內部結構

姜曉芳

摘 要：隨著我國生產技術以及生產力的提升，且為我國半導體廠房的建設作出了較大貢獻。作為半導體廠房的重要組成部分，其廠房的內部結構不僅關系著半導體廠房的安全性以及舒適性，而且對于半導體廠房的生產運行也具有重要影響。基于此，本文將半導體廠房內部結構的分析作為主要研究內容，通過對半導體廠房內部結構進行簡單的闡述，進而從兩個方面對半導體廠房的內部結構建設進行詳細的分析與研究。本文旨在為半導體廠房內部結構的研究提供幾點參考性建議，并為半導體廠房的發展與建設提供積極的推動作用。

關鍵詞：半導體廠房；內部結構；建設分析

前言：近年來，我國半導體廠房的建設熟練逐漸增多，我國半導體廠房的假設技術也逐漸熟練，對其內部結構的規劃也逐漸科學。由于半導體廠房的內部結構建設影響著廠房的生產活動，并且對于廠房內部人員的安全性也具有影響。故而本文對半導體廠房內部結構進行詳細的分析與研究。

一、半導體廠房內部結構系統

經過筆者對半導體廠房內部結構進行詳細的總結與整理，發現其主要具有以下幾方面的結構系統。第一方面，潔凈室天花板系統。該種系統的建設主要由天花板框架；支承結構；FF等部分組成。第二方面，潔凈室新風系統。該系統的運行對潔凈室內的通風進行保障，提供工作人員所需的氧氣以及通風條件。第三方面，機械排煙系統。該種系統對室內的空氣環境進行保障。第四方面，冷凍水系統。該系統由低溫離心式冷水機組、中溫離心式冷水機組等共同組成[1]。第五方面，溫水系統。該系統主要通過蒸汽鍋爐房以及熱水鍋爐房所組成。第六方面，油罐系統。主要是為滿足柴油發電機及鍋爐所需的燃料而建設的系統。第七方面，工藝真空系統。該種系統采用U-PVC對工藝真空系統的管道進行建設而成。第八方面，常溫循環冷卻水系統。第九方面，工藝設備冷卻水系統。第十方面，生產、生活給水系統。第十一方面，電力配電系統。第十二方面，照明系統。第十三方面，儀表與控制系統。第十四方面，純水安裝工程施工及調試。第十五方面，廢水安裝工程及調試[2]。

二、半導體廠房內部溫水系統

（一）熱水鍋爐房

在該系統的建設過程中，其采暖熱負荷為1000kW；加濕使用的蒸汽量為550kg；純水用蒸汽量為300kg。在本文對熱水鍋爐房進行設置的過程中，共建設2臺真空熱水鍋爐，該鍋爐的具體制熱量為930kw，其內部還放置換熱器，以保障功能的實施。在該鍋爐房的建設過程中，其使用的燃料為天然氣，備用的燃料為輕柴油。在具體的使用過程中，其供給熱水溫度為32/38℃，為廠房的熱水使用提供極大的便捷性。在鍋爐房的建設過程中，其熱水泵主要是選擇了2臺150m3/h，且揚程為0.32MPa的離心式水泵[3]。在該熱水鍋爐房的熱水系統建設過程中，其管道的建設主要使用無縫鋼管的材料，其管道的閥門主要采用蝸桿傳動式蝶閥，在保溫設備的建設中采用B1級橡塑保溫材料。

（二）蒸汽鍋爐房

在該系統的建設過程中，其蒸汽鍋爐房的設置主要利用了2臺蒸汽鍋爐進行具體的建設，該設備的蒸發量主要為0.6t/h，同時，其主燃料的使用為天然氣，其使用的備用燃料為輕柴油。該種設備的具體應用過程中，其額定的蒸發壓力主要為0.7MPa。在整齊鍋爐房的建設過程中，其設置的主要設備還包括潔凈蒸汽發生器。該種設備的使用中，其蒸汽產生的數量為0.7t/h，通過不斷的整齊制造為空調系統的正常加濕運作提供所需蒸汽。在該種蒸汽系統的補水過程，主要采用RO水進行補充，并在加熱蒸汽管道建設的材料選擇階段，選擇無縫鋼管作為具體的管道建設材料。在閥門的建設過程中，使用蝸桿傳動式的蝶閥進行具體的施工。在潔凈蒸汽管道的建設過程中，其材料主要應用不銹鋼的無縫鋼管，具體的材質為SS304L。

三、廢水處理系統

（一）處理前水質參數的確定

在對該公司的廠房進行具體的建設時期，需要對該廠房的生產廢水情況進行研究與分析。經過筆者調查分析發現，該廠房的使用過程中將產生以下三種主要的廢水。第一種，氨氮廢水，該種廢水的水量為13t/d；第二中，酸堿廢水。該種廢水的水量為120t/d；第三種，回收水。該種廢水的水量為100t/d。在對廢水的指標進行詳細調查后，將該廠房的生產廢水水質參數具體總結如下表1：

（二）具體施工

在對該廠房進行施工時，主要是對廢水流入處理設施進行科學的建設。具體的設計與施工分為以下幾方面。第一方面，高程設計；第二方面，工藝設計；第三方同時，由于該廠房的第三類廢水水質處于較好的狀態，能夠直接作為反滲透原水。故而，在本文對廢水處理系統進行建設時，暫不考慮第三類廢水。

（三）處理后水質參數的確定

經過廠房的廢水處理，其水質參數變化如下表2以及表3：

結論：本文通過對半導體廠房內部結構進行簡單的闡述，進而從半導體廠房內部溫水系統；廢水處理系統安裝及調試兩個方面對半導體廠房的內部結構建設進行詳細的分析與研究。經過對課題內容進行詳細的研究與分析得出結果表明，在我國半導體廠房內部結構建設的研究領域中依舊存在一定問題。因此，在未來的研究中應進一步對半導體廠房的內部結構建設領域進行詳細的研究與思考，希望本文能夠為半導體廠房內部結構的研究提供幾點可行性建議，并為半導體廠房的發展與建設提供積極的促進作用。

參考文獻：

[1]朱守見.淺析在老舊的排架結構廠房內施工深基坑的新方法[J].中國房地產業，2016，14（04）：187-188.

[2]陳瀧，王傳慶，陳楨，等.三維激光掃描技術在鋼結構廠房變形測量中的應用[J].黑龍江工程學院學報，2016，30（05）：29-33.

[3]倪步寬.探究結構設計優化技術在廠房結構設計中的應用[J].建筑工程技術與設計，2017，15（08）；154-155.