RADECS Workshop 2018助推航天強國建設

孔令東 劉 平

2018年5月16-18日，“RADECS Workshop 2018暨第二屆電子器件輻射效應國際會議”在北京成功召開。這也是RADECS Workshop第一次在非歐洲國家舉辦。本次會議旨在構建高端學術交流合作平臺，助推航天強國建設，引領元器件抗輻射專業創新發展。會議由中國航天電子技術研究院主辦，北京微電子技術研究所和哈爾濱工業大學承辦。來自15個國家的260余名專家、學者和代表應邀參加了本次會議。

元器件和電子系統的輻射效應及加固技術研究始終是微電子技術領域的制高點，也是衡量一個國家航天技術水平的重要標志。近年來，我國航天微電子技術迅速發展，已基本實現了航天元器件的自主可控。作為國際輻射加固領域最重要的權威學術組織之一， RADECS（Radiation Effects on Components and Systems）高度重視在中國舉辦的本次會議，派出了由6名專家組成的專業代表團出席會議。

會議分報告和專題研討兩個環節。在報告環節，3位美國知名專家介紹了美國SiC功率器件輻射相關可靠性、新型材料器件（如高K柵堆疊FinFET、SiC/GaN等化合物半導體、石墨烯等二維材料等）的輻射效應以及雙極器件的輻射效應建模等研究成果，6位歐洲專家介紹了歐洲有關國家的抗輻射發展情況，5位中國專家交流了雙極器件電離和非電離的協同效應、非易失存儲器輻射效應、中子誘發單粒子效應等研究成果。

在專題研討環節，按照輻射效應的機理及建模、新型器件和電路的輻射效應、抗輻射加固方法、輻射加固保證與評估四個專題分類，對5篇特邀報告和38篇學術論文進行了分組研討。此外，55篇學術論文以海報形式進行了展示，論文作者與參會嘉賓進行了深入的探討與交流。

本次會議保持了RADECS一貫的專業技術水準，進一步加強了抗輻射專業國際化交流平臺建設，展示了中國航天獨立自主的發展道路及取得的偉大成就，得到了國外專家的高度評價，增進了與中國合作的意愿。